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公开(公告)号：CN113571621A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110962763.4
申请日：2021-08-20
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供了多单元式的发光二极管，包括基板，以及设置在基板同侧表面上的n个单元的外延叠层；所述外延叠层自下而上依次包括第二半导体层、发光层和第一半导体层；且每个单元皆包括露出第一半导体层表面的第一平台和露出第二半导体层表面的第二平台；透明导电层，形成于所述每个单元的第一平台之上；导电配线层，与所述第一半导体层形成电性连接；保护层，设置在所述导电配线层下方；所述保护层形成于每个单元的第一平台和第二平台之上，并分别在每个单元的透明导电层和第二平台之上设置至少一个以上的保护层通孔，露出所述每个单元的透明导电层和第二平台。
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公开(公告)号：CN118610339B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411034872.X
申请日：2024-07-31
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种倒装发光二极管芯片及其制备方法，其中倒装发光二极管芯片包括：衬底以及依次沉积在所述衬底上的N型半导体层、有源发光层、P型半导体层、电流扩展层、第一绝缘层、布拉格反射层、金属反射层、第二绝缘层、连接金属层、第三绝缘层以及焊盘层；所述连接金属层包括自下而上依次设置的反射层以及保护层，所述保护层包括自下而上依次设置的第一保护母层、第二保护母层以及第三保护母层，其中所述第二保护母层包括n个周期性层叠设置的第一保护子层以及第二保护子层；所述第一保护子层的厚度线性朝向所述第三绝缘层逐渐增大，所述第二保护子层的厚度线性朝向所述第三绝缘层逐渐减小。
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公开(公告)号：CN118825155A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411296169.6
申请日：2024-09-18
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种倒装发光二极管制备方法及倒装发光二极管，制备方法包括：提供一衬底，并在衬底表面沉积外延层，在外延层表面部分区域形成N型半导体层导电台阶，部分区域制备电流扩展层；在N型半导体层导电台阶和电流扩展层表面依次制备第一绝缘层和布拉格反射层，在布拉格反射层上形成侧壁倾斜的布拉格反射层通孔，倾斜式侧壁包括直线段和圆弧段；在布拉格反射层通孔内形成侧壁直线倾斜的第一绝缘层通孔；最后依次在形成第一绝缘层通孔后的外延层上沉积金属反射层、第二绝缘层、连接金属层、第三绝缘层和焊盘层，以得到目标倒装发光二极管。本申请制备的倒装发光二极管，减少了反射层中Ag金属的团聚，提高了产品质量。
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公开(公告)号：CN118588824A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202411034871.5
申请日：2024-07-31
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种倒装发光二极管芯片及其制备方法，其中倒装发光二极管芯片的制备方法包括：提供一衬底，在衬底上制备第一半导体层；在第一半导体层上制备第一导电金属层；在第一半导体层以及第一导电金属层上制备布拉格反射层以及布拉格反射通孔；在布拉格反射层以及布拉格反射层通孔上制备第二导电金属层，第二导电金属层包括自下而上依次设置的反射子层、保护子层、导电子层以及阻挡BOE子层；在布拉格反射层以及第二导电金属层上制备第一绝缘层以及第一绝缘层通孔，第一绝缘层通孔的直径≤3um且角度≤30°；在第一绝缘层和第一绝缘层通孔上制备第二半导体层。
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公开(公告)号：CN114242747B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202111528234.X
申请日：2021-12-14
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本申请提供一种mini LED芯片的分选方法及显示屏，该分选方法包括：提供N个晶圆；从每个所述晶圆中选取M颗LED芯片；将每个所述晶圆上的M颗LED芯片呈阵列结构排列在Bin片上，所述Bin片上任一区域内连续来自同一个所述晶圆的LED芯片不超过五颗。本申请的mini LED芯片的分选方法能够解决分选mini LED芯片在封装成显示屏后出现色度不统一的马赛克显示效果的问题。
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公开(公告)号：CN117393681B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311695382.X
申请日：2023-12-12
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种倒装发光二极管芯片的制备方法及发光二极管芯片，所述制备方法包括提供一衬底，在所述衬底沉积半导体层；利用第一制备工艺在所述半导体层上沉积第一承载层，利用第二制备工艺在所述第一承载层上沉积第二承载层，利用第三制备工艺在所述第二承载层上沉积第三承载层，以使所述第一承载层、所述第二承载层及所述第三承载层共同构成防脱落层；利用腐蚀工艺腐蚀部分所述防脱落层直至暴露部分所述半导体层，以在所述防脱落层形成多个防脱落通孔，其中，在所述第一承载层的防脱落通孔的尺寸由靠近所述第二承载层自远离所述第二承载层的方向依次增大，解决银反射镜容易脱落的问题，提升倒装发光二极管芯片的良率。
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公开(公告)号：CN117393680B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311695378.3
申请日：2023-12-12
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明涉及半导体器件领域，尤其涉及一种倒装发光二极管芯片及其制备方法，该倒装发光二极管芯片包括衬底以及在所述衬底上依次设置的外延层、连接层、绝缘层和焊盘层。通过先进行匀胶、曝光、显影形成一两端梯形开口，然后利用第一电子束蒸镀工艺蒸镀反射镜层金属，接着进行第二次显影，然后利用第二电子束蒸镀工艺蒸镀反射镜保护层金属，然后利用金属剥离工艺同时去除掉不需要的反射镜金属和反射镜保护层金属，由此只需要光刻一次，金属剥离一次，且通过反射镜保护层对反射镜层进行包覆，由此可防止剥离不需要的反射镜层时造成需要留在底材上的反射镜层也被剥离掉。
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公开(公告)号：CN117712246A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311696020.2
申请日：2023-12-12
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明涉及半导体器件领域，尤其涉及一种倒装发光二极管芯片及其制备方法，该倒装发光二极管芯片包括透明衬底以及在所述透明衬底上依次设置的集合层、第一互联层、第二互联层和连接层，所述集合层上开设有第一凹部、第二凹部、第三凹部和第四凹部，本发明通过设置第一组发光二极管，第二组发光二极管，第三组发光二极管，第四组发光二极管，且将第一、第二、第三、第四组发光二极管在垂直方向并联起来，使得相同面积下的发光二极管亮度增加为原来的四倍，且制备成灯珠的过程中只需要一个支架封装一次，节约封装制作及耗材成本。
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公开(公告)号：CN117712245A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202410160161.0
申请日：2024-02-05
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种倒装LED芯片及其制备方法，方法包括：制备外延片；使外延片的上表面区隔为N型面及P型面；于P型面上依次设置电流阻挡层及电流扩展层；分别于N型面及电流扩展层上蒸镀PD1一次电极；沉积包括第一绝缘保护层及布拉格反射层的复合层，于复合层上开设两第一凹槽；蒸镀包括第一二次电极及第二二次电极的PD3二次电极，其一第一凹槽位于第一二次电极的侧部，另一第一凹槽位于第二二次电极的中部；沉积第二绝缘保护层，并开设两第二凹槽，其一第二凹槽邻近第一二次电极的中部，另一第二凹槽邻近第二二次电极的侧部。使PD3二次电极于两锡焊盘下呈现非对称结构，提高电流扩散能力，更好的降低电压。
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公开(公告)号：CN116995168A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202311003549.1
申请日：2023-08-10
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供的一种LED芯片及其制备方法，通过在N型GaN层、有源层以及P型GaN层表面沉积侧壁保护层，可以阻挡反射层中活泼金属的横向移动，降低漏电的可能性，另外，在侧壁保护层、电流扩展层、第一绝缘保护层以及P型GaN层裸露部分沉积有布拉格反射镜层，具体的，布拉格反射镜层和侧壁保护层的配合，可以使原来在N型GaN层和P型GaN层交界地方的光损失，通过布拉格反射镜层反射，将原来损失的光反射回去，并从出光面出光，从而提高发光效率。
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