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公开(公告)号：CN111155071A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201911352014.9
申请日：2019-12-25
Applicant: 浙江工业大学
Abstract: 本发明提供了一种硫离子注入纳米金刚石-石墨烯复合薄膜，本发明利用热丝化学气相沉积在单晶硅衬底上制备纳米金刚石-石墨烯复合薄膜，对制备出的复合薄膜进行硫离子注入，并对注入后的复合薄膜进行真空退火处理，即得到SNCD-G复合薄膜，该复合薄膜具有优异的电化学活性、极低的背景电流和较宽的电势窗口，十分有利于应用在高精度的痕量检测领域。
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公开(公告)号：CN108660429A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810245815.4
申请日：2018-03-23
Applicant: 浙江工业大学
Abstract: 本发明提供了一种具有高电导率和高迁移率的n型纳米金刚石薄膜的制备方法：对单晶硅衬底采用手工打磨和超声振荡结合的预处理方式；采用热丝化学气相沉积方法，在单晶硅衬底上制备具有新颖微结构的纳米金刚石薄膜，薄膜具有高电导率和高n型载流子迁移率，对于实现其在半导体器件和场致发射显示器等领域的应用具有十分重要的科学意义和工程价值。
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公开(公告)号：CN104911559A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510219422.2
申请日：2015-04-30
Applicant: 浙江工业大学
Abstract: 本发明公开了一种高迁移率的n型纳米金刚石-石墨烯纳米带复合薄膜的制备方法：采用热丝化学气相沉积方法，在单晶硅衬底上制备纳米金刚石薄膜；然后采用离子注入方法，在纳米金刚石薄膜中注入磷离子，所述磷离子的注入剂量为1011～1013cm-2、注入能量为90～100keV；将离子注入后的薄膜进行有限氧化退火：在4000Pa的压力下、800～1000℃的温度下退火30分钟，即得所述高迁移率的n型纳米金刚石-石墨烯纳米带复合薄膜。本发明提供的n型纳米金刚石-石墨烯纳米带复合薄膜的Hall迁移率在500cm2V-1s-1以上，电阻率低，对实现金刚石和石墨烯在半导体器件、场致发射显示器、电化学等领域的应用具有十分重要的科学意义和工程价值。
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公开(公告)号：CN104894526A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510219725.4
申请日：2015-04-30
Applicant: 浙江工业大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米金刚石-石墨烯纳米带复合薄膜的制备方法：采用热丝化学气相沉积方法，在单晶硅衬底上制备纳米金刚石薄膜；采用离子注入方法，在纳米金刚石薄膜中注入氧离子，所述氧离子的注入剂量为1011～1013cm-2、注入能量为90～100keV；将离子注入后的薄膜进行有限氧化退火：在4000Pa的压力下、800～1000℃的温度下退火30分钟，即得所述纳米金刚石-石墨烯纳米带复合薄膜。本发明所得纳米金刚石晶粒尺寸为3～6nm，晶界中产生石墨烯纳米带，得到纳米金刚石-石墨烯纳米带复合薄膜。该薄膜对实现金刚石和石墨烯在半导体器件、场致发射显示器、电化学等领域的应用具有十分重要的科学意义和工程价值。
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公开(公告)号：CN119530757A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411703883.2
申请日：2024-11-26
Applicant: 浙江工业大学
IPC: C23C16/40 , H01G11/86 , H01G11/36 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种碳布负载的竖立石墨烯/Ta2O5复合电极及其制备方法，该复合电极由原子层沉积设备在含有竖立石墨烯的碳布表面沉积Ta2O5而得，具有较低的背景电流和极高的电化学活性面积，电化学性能优异，并且制备方法操作简便，安全系数高，流程简单，一步操作即可实现复合电极的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116752114B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202310639800.7
申请日：2023-05-31
Applicant: 浙江工业大学
Abstract: 本发明公开一种基于石墨烯竖立片层制备纳米金刚石的方法，本发明利用热丝化学气相沉积系统生长含有钽原子的石墨烯竖立片层，在较低的压力条件下使石墨烯竖立片层转变为纳米金刚石，具有条件温和、成本低廉的特点；该方法对设备要求较低、工艺简单、易于操作；对发展新型的纳米金刚石制备方法具有重要的科学意义和价值。
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公开(公告)号：CN116282002B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202310059001.2
申请日：2023-01-18
Applicant: 浙江工业大学
Abstract: 本发明提供一种常压下基于石墨制备金刚石的方法，将HFCVD系统中钽丝加热时逸出的金属钽原子沉积在石墨片上，在常压下实现石墨转变为金刚石，具有成本低廉、节能环保等优势；该方法对设备要求较低、工艺简单、易于操作。
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公开(公告)号：CN118083970A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410138078.3
申请日：2024-01-31
Applicant: 浙江工业大学
IPC: C01B32/26 , C23C16/56 , C23C16/503 , C23C16/26 , C23C14/16 , C01B32/186 , C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种等离子体处理竖立石墨烯制备金刚石的方法。该方法与化学气相沉积法相比，所需的微波功率低、时间短，能耗低，一步实现了石墨烯转变为金刚石，通过控制等离子体处理时间可获得颗粒状或片层状金刚石，对设备要求较低，有效降低金刚石生产成本。
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公开(公告)号：CN113755819B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202110886090.9
申请日：2021-08-03
Applicant: 浙江工业大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供了一种在氮化铝基底上生长低粗糙度金刚石薄膜的制备方法。该方法是在热丝化学气相沉积系统中采用循环沉积气压的方法在氮化铝基底上生长低粗糙度的微晶金刚石薄膜，具有较高的稳定性、耐蚀性，具有相对低的表面粗糙度；使其有望用于波导器件中减少光的散射损失，增强检测精度，对于制备金刚石薄膜基波导器件有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN117613139A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311496419.6
申请日：2023-11-10
Applicant: 浙江工业大学
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅及纳米金刚石/碳化硅异质结的制备方法，该方法可以在较低温度下在纳米金刚石颗粒表面形成碳化硅，并形成纳米金刚石/碳化硅异质结。该方法对于发展碳化硅及金刚石/碳化硅异质结的制备新方法和扩展纳米金刚石的应用有重要价值。
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