公开(公告)号：CN119392362A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411536490.7

申请日：2024-10-31

Applicant: 浙江工业大学

Inventor： 胡晓君 ,  杨睿生 ,  陈成克 ,  赵浩楠

IPC: C30B23/00 ,  C30B29/04

Abstract: 本发明公开了一种基于二氧化碳/甲烷混合气碳源制备单晶金刚石的方法，本发明提出采用微波等离子体化学气相沉积法，以CH4/CO2混合气为碳源，制备出高质量的单晶金刚石，并且显著提高了单晶金刚石生长速率；本发明解决了现有二氧化碳甲烷化转化率不高，转化后输出的二氧化碳/甲烷混合气体无法直接转变为高价值单晶金刚石的问题，该方法对于二氧化碳转化为金刚石具有重要意义。

公开(公告)号：CN114411117B

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202111670685.7

申请日：2021-12-31

Applicant: 浙江工业大学

Inventor： 李晓 ,  夏凡 ,  胡晓君 ,  陈豪 ,  陈成克 ,  蒋梅燕

IPC: C23C16/27 ,  C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C23C14/06 ,  C23C28/00 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明公开了一种在不锈钢上制备表面微织构金刚石薄膜的方法。利用W/WN过渡层与不锈钢基底之间的热膨胀系数差在不锈钢表面制备出了具有微织构的金刚石薄膜，对于提高不锈钢的摩擦学性能，制备更高质量的医疗或食品器械有重要意义。

公开(公告)号：CN114751408B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202210305804.7

申请日：2022-03-25

Applicant: 浙江工业大学

Inventor： 胡晓君 ,  朱志光 ,  姜从强 ,  陈成克 ,  郭迪峰 ,  柯昌成

IPC: C01B32/26

Abstract: 本发明公开了一种低压下基于石墨制备金刚石的方法，该方法结合第一性原理理论计算和实验研究，通过将过渡族金属沉积到石墨表面，实现了低压下石墨向金刚石的转变；本发明具有条件温和、成本低廉的优势，并且对设备要求较低、工艺简单、易于操作，得到的过渡金属终止的金刚石具有半导体性质，为金刚石电子器件应用提供新材料。

公开(公告)号：CN113215551B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202110355584.4

申请日：2021-04-01

Applicant: 浙江工业大学

Inventor： 胡晓君 ,  姜从强 ,  陈成克 ,  蒋梅燕 ,  李晓

IPC: C23C16/32 ,  C23C16/44 ,  C23C16/26 ,  C01B32/914 ,  C01B32/21

Abstract: 本发明公开了一种制备TaC的方法。该制备方法是在HFCVD中利用钽丝作为钽源和加热源，在石墨衬底上一步法直接制备得到TaC，对于拓宽TaC在工业领域的应用有重要价值。

公开(公告)号：CN114751408A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202210305804.7

申请日：2022-03-25

Applicant: 浙江工业大学

Inventor： 胡晓君 ,  朱志光 ,  姜从强 ,  陈成克 ,  郭迪峰 ,  柯昌成

IPC: C01B32/26

Abstract: 本发明公开了一种低压下基于石墨制备金刚石的方法，该方法结合第一性原理理论计算和实验研究，通过将过渡族金属沉积到石墨表面，实现了低压下石墨向金刚石的转变；本发明具有条件温和、成本低廉的优势，并且对设备要求较低、工艺简单、易于操作，得到的过渡金属终止的金刚石具有半导体性质，为金刚石电子器件应用提供新材料。

公开(公告)号：CN108660432B

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201810247215.1

申请日：2018-03-23

Applicant: 浙江工业大学

Inventor： 胡晓君 ,  陈成克 ,  徐辉 ,  刘建军 ,  梅盈爽 ,  樊冬

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/56 ,  C23C14/48

Abstract: 本发明公开了一种具有新颖微结构的高迁移率n型纳米金刚石薄膜及其制备方法：采用热丝化学气相沉积方法(HFCVD)，在单晶硅衬底上制备纳米金刚石薄膜。以丙酮作为碳源，采用氢气鼓泡方式将碳源带入反应室腔体，生长时间约40‑60分钟，制备得到厚度1‑3μm左右的纳米金刚石薄膜，晶粒尺寸10‑30nm，薄膜中非晶碳晶界含量非常少。对该晶粒密堆积纳米金刚石薄膜进行硫离子以及氧离子注入，注入后的样品再进行低真空退火，即得到所述迁移率普遍达到400cm2/V·s以上的n型纳米金刚石薄膜。对于实现金刚石薄膜在半导体器件、光电子领域、场发射显示器等领域的应用具有十分重要的意义和价值。

公开(公告)号：CN108531883B

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201810246649.X

申请日：2018-03-23

Applicant: 浙江工业大学

Inventor： 胡晓君 ,  刘建军 ,  徐辉 ,  梅盈爽 ,  陈成克 ,  樊冬

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/02 ,  C23C16/56 ,  C23C14/48 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明公开了一种高迁移率n型超薄纳米金刚石薄膜及其制备方法：采用热丝化学气相沉积方法(HFCVD)，在通过物理气相沉积(PVD)了过渡层的硅衬底上制备超薄纳米金刚石薄膜，过渡层的厚度为50‑100nm。以丙酮作为碳源，采用氢气鼓泡方式将碳源带入反应室腔体，生长时间约10‑30分钟，制备得到厚度200‑300nm的超薄纳米金刚石薄膜。对超薄纳米金刚石薄膜注入施主杂质离子，注入后的样品再进行低真空氧化退火，即得到所述具有新颖微结构的高迁移率n型超薄纳米金刚石薄膜。该结果对于实现金刚石薄膜在半导体器件、光电子领域、场发射显示器等领域的应用具有十分重要的意义和价值。

公开(公告)号：CN111058011A

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201911352707.8

申请日：2019-12-25

Applicant: 浙江工业大学

Inventor： 胡晓君 ,  蒋梅燕 ,  陈成克 ,  李晓

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/02 ,  G01N27/30 ,  G01N27/416

Abstract: 一种纳米金刚石-石墨烯复合薄膜，其制备方法为：将金刚石粉末和丙三醇混合，分散均匀，得到金刚石粉研磨膏，用其打磨单晶硅片，之后将硅片清洗，吹干，完成种晶过程；之后将硅片放入热丝化学气相沉积设备，以丙酮为碳源，采用氢气鼓泡方式将丙酮带入到反应室中进行薄膜生长，完成纳米金刚石-石墨烯复合薄膜的制备；本发明制得的NCD-G的复合膜，具有较高的稳定性和耐蚀性，且具有相对快速的电子转移速率，该薄膜背景电流极低，电势窗口极宽，有望应用于极端环境下的痕量检测电极领域。

公开(公告)号：CN104911559B

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201510219422.2

申请日：2015-04-30

Applicant: 浙江工业大学

Inventor： 胡晓君 ,  陈成克

IPC: C23C14/48 ,  C23C14/58 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种高迁移率的n型纳米金刚石‑石墨烯纳米带复合薄膜的制备方法：采用热丝化学气相沉积方法，在单晶硅衬底上制备纳米金刚石薄膜；然后采用离子注入方法，在纳米金刚石薄膜中注入磷离子，所述磷离子的注入剂量为1011～1013cm‑2、注入能量为90～100keV；将离子注入后的薄膜进行有限氧化退火：在4000Pa的压力下、800～1000℃的温度下退火30分钟，即得所述高迁移率的n型纳米金刚石‑石墨烯纳米带复合薄膜。本发明提供的n型纳米金刚石‑石墨烯纳米带复合薄膜的Hall迁移率在500cm2V‑1s‑1以上，电阻率低，对实现金刚石和石墨烯在半导体器件、场致发射显示器、电化学等领域的应用具有十分重要的科学意义和工程价值。

公开(公告)号：CN115852331B

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202211549878.1

申请日：2022-12-05

Applicant: 浙江工业大学

Inventor： 胡晓君 ,  郑玉浩 ,  唐彬杰 ,  陈成克 ,  李晓 ,  蒋梅燕 ,  鲁少华

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/02

Abstract: 本发明公开了一种密堆积纳米金刚石薄膜。该密堆积纳米金刚石薄膜是利用旋涂种晶工艺，通过热丝化学气相沉积系统制备，该方法有效地降低了薄膜晶界中非晶碳的含量，制备了具有密堆积结构的纳米金刚石薄膜。