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公开(公告)号：CN106124539A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610797192.2
申请日：2016-08-31
申请人： 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： G01N23/04
CPC分类号： G01T1/241 , G06T7/11 , G06T7/70 , G06T2207/10116
摘要： 本发明提供一种探测器以及用于智能划分能区的探测系统和方法，其中所述探测方法可以包括：由探测器采集从探测对象透射的射线，产生探测信号，所述探测器的每一像素列包括一个A类电极和多个B类电极，且沿探测对象的移动方向依次布置所述A类电极和所述B类电极，使得从探测对象透射的射线先进入A类电极，随后进入B类电极；基于与A类电极对应的探测信号，得到探测对象的图像数据，并基于图像数据估计探测对象的物质成分；根据所估计的物质成分，调整用于能区划分的一个或多个阈值；以及根据所调整后的阈值来确定与B类电极对应的探测信号的能区，并计算在每个能区中的信号数目，得到探测器对象的图像数据，从而得到探测对象的准确成分。
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公开(公告)号：CN114153001B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202111661380.X
申请日：2021-12-30
申请人： 同方威视技术股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于检查货物中冻品的检查系统及检查方法，检查系统包括：第一驱动装置，安装在载体上，第一驱动装置包括第一支撑框架，第一支撑框架能够相对于载体绕相互垂直的第一轴线、第二轴线和第三轴线转动；可见光采集装置，设置在第一支撑框架上；第二驱动装置，安装在第一支撑框架上，并包括第二支撑框架，第二支撑框架被构造成能够根据可见光采集装置获取的可见光图像相对于第一支撑框架绕相互垂直的第四轴线和第五轴线转动；红外探测仪，设置在第二支撑框架上；以及控制装置。通过第一驱动装置调节可见光采集装置的角度获取目标的可见光图像，并通过该图像和第二驱动装置对红外探测仪进行调节以获取目标或目标局部区域的红外图像，从而基于红外图像确定目标内是否放置有冻品货物。
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公开(公告)号：CN117075174A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311044144.2
申请日：2016-08-31
申请人： 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： G01T1/24
摘要： 本发明提出了一种半导体探测器。所述半导体探测器包括：阳极电路板，包括读出芯片；阴极电路板，所述阴极电路板包括阴极电路板高压端顶层、阴极电路板底部连接层和填充在阴极电路板高压端顶层和阴极电路板底部连接层之间的电介质，所述阴极电路板高压端顶层和阴极电路板底部连接层通过过孔连接；探测器晶体，包括晶体主体、阳极和阴极，所述阳极与所述阳极电路板上的读出芯片相连，其中所述阴极电路板高压端顶层包括：第一端口，用于连接半导体探测器的输入，并且用于实现多个半导体探测器的级联，所述阴极电路板底部连接层与所述探测器晶体的阴极直接接触而连接所述阴极和所述阴极电路板。
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公开(公告)号：CN106324649B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN201610797815.6
申请日：2016-08-31
申请人： 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： G01T1/00
摘要： 公开了一种半导体探测器。根据实施例，该半导体探测器可以包括：半导体探测材料，包括彼此相对的第一侧面和第二侧面，其中，第一侧面和第二侧面之一是接收入射射线的射线入射面；设置于第一侧面上的多个像素阴极；设置于第二侧面上的多个像素阳极，其中，像素阳极与像素阴极彼此一一对应；以及设置于射线入射面上各像素阴极或像素阳极外周的阻挡电极。根据本公开的实施例，可以有效避免像素之间的电荷共享，提高探测器的成像分辨率。
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公开(公告)号：CN106324648B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201610797744.X
申请日：2016-08-31
申请人： 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： G01T1/00
摘要： 本发明提出了一种半导体探测器及其封装方法。所述半导体探测器包括：阳极电路板，包括读出芯片；阴极电路板，所述阴极电路板包括阴极电路板高压端顶层、阴极电路板底部连接层和填充在阴极电路板高压端顶层和阴极电路板底部连接层之间的电介质，所述阴极电路板高压端顶层和阴极电路板底部连接层通过过孔连接；探测器晶体，包括晶体主体、阳极和阴极，所述阳极与所述阳极电路板上的读出芯片相连，其中所述阴极电路板高压端顶层用于连接半导体探测器的输入，所述阴极电路板底部连接层与所述探测器晶体的阴极直接接触而连接所述阴极和所述阴极电路板。
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公开(公告)号：CN106249269B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201610797083.0
申请日：2016-08-31
申请人： 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： G01T1/00
摘要： 本发明提出了一种半导体探测器。所述半导体探测器包括：探测器晶体，包括晶体主体、阳极和阴极；场增强电极，用于向探测器晶体施加电压；绝缘材料，设置于所述场增强电极和所述探测器晶体表面之间。所述半导体探测器还包括场增强电极电路板，所述增强电极电路板具有与探测器晶体表面接触的底部连接层和与所述底部连接层相对的顶层，其中所述顶层连接半导体探测器的高压输入，所述底部连接层与所述探测器晶体的探测器表面之间存在绝缘材料。
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公开(公告)号：CN109978809B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN201711434581.X
申请日：2017-12-26
申请人： 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： G06T7/00
摘要： 本公开提供了一种图像处理方法、装置及计算机可读存储介质，涉及图像处理技术领域，所述方法包括：获取待处理的第一欠采样图像；根据欠采样图像与原始图像之间的映射关系，将所述第一欠采样图像重建为对应的第一原始图像，其中所述映射关系是以第二欠采样图像及其对应的第二原始图像为训练样本对机器学习模型进行训练得到的。
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公开(公告)号：CN113240617B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110777936.5
申请日：2021-07-09
申请人： 同方威视技术股份有限公司
摘要： 本公开涉及一种扫描图像重建方法、检查设备及计算机可读存储介质。扫描图像重建方法包括：使辐射源按照欠采样频率以多种辐射能量向与所述辐射源相对运动的被检对象发出射线束，所述欠采样频率小于使获得的原始扫描图像保持连续的正常采样频率；获得每种辐射能量对应的欠采样图像，并对各种辐射能量对应的欠采样图像进行图像融合，获得融合后的欠采样图像；将所述融合后的欠采样图像分别输入到所述多种辐射能量中的至少一种对应的深度学习模型中，获得所述多种辐射能量中的至少一种对应的重建图像。本公开实施例能够获得更好的图像重建效果。
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公开(公告)号：CN113240617A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110777936.5
申请日：2021-07-09
申请人： 同方威视技术股份有限公司
摘要： 本公开涉及一种扫描图像重建方法、检查设备及计算机可读存储介质。扫描图像重建方法包括：使辐射源按照欠采样频率以多种辐射能量向与所述辐射源相对运动的被检对象发出射线束，所述欠采样频率小于使获得的原始扫描图像保持连续的正常采样频率；获得每种辐射能量对应的欠采样图像，并对各种辐射能量对应的欠采样图像进行图像融合，获得融合后的欠采样图像；将所述融合后的欠采样图像分别输入到所述多种辐射能量中的至少一种对应的深度学习模型中，获得所述多种辐射能量中的至少一种对应的重建图像。本公开实施例能够获得更好的图像重建效果。
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公开(公告)号：CN113077391A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010711447.5
申请日：2020-07-22
申请人： 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： G06T5/00
摘要： 本公开提出一种校正扫描图像的方法和装置以及图像扫描系统，涉及图像扫描领域。该方法包括：获取被扫描对象的扫描图像；从所述扫描图像中检测一个或多个参照物；根据预设的参照物的标准参数，确定每个参照物的变形参数；根据所述一个或多个参照物的变形参数，对所述扫描图像进行校正。通过从扫描图像中检测参照物，根据参照物的变形参数，对扫描图像进行校正，以改善扫描图像变形的问题，提高检测效果。
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