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公开(公告)号：CN114938203A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210728861.6
申请日：2022-06-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种双频点阻抗匹配的双工移相推推介质振荡型频率源，属于频率源技术领域。所述双工移相推推介质振荡型频率源包括工作在基频的介质振荡模块，两个相同的、在基频和二次谐波频点处阻抗匹配的第一双频点阻抗匹配模块和第二双频点阻抗匹配模块，两个相同的、通带覆盖基频和二次谐波频点的第一双工器和第二双工器，两个相同的、工作在二次谐波频点的第一移相器和第二移相器，合路器。本发明通过使用双频点匹配电路，有效提高了二次谐波的输出功率，保证了电路顺利振荡；利用双工器使不同频点的信号分离，避免了基波信号的浪费，提高了谐波抑制；加入移相器对两路信号的相位进行调节，保证二次谐波相位匹配，从而解决电路差异导致相位恶化问题。
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公开(公告)号：CN112661509B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202011548592.2
申请日：2020-12-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/495
Abstract: 一种高Q值MgZrNb2O8基微波介质陶瓷材料，属于电子信息功能陶瓷材料与电子器件技术领域。所述陶瓷材料的结构式为MgZr1‑xTixNb2O8，其中，0.1≤x≤0.4。本发明提供的高Q值微波介质陶瓷材料能够很好的满足当前移动通信技术领域高频化的发展趋势。本发明微波介质陶瓷材料的介电常数为20～28，品质因数为22355～130123GHz，谐振频率温度系数为‑29～‑46ppm/℃，适合用作微波谐振器、天线及相关电子线路基板材料。
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公开(公告)号：CN114823882A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210397020.1
申请日：2022-04-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种多功能自旋波晶体管及其制备方法和应用，属于自旋波器件技术领域。所述多功能自旋波晶体管包括基片，形成于基片之上的磁性薄膜层，形成于磁性薄膜层之上的定向加热层，形成于磁性薄膜层之上、定向加热层两侧的微波天线；在定向加热层上、自旋波传输路径的垂直方向上施加热流，实现自旋波晶体管的自旋波移相功能、自旋波放大功能以及自旋波关断功能的调控。本发明通过定向加热层在自旋波传输路径的垂直方向上施加一定大小的热流，实现了自旋波晶体管的自旋波移相功能、自旋波放大功能以及自旋波关断功能的调控，与现代硅基半导体晶体管功能类似，实现了自旋波器件功能的集成化，大大加速了自旋波超低功耗集成电路的商用化进程。
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公开(公告)号：CN109445514B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN201811126473.0
申请日：2018-09-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高精度随机跳频DDS频率合成器，属于信号源技术领域。本发明包括FPGA主控模块、DDS芯片、PLL参考源模块、电源管理模块、低通滤波器。本发明能够很快的得出所需频率控制字，将跳频时间减少至百纳秒内，大大提升性能，并通过在FPGA内实现伪随机序数，实现随机跳频；采用DDS芯片AD9914的可编程调制模式提高频率精度；让需要更新的频率控制字计算更快，寄存器个数变少，并通过并行口下发控制字，实现快速频率跳变；通过利用LFSR线性反馈移位寄存器产生伪随机数，计算得到随机频率点，通过FPGA内部运算得到随机频率控制字，从而实现随机跳频。
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公开(公告)号：CN113603481A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110794900.8
申请日：2021-07-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/49 , C04B35/626 , C04B35/64 , H01Q1/36
Abstract: 一种高温度稳定性锆酸镁锂系复合陶瓷及其制备方法，属于电子材料技术领域。所述复合陶瓷的结构式为Li2‑2xMg3‑6xZr1‑2xTixVxO6‑6.5x，x的取值范围为0.05～0.07。本发明提供的锆酸镁锂系复合陶瓷，以Li2Mg3ZrO6作为主料，采用偏相Li2TiO3和V2O5进行复合，使得烧结特性、品质因数、介电常数得到了改善，温度系数向正方向稳步移动，得到了较高品质因数、高温度稳定性、中等介电常数、低烧结温度的复合陶瓷材料，可用作天线基板材料使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111235423B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202010041791.8
申请日：2020-01-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L43/14
Abstract: 一种室温高自旋霍尔角铂‑稀土薄膜材料，属于自旋电子新材料技术领域。所述薄膜材料为生长于基片表面的铂‑稀土合金薄膜，所述铂‑稀土合金薄膜中，稀土元素的摩尔百分比为1mol％～60mol％，铂的摩尔百分比为40mol％～99mol％。本发明提供的一种室温高自旋霍尔角铂‑稀土薄膜材料及其制备方法，简单可行，制得的铂‑稀土薄膜相对于纯铂薄膜的室温下的自旋霍尔角度显著增加，室温自旋扩散长度减小；与纯铂金材料的自旋霍尔效应相比，自旋流的产生效率增加，成本降低，可实现在大面积半导体晶圆片上的均匀制备，为巨自旋霍尔材料的大面积制备与研究提供了一种新的方法。
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公开(公告)号：CN110078492B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201910362184.9
申请日：2019-04-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种镁铁氧体基低损耗磁介材料，属于电子材料领域。所述磁介材料是以镁铁氧体作为基础材料，采用镨掺杂进行改性得到的，镨掺杂的镁铁氧体材料为Mg1‑xCdxFe2‑yPryO4尖晶石铁氧体材料，其中，x取值为0.1～0.3，y取值为0.02～0.08。本发明磁介材料利用Pr离子的改性，调节材料的磁性能和介电性能，实现了低温烧结和磁介近似相等，同时材料的合成工艺控制晶粒生长均匀，材料具有较低的磁损耗参数，在1MHz～30MHz的频率范围内具有等磁介性和低损耗性；该磁介材料作为天线基板材料时，可很好地实现天线的小型化，且有利于提高微带天线的辐射效率和带宽，为小尺寸无线通信设备的设计提供了新的方案。
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公开(公告)号：CN113345957A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110557067.5
申请日：2021-05-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/66 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种基于载流子调控的自旋波场效应晶体管，属于量子自旋波器件领域。所述自旋波场效应晶体管包括基片，形成于基片上的底电极层和自旋波场效应结构，以及形成于自旋波场效应结构上的顶电极层和微波天线。该器件通过上下电极在垂直方向施加电压，使得半导体薄膜表面出现反型层，该反型层与磁性薄膜中自旋波传播平面密切接触，利用局部电压调整反型层中载流子浓度并对自旋波产生影响，实现对自旋波传输特性的电场调控。本发明中的自旋波器件功耗低、结构简单，与现有技术相比具有稳定可靠的随电场响应优势，半导体薄膜反型层厚度和载流子浓度随电场响应技术十分成熟，实现与现代半导体工艺技术相互兼容。
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公开(公告)号：CN113327749A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110495650.8
申请日：2021-05-07
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于无源集成器件技术领域，具体提供一种感值随工作电流变化的片上磁芯功率电感，应用于开关电源中，以解决开关电源无法同时保持低纹波电流与良好的瞬态响应性能力的问题，且不需要引入额外的元器件或控制电路。本发明中，各向异性磁芯膜采用[绝缘层/下缓冲层/下反铁磁层/下铁磁层/上缓冲层/上铁磁层/上反铁磁层]n多层膜结构，利用磁芯膜层间反平行的交换偏置场作用，使磁芯膜在低场时磁导率较低、高场时磁导率较高；因此，当电感的直流偏置较高时，电感具备较大感值，从而降低了纹波电流；而当电源处于开启(关断)状态时，此时电感上的电流值较小，感值较低，提升了瞬态响应能力。
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公开(公告)号：CN113239604A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110532392.6
申请日：2021-05-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F30/25 , G06F111/10
Abstract: 本发明提供了一种磁路优化方法，属于磁路设计技术领域。采用对磁路进行数学建模的方式建立磁路优化问题，并采用多目标粒子群算法对优化问题进行求解，得到优化问题的帕累托最优解集，从解集中挑选符合要求的解作为磁路的最优解。与传统方法相比，本发明能挑选出不被支配的帕累托最优解，避免盲目进行费时费力的三维电磁仿真，大大加快磁路的设计时间，并且能实现更优的磁化强度水平和更低的电流水平。
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