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公开(公告)号：CN114239654B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202111548498.1
申请日：2021-12-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F18/2431 , G06F18/10 , G06F18/213 , G06F18/214 , G06N5/01 , G06N20/20
Abstract: 本发明涉及热释电检测的温度识别分类领域，具体为一种基于双波段热释电器件的温度识别分类方法。本发明根据双波段热释电器件输出的双波段特性，利用目标黑体不同温度可映射不同双波段比值的特点，将双波段比值作为该信号的主要特征，再额外加上时域和频域的一部分特征作为该信号的特征集，从而对信号的主要特征提取完毕；并与机器学习相结合，进而达到良好的温度识别分类效果。本发明易于实现且能达到良好的分类效果，有效解决了现有的温度识别分类方法受限于各自类别使得普适性较低的问题，且可以应用于其他领域，为其他领域的发展提供新的思路。
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公开(公告)号：CN115605026A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211288678.5
申请日：2022-10-20
Applicant: 电子科技大学(CN)
Abstract: 本发明属于电子器件领域，具体涉及一种可直接实现权重差分的无源忆阻交叉阵列器件。本发明基于缺陷分布对阻变方向进行调控，发明了一种新的无源忆阻交叉阵列器件，通过对忆阻交叉阵列中相邻两行忆阻单元输入相反极性的读电压直接进行权重差分。本发明大幅降低了外围电路的复杂度，不再需要依赖减法电路进行权重差分；同时，也不再依赖三极管进行多阻态设置，通过不同的外部电压脉冲刺激，可分别在相反的读电压下读取多个稳定且可区分的电阻状态，进一步降低了外围电路的复杂度，这使得整个系统的能耗将进一步降低。本发明大幅降低了整个神经网络计算过程的能耗，可直接用于后续基于忆阻器的神经网络计算中。
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公开(公告)号：CN114639635A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210266884.X
申请日：2022-03-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/78 , H01L21/265 , H03H3/02 , H03H3/08
Abstract: 本申请提供一种单晶薄膜的剥离方法、单晶薄膜以及电子元器件，用于解决现有技术中剥离时裂片的技术问题。其中的一种单晶薄膜剥离方法，包括：获取支撑衬底；获取离子注入后的薄膜晶圆，所述离子注入后的薄膜晶圆包括薄膜层、离子注入层以及余质层；对所述支撑衬底和所述离子注入后的薄膜晶圆进行处理，得到经处理的键合体；其中，所述经处理的键合体具有磁致伸缩特性；对所述经处理的键合体进行热处理，得到经热处理的键合体；其中，所述热处理的温度低于所述离子注入层完全气化并使所述离子注入后的薄膜晶圆剥离的临界温度；对所述经热处理的键合体施加磁场，使得所述经热处理的键合体产生应力，以使所述余质层从所述薄膜层剥离。
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公开(公告)号：CN114279491A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111390502.6
申请日：2021-11-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01D21/02
Abstract: 本发明属于电子信息技术领域，具体涉及一种基于忆阻交叉阵列的传感器信号注意力权重分配方法。本发明通过对信息系统的传感单元以一一对应的方式配置忆阻单元，充分利用了忆阻单元的电导值在外界的电压脉冲的不断刺激下会发生单调性变化的特点，忆阻交叉阵列中以电导值存储的注意力权重可直接用于后续基于忆阻交叉阵列的矩阵运算中；实现了一种依据传感阵列中传感单元接受到外界刺激的数量与强度进行传感单元注意力权重分配的方法，极大地简化了注意力权重分配的方法，大幅降低了注意力权重的计算的复杂度，不再需要依赖计算机软件进行计算。而且，注意力权重的分配可以随着传感器实时接收到的刺激而发生实时变化。
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公开(公告)号：CN109995340B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN201910187177.X
申请日：2019-03-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种空腔型体声波谐振器及其制备方法，其特征在于：包括如下步骤：取经过离子注入并具有底电极的压电单晶晶圆以及具有空腔的衬底，将所述压电单晶晶圆的具有底电极的一侧与所述衬底的具有空腔的一侧键合，键合后对其进行热处理，使所述压电单晶晶圆的薄膜剥离，再在所述压电单晶晶圆的剥离后的一侧生产顶电极，即得。本发明所述的空腔型体声波谐振器的制备方法，不需要生长牺牲层，不对薄膜进行刻蚀开孔，其器件机械强度提高，不易对薄膜产生损伤；空腔结构在成膜前形成，成品率较高，且不会有成膜后刻蚀遗留的残渣，不需要考虑释放不完全对器件造成的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110224685B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201910393152.5
申请日：2019-05-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种单晶薄膜体声波滤波器的微细加工方法，包括如下步骤：采用晶圆键合转移方法制备单晶压电薄膜材料，所述单晶压电薄膜材料包括自上而下依次设置的表面损伤层、表面粗糙层、频率调控层、压电层，去除所述表面损伤层，去除所述表面粗糙层，调节所述频率调控层的厚度，即可。本发明所述的单晶薄膜体声波滤波器的微细加工方法，实现了对单晶压电薄膜结构的厚度以及表面形貌的精准控制，从而使得在提高单晶压电薄膜的结构与压电性能的同时，也实现对单晶薄膜体声波滤波器频率的精确控制，最终实现对薄膜体声波滤波器的中心频率的精准调频。
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公开(公告)号：CN112953454A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110280164.4
申请日：2021-03-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于单晶薄膜器件的设计与制备领域，具体涉及一种高频、低损耗的声表面波谐振器及其制备方法。本发明通过采用特殊切向的薄膜压电材料，激发出特定模态的高声速声表面波，实现了高机电耦合系数的同时，也提升了谐振频率；并配合双层的声反射结构，就有效的抑制高声速声表面波向体方向的泄露，将声表面波的能量限制在压电薄膜，提升了器件Q值。相较多层布拉格反射层的抑制能量泄露方式，本发明降低了反射层层数，既保证了反射层具有较好的质量，也避免了逐层生长薄膜质量差对谐振器产生的不良影响，同时降低了制备材料和/或工艺成本。
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公开(公告)号：CN111933749A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010765348.5
申请日：2020-08-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/101 , G01J5/34
Abstract: 本发明属于红外传感器的研究领域，涉及一种单晶热释电薄膜多元红外传感器件的制备方法。本发明选用NiCr合金作为上电极和吸收层时的同时，利用“单晶热释电薄膜与NiCr合金膜的刻蚀速率差异”将其作为刻蚀掩膜实现多元红外传感器件的制备。本方法仅需一次光刻即可完成多元器件的微细加工，减少单晶薄膜多元器件光刻次数，避免了多次光刻中光刻胶均匀性、对准精度控制等难题；单晶薄膜刻蚀完成后剩余的NiCr合金膜用作上电极和吸收层，无需去除；并且通过干法刻蚀使NiCr合金膜产生粗化效应，减少其对红外光的反射作用，提高NiCr合金膜对红外辐射的吸收，进而提高器件性能。
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公开(公告)号：CN109541745B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201811529297.5
申请日：2018-12-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明提供一种耦合区改进型的微环谐振器及其制作方法，属于集成光学领域。该器件包括衬底1、键合层2、直波导4、介质层6、跑道型波导7，所述键合层2设置于衬底1上方，所述介质层6设置于键合层2上方，所述直波导4设置于介质层6中，所述跑道型波导7的直道部分在直波导4的正上方，其特征在于，还包括埋槽3，所述埋槽3设置于耦合区中的键合层2内，并位于直波导4的正下方，埋槽3的折射率小于衬底1的折射率。本发明中所采用埋槽结构，既可以减少光场在传输过程中的泄露损耗，又可以促使光场向其他介质转移，进而提高耦合效率，还具有在脊形波导中促进模式从多模向模式减少进行变化的优势。
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公开(公告)号：CN111367014A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010169576.6
申请日：2020-03-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种用于光互联的具有模斑转换功能的片上边缘耦合器，用于光学器件边缘实现光互联，例如用于将光纤耦合到光学微环谐振器。本发明通过采用的的双层正反双锥的过渡结构，使得光场从包层向芯层脊形和平板层过渡时，尽可能的减少了因单一方向的芯层平板层结构变宽所产生的高阶模式所导致的在包层中的光场残留，并且第四细长区域所采用的芯层平板层404和芯层脊形405采用相同变宽趋势，可以更好的实现光场变换。最终本发明器件结构从光纤发射的大模斑直径的光场逐渐转移到片上光学器件的脊型波导中，过渡平缓，经计算最终耦合效率可达到92％。
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