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    一种铁电-铁磁复合材料及其制备方法
    33.
    发明授权
    一种铁电-铁磁复合材料及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN104987056B

    公开(公告)日：2018-01-12

    申请号：CN201510387961.7

    申请日：2015-06-30

    申请人： 电子科技大学

    发明人： 李颉 ,  张怀武 ,  李元勋 ,  廖宇龙 ,  李强 ,  郁国良

    IPC分类号： C04B35/26 ,  C04B35/495 ,  C04B35/475 ,  C04B35/462 ,  C04B35/622

    摘要： 一种新型的铁电‑铁磁复合材料及其制备方法，属于电子材料技术领域。包括铁磁相和铁电相，铁磁相的含量为30～99wt％，铁电相的含量为1～70wt％；铁磁相为改性的NiCuZn铁氧体，主要成分及含量为：氧化铁65～68wt％，氧化亚镍7～10wt％，氧化锌17～19wt％，氧化铜6～8wt％，碳酸锂0.5～1.5wt％，五氧化二钒2～4wt％；铁电相为铋系类钙钛矿铁电陶瓷，通式为An‑1Bi2BnO3n+3，A为Bi、Nd、Sm、W中的一种或两种，B为Ti、V中的一种或两种，n＝1～5。本发明在无需添加烧结助剂的情况下实现材料在低温下的高致密化，既能很好地适应LTCC工艺，又能在一定程度上减少磁性能和介电性能的损失。

    基于正六边形半模基片集成波导及CSR结构的电调谐滤波器
    34.
    发明公开
    基于正六边形半模基片集成波导及CSR结构的电调谐滤波器 有权 转让

    公开(公告)号：CN107546451A

    公开(公告)日：2018-01-05

    申请号：CN201710584069.7

    申请日：2017-07-18

    申请人： 电子科技大学

    发明人： 徐自强 ,  谭力 ,  王晓薇 ,  吴孟强 ,  廖家轩 ,  夏红 ,  李元勋

    IPC分类号： H01P3/12 ,  H01P1/208 ,  H03H11/46

    摘要： 本发明属于微波毫米波技术领域，涉及基于正六边形半模基片集成波导及CSR结构的电调谐滤波器，该滤波器结合正六边形半模基片集成波导的基础上并增加互补方形螺旋谐振环(CSR)，在基片集成波导中降低谐振频率不易实现，采用互补螺旋谐振环，可使得谐振频率急剧减小，从而使得外部半模基片集成波导的尺寸大大减小；而在外加偏置电压的作用下，通过变容二极管作为调谐元件，使得滤波器的中心频率和带宽连续可调谐；正六边形谐振腔结构有比矩形谐振腔具有更高的无载品质因数，因此用六边形结构比用矩形结构制作的滤波器具有更小的插入损耗，本发明可以改进互补螺旋谐振环的大小来控制不同的频段的连续可调，具有广泛的应用市场。

    Bi代LiZnTiMn旋磁铁氧体基板材料的制备方法
    36.
    发明公开
    Bi代LiZnTiMn旋磁铁氧体基板材料的制备方法 有权 复审申请

    公开(公告)号：CN105884342A

    公开(公告)日：2016-08-24

    申请号：CN201610098871.0

    申请日：2016-02-23

    申请人： 电子科技大学

    发明人： 贾利军 ,  赵元沛 ,  解飞 ,  张怀武 ,  李元勋

    IPC分类号： C04B35/26 ,  C04B35/622

    摘要： 一种Bi代LiZnTiMn旋磁铁氧体基板材料的制备方法，属于磁性材料制备技术领域。所述旋磁铁氧体基板材料采用氧化物烧结制备工艺，经过配料、球磨、氧气氛预烧、二次球磨、造粒成型、烧结过程，控制晶粒均匀致密生长，实现了Bi代LiZnTiMn铁氧体在低温(880～920℃)下的烧结。本发明制备得到的Bi代LiZnTiMn旋磁铁氧体具有低烧结温度、低介电损耗、窄铁磁共振线宽、高饱和磁感应强度和高矩形比。

    一种带状线式铁氧体移相器
    37.
    发明公开
    一种带状线式铁氧体移相器 失效

    公开(公告)号：CN105449319A

    公开(公告)日：2016-03-30

    申请号：CN201510970286.0

    申请日：2015-12-21

    申请人： 电子科技大学

    发明人： 杨青慧 ,  郑向闻 ,  安照辉 ,  李元勋 ,  张怀武 ,  董师伶 ,  郁国良

    IPC分类号： H01P1/18

    CPC分类号： H01P1/181

    摘要： 一种带状线式铁氧体移相器，属于微波通信器件领域。自下而上依次为第一铁氧体层、第一介质层、第二介质层和第二铁氧体层，铁氧体移相器中心开一通孔，以通孔为中心的四个方向上分别为激励线圈结构、第一单元结构、第二单元结构和第三单元结构，所述单元结构包括位于第一介质层和第二介质层之间的带状线结构以及贯穿铁氧体移相器的金属柱。本发明带状线式铁氧体移相器在兼顾插入损耗和平均功率方面的优异性能的同时，能显著减小铁氧体移相器的体积，实现与有源电路的集成；且无需考虑介质材料与铁氧体材料的匹配问题，大大减小了工艺难度；将三个移相器单元集成于一个移相器空间内，增加了集成度，提高了磁化线的利用率。

    一种微带天线有机复合基板材料及其制备方法
    38.
    发明公开
    一种微带天线有机复合基板材料及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN104193224A

    公开(公告)日：2014-12-10

    申请号：CN201410431104.8

    申请日：2014-08-28

    申请人： 电子科技大学

    发明人： 苏桦 ,  张天水 ,  唐晓莉 ,  张怀武 ,  荆玉兰 ,  李元勋

    IPC分类号： C04B26/18 ,  C04B35/26 ,  C04B35/622

    摘要： 本发明提供了一种微带天线有机复合基板材料及其制备方法，属于电子材料技术领域。所述有机复合基板材料由主相材料和辅助相材料按质量百分数比为100：(80～120)复合而成，所述主相材料为Co2Z型六角铁氧体，配方分子式为(Ba1-xSrx)3Co2Fe24O41，其中x的取值范围为0～0.5，所述辅助相材料为聚四氟乙烯树脂。其制备方法包括：1)称料、混料、一次球磨后烘干；2)预烧；3)二次球磨，烘干；4)复合，烘干；5)热压成型。该方法操作简便，成本低；得到的复合基板材料在100MHz～1GHz频率范围内具有较高的磁导率和介电常数，同时其磁损耗和介电损耗也都较低；得到的基板的柔韧性和均匀性都较好。

    低成本低介低损耗LTCC微波陶瓷材料及其制备方法
    39.
    发明公开
    低成本低介低损耗LTCC微波陶瓷材料及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN103771842A

    公开(公告)日：2014-05-07

    申请号：CN201410012814.7

    申请日：2014-01-10

    申请人： 电子科技大学

    发明人： 苏桦 ,  陈华文 ,  唐晓莉 ,  张怀武 ,  荆玉兰 ,  李元勋 ,  刘保元

    IPC分类号： C04B35/16 ,  C04B35/622

    摘要： 本发明提供一种以(Zn1-xCox)2SiO4，0.05≤x≤0.1为主晶相组成的低成本低介低损耗LTCC微波陶瓷材料及其制备方法。该陶瓷材料在硅锌矿结构的Zn2SiO4基础上进行了适量Co2+的替代，采用LBSCA玻璃助烧降低烧结温度，可实现900℃低温烧结，制备得该微波陶瓷材料介电常数εr为6.1～6.6，具有极低微波损耗、品质因数Q×f值均在30000GHz以上、最高可达到56939GHz，谐振频率温度系数τf约为-55ppm/℃；其制备方法以Co2O3、ZnO、SiO2原料，依次进行称料、一次球磨、烘料、预烧、掺杂、二次球磨、烘料、造粒、成型、烧结工艺；生产原料便宜、生产成本低、制备工艺简单。该微波陶瓷材料在作为LTCC微波介质基板或器件材料时，可以显著降低微波器件或模块的损耗。

    一种用于太赫兹波调制的结构材料
    40.
    发明公开
    一种用于太赫兹波调制的结构材料 无效

    公开(公告)号：CN101943803A

    公开(公告)日：2011-01-12

    申请号：CN201010218977.2

    申请日：2010-07-07

    申请人： 电子科技大学

    发明人： 文岐业 ,  张怀武 ,  杨青慧 ,  刘颖力 ,  李元勋

    IPC分类号： G02F1/00

    摘要： 一种用于太赫兹波调制的结构材料，属于电子技术领域。该结构材料包括介质基板(2)和附着于介质基板(2)表面的电磁共振器阵列(1)；其中介质基板(2)是对太赫兹波高度透明的介质材料基板，电磁共振器阵列(1)是由多个相同形状和尺寸的电磁共振器单元构成的阵列，且每个电磁共振器单元由沉积于介质基板(2)表面的二氧化钒薄膜形成。本发明采用对太赫兹波高度透明的介质材料作为基板，具有非常小且稳定的太赫兹波吸收损耗；采用高速相变材料一二氧化钒薄膜制作电磁共振器阵列，借助于热或激光调制，通过激发二氧化钒薄膜的相变来实现太赫兹波的调制。相对于现有的基于金属电磁共振器阵列的太赫兹调制器，本发明具有更大的调制深度。