公开(公告)号：CN111284361B

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN201911241373.7

申请日：2019-12-06

Applicant: 矢崎总业株式会社

Inventor： 大石英一郎 ,  杉村一男 ,  椿和也 ,  森本充晃

IPC: B60L58/10 ,  B60L58/19 ,  B60L3/00 ,  B60L3/04

Abstract: 本发明提供能够在外部充电器的输入电压不同时恰当地充电的电源系统。充电切换部(40)是能够切换成串联电路或并联电路的继电器，该串联电路将第一高压电池(11)和第二高压电池(12)串联连接，该并联电路将第一高压电池(11)和第二高压电池(12)并联连接。在输入电压为第一电压(例如400V左右)时，控制部(50)控制充电切换部(40)形成并联电路，将从快速充电器(2)供给的电力向第一高压电池(11)和第二高压电池(12)充电。在输入电压是比第一电压(例如400V左右)高的第二电压(例如800V左右)时，控制充电切换部形成串联电路，将从超快速充电器(3)供给的电力向第一高压电池和第二高压电池充电。

公开(公告)号：CN111201152B

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN201880066012.0

申请日：2018-07-18

Applicant: 矢崎总业株式会社

Inventor： 森本充晃 ,  大石英一郎

IPC: B60L3/00 ,  H02J1/00 ,  H02J7/00 ,  H02H3/08 ,  H02H7/20 ,  H02H9/00 ,  B60W10/26 ,  B60W20/50

Abstract: FET(11)使上游侧电源电路(101a)为通电状态，使上游侧电源电路(101a)为切断状态。FET(12)使下游侧电源电路(101b)为通电状态，使下游侧电源电路(101b)为切断状态。FET(13)与电容器(C)并联连接，通过导通而使电容器(C)的阳极与阴极为通电状态，通过截止而使阳极与阴极为切断状态。控制部(50)通过使FET(11)和FET(12)导通，且使FET(13)截止，从而使电源电路(101)为通电状态。控制部(50)在电源电路(101)的通电状态中被输入了预先确定的放电请求的情况下，使FET(11)截止，且使FET(12)和FET(13)导通。根据该结构，半导体继电器控制装置(1)能够在异常时恰当地处置电源电路(101)。

公开(公告)号：CN114121874A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110982873.7

申请日：2021-08-25

Applicant: 矢崎总业株式会社

Inventor： 森本充晃 ,  杉村一男 ,  椿和也 ,  大石英一郎 ,  重实泰行

IPC: H01L23/498 ,  H01L25/07

Abstract: 本发明提供一种能够使部件适当地通用化的半导体模块。在半导体模块中，半导体芯片(10)在对置的一对表面中的一个表面设置漏极部(D)，在另一个表面设置源极部(S)和栅极部(G)。基板(20)包括能够传输电源电力的三个电源用图案(23)以及能够传输控制信号的至少两个信号用图案(22)。三个电源用图案(23)和两个信号用图案(22)都沿着第一方向(X)彼此平行地延伸。三个电源用图案(23)中，两个电源用图案(23)能够安装半导体芯片(10)且能够与该安装的半导体芯片(10)的漏极部(D)连接，剩余的一个电源用图案(23)能够与半导体芯片(10)的源极部(S)连接。两个信号用图案(22)能够与半导体芯片(10)的栅极部(G)连接。

公开(公告)号：CN111033288B

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN201880052607.0

申请日：2018-05-22

Applicant: 矢崎总业株式会社

Inventor： 森本充晃 ,  大石英一郎

IPC: G01R31/52 ,  G01R31/50

Abstract: 桥式电路(10)中，形成有电阻(R1)与电阻(R2)串联连接且电阻(R2)与电阻(R4)串联连接的串联电路(11)。而且，桥式电路(10)中，串联电路(11)与负载部(R3)并联连接，电阻(R5)的一端连接在电阻(R2)与电阻(R4)之间，电阻(R5)的另一端连接在电阻(R1)与负载部(R3)之间。而且，桥式电路(10)中，电压供给部(20)连接在电阻(R1)与电阻(R2)之间。控制部(40)基于通过在断开开关(3)的状态下从电压供给部(20)施加电压(V)而检测出的桥式电路(10)的检测电压来检测负载部(R3)的异常。通过该结构，异常检测装置(1)能够在抑制大型化的基础上检测异常。

公开(公告)号：CN108023583B

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN201711017831.X

申请日：2017-10-26

Applicant: 矢崎总业株式会社

Inventor： 森本充晃

IPC: H03K17/567 ,  G01R31/327

Abstract: 提供一种在判定半导体开关的故障的情况下能够抑制大型化的半导体开关控制装置。半导体开关控制装置(1)包括：将在高电压电池(HV)与高电压负载(2)之间双向流动的电流接通或者断开的双向断开电路(10)；用于检测双向断开电路(10)的电压的电阻R；对施加在电阻(R)的电压进行检测的第一电压检测部(30)；和根据由第一电压检测部(30)检测出的第一检测电压(Vd)来判定双向断开电路(10)的故障的控制部(50)。双向断开电路(10)具有：源极端子彼此串联连接的FET(10B)和FET(10A)；源极端子彼此串联连接的FET(10D)和FET(10C)。电阻(R)的一端在FET(10B)和FET(10A)的源极端子间连接，另一端在FET(10D)和FET(10C)的源极端子间连接。

公开(公告)号：CN111469783A

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN201911378668.9

申请日：2019-12-27

Applicant: 矢崎总业株式会社

Inventor： 森本充晃 ,  杉村一男 ,  椿和也 ,  大石英一郎

IPC: B60R16/023 ,  B60R16/03 ,  B60R16/033

Abstract: 本发明提供一种能够提高耐故障性的电源装置。FET(Q1)使电源电路中的从一侧流来的电流接通或切断。电流传感器(33a)检测在FET(Q1)中流过的电流。FET(Q2)与FET(Q1)连接，将电源电路中的从另一侧流来的电流接通或切断。电流传感器(34a)检测在FET(Q2)中流过的电流。连接部(35)将负载部(2)连接在FET(Q1)以及FET(Q2)之间。在多个开关单元(30)中，各CPU(36)基于利用各电流传感器(33a)检测到的检测结果以及利用各电流传感器(34a)检测出的检测结果来控制电源电路的各开关单元(30)。

公开(公告)号：CN108306252B

公开(公告)日：2020-07-21

申请号：CN201810021825.X

申请日：2018-01-10

Applicant: 矢崎总业株式会社

Inventor： 森本充晃

IPC: H02H3/08 ,  G01R19/25 ,  H03K17/687

Abstract: 本发明在于提供一种能够恰当地截断过电流且保护电路的半导体开关控制装置。半导体开关控制装置(1)包括：控制部(40)，检测负载电流的模拟信号，将所检测到的模拟信号转换为数字信号，基于所转换的数字信号判定过电流；短路检测部(50)，检测负载电压的模拟信号，不将所检测到的模拟信号转换为数字信号而基于该模拟信号检测过电流；以及驱动部(20)，基于通过控制部(40)判定的过电流的判定结果或者通过短路检测部(50)检测的过电流的检测结果驱动FET(10)。

公开(公告)号：CN110412332A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201910340956.9

申请日：2019-04-25

Applicant: 矢崎总业株式会社

Inventor： 森本充晃 ,  大石英一郎

IPC: G01R19/00 ,  H02M3/158

Abstract: 本发明提供能够正确地对流向两个方向的电流进行检测的电流检测装置以及电源装置。电源装置(30)具备电流传感器(31)以及控制部(32)。电流传感器(31)输出与流过双向电路(E)的通电电流对应的检测电压，该双向电路E中电流能够向正向(P1)以及与该正向(P1)相反方向的负向(P2)通电。控制部(32)基于从电流传感器(31)输出的检测电压来求出通电电流。控制部(32)例如基于基准电压和电流流过双向电路(E)的通电状态时输出的检测电压的差值的绝对值来求出通电电流，基准电压是在双向电路(E)中没有电流流过的非通电状态时输出的检测电压。

公开(公告)号：CN107565518B

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201710516844.5

申请日：2017-06-29

Applicant: 矢崎总业株式会社

Inventor： 森本充晃 ,  大石英一郎

IPC: H02H7/20 ,  H02H1/00

Abstract: 提供一种能够准确判定半导体开关的温度状态的半导体开关控制装置。半导体开关控制装置(1)的FET(12)与FET(11)相邻配置，源极端子彼此串联连接，FET(12)的漏极端子与高电压电池(3)连接，FET(11)的漏极端子与高电压负载(2)连接。而且，控制部(50)基于FET(12)的体二极管(D2)的正向电压Vfa，判定包含FET(11)的负侧主继电器(10B)的温度状态。

公开(公告)号：CN107623514A

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201710570445.7

申请日：2017-07-13

Applicant: 矢崎总业株式会社

Inventor： 森本充晃

IPC: H03K17/687

Abstract: 本发明提供一种半导体开关控制装置，其能够在因短路等流有过电流的情况下抑制半导体开关的温度上升且适当地切断电流。半导体开关控制装置(1)包括设置在电池(3)的阳极和负载部(2)之间的FET(11)、设置在电池(3)的阴极和负载部(2)之间的FET(12)，在将比异常电流值大并且比最大电流值小的电流值作为电流限制值的情况下，其中，异常电流值表示流过FET(11)的第1漏极电流是过电流，最大电流值是FET(11)能够允许的第1漏极电流的最大电流值，将限制栅极电压施加在FET(12)，其中，限制栅极电压将第1漏极电流的电流值设定在电流限制值。