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公开(公告)号：CN111952470A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010828294.2
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种掺杂了二氧化硅的CdSe量子点及发光二极管器件的制作方法，首先在ITO玻璃上，在经过对ITO导电玻璃的清洁和臭氧处理之后，利用旋涂工艺在ITO薄膜之上制备PEDOT：PSS层，而后在依次旋涂得到TFB层、CdSe量子点发光层、ZnO电子传输层以及二氧化硅电极，其中的量子点层中特别使用了经过硅烷偶联剂KH550和十八酸改性后的二氧化硅纳米颗粒进行掺杂，最终形成一种掺杂了二氧化硅的CdSe量子点及发光二极管器件。本发明薄膜通过二氧化硅纳米颗粒对CdSe掺杂，保证了在量子点的间隙之间被填充，减少了电子空穴通过该间隙进行复合的可能，在保证载流子浓度的情况下，提高了器件的性能。
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公开(公告)号：CN111952467A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010828201.6
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种基于氧化石墨烯钝化的钙钛矿薄膜及发光二极管器件的制备方法。其首先利用旋涂工艺在ITO薄膜之上制备ZnO薄膜以及PEIE薄膜，随后通过旋涂混合了氧化石墨烯的钙钛矿前驱体溶液，使得在已经形成的ZnO/PEIE薄膜之上形成一层基于氧化石墨烯钝化的钙钛矿薄膜发光层，再利用旋涂工艺在钙钛矿薄膜上制备空穴传输层，并利用蒸镀技术热蒸发氧化钼和金，最终形成一种基于氧化石墨烯钝化的钙钛矿薄膜发光二极管器件。由于这种薄膜通过氧化石墨烯对FAPbI3这种钙钛矿的掺杂混合，钝化了钙钛矿的表面缺陷，并且在一定程度上阻止其发生相变，从而使得这一类型的发光二极管具有高亮度、高外量子效率的优点。
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公开(公告)号：CN108277683B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201810063395.8
申请日：2018-01-23
Applicant: 福州大学
IPC: D21H15/10 , D21H13/34 , D21H11/00 , D21C5/00 , D21H21/30 , D21H17/34 , D21F13/00 , C09K11/88 , C09K11/02
Abstract: 本发明公开了一种基于蛋白纤维或细胞纤维素的柔性荧光纸的制备方法，利用蚕丝以及细胞纤维素进行处理简单的处理，形成一维蛋白纤维或细胞纤维素；随后将其分散在CdSe量子点溶液中，使CdSe量子点附着在一维蛋白纤维或细胞纤维素上；然后再用PVP材料对负载在一维蛋白纤维或细胞纤维素上的量子点进行包覆；最后使用真空抽滤、真空烘干等工艺制备出可以发出各种荧光的荧光纸。本发明制得的荧光纸机械强度较高，可弯曲折叠等并且具有较高的发光性能，相比于传统的反光类材料有较广的警示视角，可以应用特殊服饰、指示和警示领域并取代反光类的贴纸材料。
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公开(公告)号：CN108232042A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810065630.5
申请日：2018-01-23
Applicant: 福州大学
CPC classification number: H01L51/56 , H01L51/0003 , H01L51/502
Abstract: 本发明涉及一种贵金属/SiO2复合粒子与半导体量子点混合量子点发光二极管器件的制备方法。利用简单的旋涂成膜工艺技术，在图案化的ITO玻璃衬底上，分别旋涂空穴注入层PEDOT:PSS、空穴传输层、贵金属/SiO2复合粒子‑半导体量子点混合量子点层、电子传输层，再通过磁控溅射蒸镀电极以及封装工艺，最终制备出贵金属/SiO2复合粒子与半导体量子点混合量子点发光二极管器件。利用金属等离子体激元增强效应提升半导体量子点周围的电场强度，从而有效提升在电致发光发光层载流子复合的利用效率，使得半导体量子点电致发光强度和发光效率剧增。
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公开(公告)号：CN108190959A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201810061274.X
申请日：2018-01-23
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于熔融碱金属液插入剥离制备单层硫化钼的方法，利用溶剂热法，在反应釜中，以MoS2粉末为前驱体，熔融碱金属（锂、钠、钾）为溶剂，在高纯氩气的保护下，将碱金属离子嵌入到MoS2层之间，通过缓慢加入去离子水超声、离心工艺去除未反应的MoS2，得到嵌锂的单层MoS2纳米材料，再通过加入丙酮离心清洗若干次，最后通过去离子水超声处理制备出了高纯度的单层结构的MoS2纳米材料。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单、充分利用碱金属嵌入MoS2纳米材料，从而有效提高单层硫化钼的产率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108130085A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201810063616.1
申请日：2018-01-23
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种贵金属/SiO2复合粒子-半导体量子点叠层量子点发光薄膜。在ITO玻璃衬底上，组装单层金属纳米颗粒核作为等离子激元增强中心，并在金属纳米颗粒外包SiO2壳作为隔离层；以CuInS/ZnS量子点半导体量子点作为光致发光中心。利用旋涂工艺制备贵金属/SiO2复合粒子-半导体量子点叠层量子点发光薄膜，最后通过有机物旋涂、封装工艺，最终制备出所述量子点发光薄膜。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，成为最有可能提高半导体量子点处光场强度，提升激发光利用效率，从而最终提升半导体量子点发光光学膜整体发光性能的最有效方法。
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公开(公告)号：CN107123753A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710337753.5
申请日：2017-05-15
Applicant: 福州大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/0001 , H01L51/56
Abstract: 本发明针对器件的薄膜封装领域中，原子层沉积（ALD）成膜致密，但速率较慢的问题，提出了一种新的薄膜封装方法，其步骤包括：第（1）步，采用原子层沉积方法在衬底沉积第一无机阻隔层；第（2）步，采用物理气相沉积方法在第（1）步制备的无机阻隔层上沉积第二无机阻隔层；第（3）步，采用原子层沉积方法在第（2）步沉积的无机阻隔层上沉积第三无机阻隔层；第（4）步，制备有机阻隔层，形成周期性结构阻隔层；第（5）步，重复第（2）~（4）步骤，形成具有多个周期的薄膜封装结构。本发明结合ALD和其他常用薄膜沉积方式，具有成膜致密、成膜速率高等优点。
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公开(公告)号：CN104882542B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201510281381.X
申请日：2015-05-28
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于金属/有机壳核量子点‑半导体量子点复合结构光控薄膜晶体管的制备方法，利用旋涂成膜工艺技术，在硅/二氧化硅衬底上，制备出金属/有机壳核量子点‑半导体量子点复合膜层，再通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术金属/有机壳核量子点‑半导体量子点复合导电沟道层分别形成Cr/Au复合金属电极，引出相应的源极和漏极，再通过旋涂有机物实现对量子点沟道的有效封装和保护，从而制备出新型的基于金属/有机壳核量子点‑半导体量子点复合结构光控薄膜晶体管。本发明制备方法新颖，制作成本低且工艺简单，同时可充分利用金属量子点等离子体激元对于光场增强调控作用、复合量子点膜层的量子尺寸效应，从而有效提高光控栅极晶体管的灵敏度。
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公开(公告)号：CN104409776B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201410237605.2
申请日：2014-05-31
Applicant: 福州大学
IPC: H01M10/058
Abstract: 本发明公开了一种基于3D打印技术制备阴阳极同轴锂离子电池的方法，以氧化锰、聚偏氟乙烯、磷酸铁锂为原料制备出打印墨水，再利用3D打印技术，采用同轴套管打印头制备出以磷酸铁锂为阴极材料，以聚偏氟乙烯膜为隔膜，以氧化锰为阳极材料的阴阳极同轴材料，在氩气保护下热处理后得到以磷酸铁锂为阴极材料，以多孔聚偏氟乙烯膜为隔膜，以多孔氧化锰为阳极材料的阴阳极同轴材料，再转移到手套箱内进行封装，最终得到阴阳极同轴锂离子电池。本发明制备方法新颖，工艺简单，精确可控，所制备的材料具有特殊阴阳极同轴结构、大的比表面积，大大缩短了锂离子在材料中的扩散距离，提高了相应的扩散速度，具有较高的离子及电子电导率。
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公开(公告)号：CN104409728B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201410237602.9
申请日：2014-05-31
Applicant: 福州大学
IPC: H01M4/58
Abstract: 本发明涉及一种基于3D打印技术制备锡碳阳极/磷酸铁锂阴极锂离子电池的方法。这种方法主要是分别以锡碳纳米材料、磷酸铁锂溶解到各自溶液中制备出各打印电极墨水，再用3D打印技术打印出以锡碳材料为阳极，磷酸铁锂材料为阴极的电极结构，最后将所制备的电极转移到充满氩气的手套箱中完成对3D复合电极锂离子电池的封装。本发明主要基于3D打印技术制备锡碳阳极/磷酸铁锂阴极锂离子电池的方法，具有制备方法新颖、工艺简单特点；所制备的电极材料具有比表面积大、能量密度高、导电性能良好等优势。在高性能锂离子电池领域有巨大的应用潜力。
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