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公开(公告)号：CN115620983A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202210820424.7
申请日：2022-07-13
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 提供软磁性合金薄带和磁芯，能制造激光划刻处理后的面内应力分布实现了最佳化的、铁损低的磁芯。软磁性合金薄带是由Fe基软磁性合金构成的薄带，其特征在于，具有由在第一方向上形成列的多个激光喷丸痕迹构成并具有在第二方向上相互相邻排列的第一激光喷丸痕迹列和第二激光喷丸痕迹列，当将位于离第一激光喷丸痕迹列和第二激光喷丸痕迹列为相互相等的分离距离的直线设为中间线，将位于构成第一激光喷丸痕迹列的激光喷丸痕迹的中心的周围、且半径为比分离距离短的第一半径的圆设为第一基准圆，将经过中心并与第二方向平行的直线设为基准线，将基准线与中间线的交点处的面内应力设为σ0，将第一基准圆的圆周上的面内应力设为σ1时，满足σ0＜σ1的关系。
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公开(公告)号：CN109196881B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201780025741.7
申请日：2017-04-18
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H04R17/00 , A61B8/14 , H01L41/04 , H01L41/09 , H01L41/113
Abstract: 提供超声波的收发效率高的超声波器件、超声波模块和超声波测量装置。该超声波器件具备：基板，具有第一开口和第二开口；支承膜，设在基板上，并堵塞第一开口及第二开口；发送用压电膜，设在支承膜上，且从基板的厚度方向观察时，设在与第一开口重叠的位置，发送用压电膜在基板的厚度方向上被夹在一对电极之间；以及接收用压电膜，设在支承膜上，且从基板的厚度方向观察时，设在与第二开口重叠的位置，接收用压电膜在基板的厚度方向上被夹在一对电极之间，在基板的厚度方向上，发送用压电膜的厚度尺寸比接收用压电膜的厚度薄。
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公开(公告)号：CN110271287B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201910183903.0
申请日：2019-03-12
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: B41J2/14 , H01L41/047 , H01L41/083 , H01L41/187
Abstract: 本发明提供一种压电特性良好的压电元件以及液体喷出头。压电元件具备：第一电极，其被设置在基体的上方；取向控制层，其含有钛，并且被设置在所述第一电极的上方；压电体层，其具有钙钛矿型的结晶结构，并且被设置在所述取向控制层的上方；第二电极，其被设置在所述压电体层的上方，所述取向控制层的厚度在5.0nm以上且22.0nm以下。
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公开(公告)号：CN102189843B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201110064536.6
申请日：2011-03-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: B41J11/002
Abstract: 本发明提供一种干燥装置，其具备干燥单元，所述干燥单元通过在从输送方向的上游侧向下游侧输送的记录介质的输送路径的途中，从排出口排出加热了的空气，对所述记录介质实施干燥处理，通过构成所述干燥单元的外轮廓的外表面中的、形成有所述排出口并且从该排出口向所述记录介质的输送方向的下游侧以从上方覆盖所述输送路径的方式延伸设置的延伸设置面部，形成能够在比该干燥单元靠所述输送方向的下游侧的位置使从所述排出口排出的所述空气在所述记录介质的表面侧滞留的干燥区域的顶面。
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公开(公告)号：CN102205719B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201110060738.3
申请日：2011-03-10
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: B41J2/045 , B41J2/135 , H01L41/083
CPC classification number: H01L41/183 , B41J2/045 , B41J2/055 , B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1629 , B41J2/1634 , B41J2/1645 , B41J2/1646 , B41J2002/14241 , B41J2002/14419 , B41J2202/03 , H01L41/0973 , H01L41/18 , H01L41/1878
Abstract: 本发明提供具有绝缘性高能够抑制泄漏电流的产生并且对环境负担小的压电元件的液体喷射头、液体喷射装置和压电元件以及压电材料。该液体喷射头包括：压力产生室，其与喷嘴开口连通；和压电元件，其具备压电体层和设置于所述压电体层的电极，所述压电体层是包含铋、铁以及铈的钙钛矿型复合氧化物，所述压电体层包含的铈相对于铋和铈的总量的摩尔比是0.01～0.13。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101954789B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201010231431.0
申请日：2010-07-16
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: B41J2/055 , B41J2/14233 , B41J2002/14241 , B41J2002/14419 , B41J2202/03
Abstract: 本发明提供可提高绝缘性并抑制泄漏电流的发生的具有压电元件的液体喷射头及液体喷射装置以及压电元件。本发明的液体喷射头，具备：压力发生室，其与喷嘴开口连通；和压电元件，其具备第1电极、在上述第1电极上形成的压电体层和在上述压电体层的上述第1电极的相反侧形成的第2电极；其中，上述压电体层具有钙钛矿结构和绝缘性，上述钙钛矿结构的A位和氧位分别具有A位金属和氧原子脱离后的空位，并且在上述空位具有氢原子。
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公开(公告)号：CN101712234B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200910177746.9
申请日：2009-09-25
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L41/18 , B41J2/14233 , B41J2002/14241 , B41J2002/14419 , B41J2002/14491 , B41J2202/03 , H01L41/0973 , H01L41/1876
Abstract: 本发明提供提高了变位特性的液体喷射头及液体喷射装置和执行元件装置。该液体喷射头具有：流路形成基板(10)，其形成有与喷射液滴的喷嘴开口(21)连通的压力发生室(12)；和压电元件(300)，其具备：第1电极(60)、形成在该第1电极(60)上的具有由通式ABO3表示的钙钛矿结构的压电体层(70)、以及形成在该压电体层(70)的与上述第1电极(60)相反侧的第2电极(80)，由于使上述压力发生室(12)产生压力，从上述喷嘴开口(21)喷出液滴；上述压电体层(70)的A位点及B位点具有铅、锆及钛。
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公开(公告)号：CN102180013A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110008111.3
申请日：2011-01-11
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2/055 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1629 , B41J2002/14241 , B41J2002/14419
Abstract: 本发明涉及液体喷射头及液体喷射装置，可降低压电元件的应力集中来抑制压电元件的损坏。具备：沿着短边方向并列设置有与喷嘴开口连通的压力发生室的流路形成基板；和压电元件，其在该流路形成基板的一个面侧与压力发生室对应设置，具有第1电极、在第1电极上设置的压电体层及在压电体层上设置的第2电极，第1电极对应于压力发生室独立设置，并且第2电极遍及压力发生室的并列设置方向连续设置，与压力发生室的并列设置方向交叉的方向上，在压电体层的实质上驱动的活性部和实质上不驱动的非活性部的边界的至少一方边界的活性部侧，在第1电极与第2电极之间设置有介电常数比活性部的中央部低的低电介质层。
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公开(公告)号：CN101676109A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200910173568.2
申请日：2009-09-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2/04581 , B41J2/04588 , B41J2/055 , B41J2002/14241 , B41J2002/1425 , B41J2002/14266 , B41J2002/14419 , H01L41/0973
Abstract: 本发明提供一种能够减小因反复驱动而引起的变位量的变化率，提高耐久性的液体喷射头及液体喷射装置和执行元件装置。该液体喷射头包括：流路形成基板(10)，其形成有与喷射液滴的喷嘴开口连通的压力发生室(12)；和压电元件(300)，其具备：第一电极(60)、形成在该第一电极上的具有由通式ABO 3 表示的钙钛矿构造的压电体层(70)、和形成在该压电体层的与第一电极相反侧的第二电极(80)；上述压电体层具有单斜晶系构造，上述第一电极(60)及上述第二电极(80)之间产生的电场的方向与上述压电体层的极矩的方向所成的角度，比上述压电体层的压电常数为极大时上述电场的方向与上述压电体层的极矩的方向所成的角度大。
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公开(公告)号：CN1238193C
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN03107285.2
申请日：2003-03-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: B41J2/14201 , B41J2202/03 , H01L27/11502 , H01L41/0478 , H01L41/0815 , H01L41/319
Abstract: 本发明提供一种以最佳结构可以实现电子器件各种特性优越的电子器件用基板和具有有关电子器件用基板的电子器件、具有有关电子器件用基板的强电介质存储器、电子器械、喷墨式打印头和喷墨式打印机。本发明的电子器件用基板包括：基板、所述基板上形成的非晶态层、在所述非晶态层上形成并具有与所述基板不同的取向的缓冲层、在上述缓冲层上面形成的导电性氧化物层。缓冲层最好是包含NaCl结构的金属氧化物、萤石型结构的金属氧化物中的一种的金属氧化物，并且，在立方晶体(100)取向以外延生长法生成的物质。
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