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公开(公告)号：CN116666411A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310601769.8
申请日：2013-07-08
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及一种光检测设备。该光检测设备可包括：第一光电二极管；浮置扩散的第一浮置扩散区域，其对应于所述第一光电二极管；第一转移栅极，其对应于所述第一光电二极管；第一阱区域，其对应于所述第一光电二极管；其中，在平面图中，所述第一浮置扩散区域设置在所述第一光电二极管的第一拐角处，并且其中，所述第一阱区域设置在所述第一光电二极管的第二拐角处。
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公开(公告)号：CN116632020A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310604297.1
申请日：2013-07-08
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及一种光检测设备。该光检测设备可包括：第一光电二极管；浮置扩散的第一浮置扩散区域，其对应于所述第一光电二极管；第一转移栅极，其对应于所述第一光电二极管；第一阱区域，其对应于所述第一光电二极管；其中，在平面图中，所述第一浮置扩散区域设置在所述第一光电二极管的第一拐角处，并且其中，所述第一阱区域设置在所述第一光电二极管的第二拐角处。
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公开(公告)号：CN116404018A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310282854.2
申请日：2013-07-08
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及一种光检测设备。该光检测设备可包括：第一、第二、第三和第四光电二极管；第一、第二、第三和第四浮置扩散区域，第一、第二、第三和第四转移栅极，第一、第二、第三和第四阱区域，分别对应于第一、第二、第三和第四光电二极管；以及元件隔离单元，其设置在第一、第二、第三和第四光电二极管之间；其中，在平面图中，第一、第二、第三和第四浮置扩散区域设置在第一、第二、第三和第四光电二极管构成的第一单元的中心部分处，并且其中，所述第一阱区域和所述第二阱区域设置为相对于所述第一光电二极管和所述第二光电二极管之间的通过所述第一单元的中心的直线对称。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106229323A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610628567.2
申请日：2012-02-23
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/146 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/14689
Abstract: 本发明涉及一种固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备，可以提供诸如光学混色减少等特性改善的固态成像装置。此外，提供了使用所述固态成像装置的电子设备。在具有基板(12)和在基板(12)上形成的多个光电转换部其中的元件隔离部(19)。元件隔离部(19)由具有固定电荷的绝缘膜(20)构成，所述绝缘膜形成为包覆沟部(30)的内壁面，所述沟部(30)从基板(12)的光入射侧在深度方向上形成。(40)的固态成像装置中，形成有绝缘膜(21)埋入
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公开(公告)号：CN105405856A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510701319.1
申请日：2012-02-23
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/146 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/14689
Abstract: 本发明涉及一种固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备，可以提供诸如光学混色减少等特性改善的固态成像装置。此外，提供了使用所述固态成像装置的电子设备。在具有基板(12)和在基板(12)上形成的多个光电转换部(40)的固态成像装置中，形成有绝缘膜(21)埋入其中的元件隔离部(19)。元件隔离部(19)由具有固定电荷的绝缘膜(20)构成，所述绝缘膜形成为包覆沟部(30)的内壁面，所述沟部(30)从基板(12)的光入射侧在深度方向上形成。
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公开(公告)号：CN104347658A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410354004.X
申请日：2014-07-23
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/374 , H04N5/378
Abstract: 成像装置包括：光电二极管，构造为执行光电转换并且根据光接收量产生电荷；浮置扩散部，构造为累积光电二极管中产生的电荷；读取电路，构造为输出像素信号，该像素信号具有根据浮置扩散部中累积电荷水平的电压，该读取电路包括一个或多个晶体管，其中每个晶体管的栅极电连接至用于选择像素的配线；以及绝缘部，延伸至浮置扩散部的部分或整个底面中、一个或多个晶体管中源漏区域的部分或整个底面中或者同时延伸至这两者中。光电二极管、浮置扩散部、读取电路以及绝缘部设置在半导体层中。
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公开(公告)号：CN102082154B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201010543913.X
申请日：2010-11-15
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14641 , H01L27/14689
Abstract: 本发明涉及固体摄像器件、其制造方法以及将使用该固体摄像器件的电子装置。所述固体摄像器件包括：具有光电二极管和像素晶体管的像素；在相邻所述光电二极管之间形成的第一隔离区域，该第一隔离区域使用了包含杂质的半导体区域；在所述光电二极管与所述像素晶体管之间形成的第二隔离区域，该第二隔离区域使用了包含杂质的半导体区域；其中，所述第一隔离区域的杂质浓度不同于所述第二隔离区域的杂质浓度。根据本发明，能够提供改善如饱和特性、灵敏度和混色等像素特性的固体摄像器件。
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公开(公告)号：CN101835001B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201010105821.3
申请日：2010-01-28
Applicant: 索尼公司
IPC: H04N5/359 , H04N5/235 , H01L27/146
CPC classification number: H04N5/2353 , H01L27/14656 , H04N5/3591
Abstract: 本发明提供一种固态摄像装置、固态摄像装置的驱动方法以及摄像装置。同时复位像素阵列部的所有像素并开始曝光，在曝光期间内将溢流路径保持为开放的状态。之后，在从关闭机械快门而结束曝光开始到从像素读取信号为止的期间内，降低FD部的电位，转移晶体管(22)的栅极下的沟道的电势由于此时因寄生电容(C)产生的电容耦合而变低。即，通过降低FD部的电位时的电容耦合，将溢流路径向封闭的方向驱动。由此，在使用机械快门来执行所有像素同时曝光时，抑制了越是靠后读取的像素、关闭了机械快门后的像素内的电荷越是减少的现象。
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