公开(公告)号：CN105405856B

公开(公告)日：2019-03-08

申请号：CN201510701319.1

申请日：2012-02-23

Applicant: 索尼公司

Inventor： 柳田刚志 ,  押山到 ,  榎本贵幸 ,  池田晴美 ,  伊泽慎一郎 ,  山本敦彦 ,  太田和伸

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明涉及一种固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备，可以提供诸如光学混色减少等特性改善的固态成像装置。此外，提供了使用所述固态成像装置的电子设备。在具有基板(12)和在基板(12)上形成的多个光电转换部(40)的固态成像装置中，形成有绝缘膜(21)埋入其中的元件隔离部(19)。元件隔离部(19)由具有固定电荷的绝缘膜(20)构成，所述绝缘膜形成为包覆沟部(30)的内壁面，所述沟部(30)从基板(12)的光入射侧在深度方向上形成。

公开(公告)号：CN106229323B

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201610628567.2

申请日：2012-02-23

Applicant: 索尼公司

Inventor： 柳田刚志 ,  押山到 ,  榎本贵幸 ,  池田晴美 ,  伊泽慎一郎 ,  山本敦彦 ,  太田和伸

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/146 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明涉及一种固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备，可以提供诸如光学混色减少等特性改善的固态成像装置。此外，提供了使用所述固态成像装置的电子设备。在具有基板(12)和在基板(12)上形成的多个光电转换部(40)的固态成像装置中，形成有绝缘膜(21)埋入其中的元件隔离部(19)。元件隔离部(19)由具有固定电荷的绝缘膜(20)构成，所述绝缘膜形成为包覆沟部(30)的内壁面，所述沟部(30)从基板(12)的光入射侧在深度方向上形成。

公开(公告)号：CN106067468A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201610639444.9

申请日：2012-02-23

Applicant: 索尼公司

Inventor： 柳田刚志 ,  押山到 ,  榎本贵幸 ,  池田晴美 ,  伊泽慎一郎 ,  山本敦彦 ,  太田和伸

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明涉及一种成像装置和电子设备，可以提供诸如光学混色减少等特性改善的成像装置。此外，提供了使用所述成像装置的电子设备。在具有基板(12)和在基板(12)上形成的多个光电转换部(40)的固态成像装置中，形成有绝缘膜(21)埋入其中的元件隔离部(19)。元件隔离部(19)由具有固定电荷的绝缘膜(20)构成，所述绝缘膜形成为包覆沟部(30)的内壁面，所述沟部(30)从基板(12)的光入射侧在深度方向上形成。

公开(公告)号：CN103403869B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201280009331.0

申请日：2012-02-23

Applicant: 索尼公司

Inventor： 柳田刚志 ,  押山到 ,  榎本贵幸 ,  池田晴美 ,  伊泽慎一郎 ,  山本敦彦 ,  太田和伸

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/359 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L27/146 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明涉及一种固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备，可以提供诸如光学混色减少等特性改善的固态成像装置。此外，提供了使用所述固态成像装置的电子设备。在具有基板(12)和在基板(12)上形成的多个光电转换部(40)的固态成像装置中，形成有绝缘膜(21)埋入其中的元件隔离部(19)。元件隔离部(19)由具有固定电荷的绝缘膜(20)构成，所述绝缘膜形成为包覆沟部(30)的内壁面，所述沟部(30)从基板(12)的光入射侧在深度方向上形成。

公开(公告)号：CN103545329B

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201310280645.0

申请日：2013-07-05

Applicant: 索尼公司

Inventor： 池田晴美 ,  舘下八州志

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明提供一种固态成像装置、制造固态成像装置的方法以及电子设备。该固态成像装置包括半导体基板、每一个均包括形成在半导体基板中的光电转换部的像素、形成在半导体基板中且分隔相邻像素的沟槽以及形成在每个像素的光电转换部之上且埋设在沟槽的至少一部分中的彩色滤光片。

公开(公告)号：CN106229323A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201610628567.2

申请日：2012-02-23

Applicant: 索尼公司

Inventor： 柳田刚志 ,  押山到 ,  榎本贵幸 ,  池田晴美 ,  伊泽慎一郎 ,  山本敦彦 ,  太田和伸

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/146 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明涉及一种固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备，可以提供诸如光学混色减少等特性改善的固态成像装置。此外，提供了使用所述固态成像装置的电子设备。在具有基板(12)和在基板(12)上形成的多个光电转换部其中的元件隔离部(19)。元件隔离部(19)由具有固定电荷的绝缘膜(20)构成，所述绝缘膜形成为包覆沟部(30)的内壁面，所述沟部(30)从基板(12)的光入射侧在深度方向上形成。(40)的固态成像装置中，形成有绝缘膜(21)埋入

公开(公告)号：CN105405856A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201510701319.1

申请日：2012-02-23

Applicant: 索尼公司

Inventor： 柳田刚志 ,  押山到 ,  榎本贵幸 ,  池田晴美 ,  伊泽慎一郎 ,  山本敦彦 ,  太田和伸

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/146 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明涉及一种固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备，可以提供诸如光学混色减少等特性改善的固态成像装置。此外，提供了使用所述固态成像装置的电子设备。在具有基板(12)和在基板(12)上形成的多个光电转换部(40)的固态成像装置中，形成有绝缘膜(21)埋入其中的元件隔离部(19)。元件隔离部(19)由具有固定电荷的绝缘膜(20)构成，所述绝缘膜形成为包覆沟部(30)的内壁面，所述沟部(30)从基板(12)的光入射侧在深度方向上形成。

公开(公告)号：CN104347658A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410354004.X

申请日：2014-07-23

Applicant: 索尼公司

Inventor： 池田晴美 ,  山本敦彦 ,  蛯子芳树 ,  柳田刚志

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/374 ,  H04N5/378

Abstract: 成像装置包括：光电二极管，构造为执行光电转换并且根据光接收量产生电荷；浮置扩散部，构造为累积光电二极管中产生的电荷；读取电路，构造为输出像素信号，该像素信号具有根据浮置扩散部中累积电荷水平的电压，该读取电路包括一个或多个晶体管，其中每个晶体管的栅极电连接至用于选择像素的配线；以及绝缘部，延伸至浮置扩散部的部分或整个底面中、一个或多个晶体管中源漏区域的部分或整个底面中或者同时延伸至这两者中。光电二极管、浮置扩散部、读取电路以及绝缘部设置在半导体层中。

公开(公告)号：CN104347658B

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201410354004.X

申请日：2014-07-23

Applicant: 索尼公司

Inventor： 池田晴美 ,  山本敦彦 ,  蛯子芳树 ,  柳田刚志

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/374 ,  H04N5/378

Abstract: 成像装置包括：光电二极管，构造为执行光电转换并且根据光接收量产生电荷；浮置扩散部，构造为累积光电二极管中产生的电荷；读取电路，构造为输出像素信号，该像素信号具有根据浮置扩散部中累积电荷水平的电压，该读取电路包括一个或多个晶体管，其中每个晶体管的栅极电连接至用于选择像素的配线；以及绝缘部，延伸至浮置扩散部的部分或整个底面中、一个或多个晶体管中源漏区域的部分或整个底面中或者同时延伸至这两者中。光电二极管、浮置扩散部、读取电路以及绝缘部设置在半导体层中。

公开(公告)号：CN102456698A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110319539.X

申请日：2011-10-20

Applicant: 索尼公司

Inventor： 池田晴美

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148 ,  H04N5/225

CPC classification number: H01L27/1464 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14689 ,  H04N5/361

Abstract: 本发明提供一种固态成像装置、固态成像装置的制造方法及电子设备。该固态成像装置包括：基板；光电二极管区域，形成在该基板内，并且利用从该基板的后表面侧入射的光的光电转换而产生信号电荷；布线层，形成在该基板的与光入射表面相对侧的前表面侧上；阻光布线，形成在该布线层内，并且形成在覆盖该光电二极管区域的至少一部分的区域中；以及连接部分，从该阻光布线提供预定电压到该光电二极管区域。