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    半反射膜或反射膜，光学信息记录介质和溅射靶材
    31.
    发明公开
    半反射膜或反射膜，光学信息记录介质和溅射靶材 失效

    公开(公告)号：CN1691167A

    公开(公告)日：2005-11-02

    申请号：CN200510066665.3

    申请日：2005-04-21

    申请人： 株式会社神户制钢所

    发明人： 高木胜寿 ,  中井淳一 ,  田内裕基

    IPC分类号： G11B7/24 ,  B32B3/00

    CPC分类号： G11B7/258 ,  G11B7/2533 ,  G11B7/2534 ,  G11B7/259 ,  Y10T428/21

    摘要： 考虑到这种情况，完成了本发明，且本发明的一个目的是发现显示通过纯Ag或通过常规Ag合金没有实现的水平的高耐内聚性、高耐光性、高耐热性、高反射率、高透射率、低吸光率，和高热传导率的Ag基合金，和在这种合金的基础上，提供一种具有优异写/读性能和长期使用可靠性的光学信息记录介质用半反射膜和反射膜；在沉积这种半反射膜和反射膜中使用的光学信息记录介质用溅射靶材；和一种配备有这种半反膜或反射膜的光学信息记录介质。光学信息记录介质用半反射膜或反射膜，其包含Ag基合金，其中Ag基合金包含0.005至0.40％(原子％，除非另外注明)的Bi和总量为0.05至5％的选自Zn、Al、Ga、In、Si、Ge和Sn中的至少一种元素。

    反射阳极电极、薄膜晶体管、有机EL显示器及溅镀靶材
    32.
    发明授权
    反射阳极电极、薄膜晶体管、有机EL显示器及溅镀靶材 有权

    公开(公告)号：CN112018260B

    公开(公告)日：2023-12-08

    申请号：CN202010453857.4

    申请日：2020-05-26

    申请人： 株式会社神户制钢所

    发明人： 田内裕基

    IPC分类号： H10K50/818 ,  H01L27/12 ,  C23C14/20 ,  C23C14/34 ,  H10K50/856 ,  H10K59/12 ,  H10K71/16

    摘要： 本发明涉及一种即便使作为反射膜的Al合金膜与氧化物导电膜直接接触，也可确保低接触电阻与高反射率，且耐热性也优异的反射阳极电极，其用于有机EL显示器，且所述反射阳极电极具有层叠结构，所述层叠结构包含Al合金膜及氧化物导电膜，在所述Al合金膜及所述氧化物导电膜的接触界面介隔存在以氧化铝为主成分的层，所述Al合金膜包含Si及稀土类元素，当将所述Si的含量设为a(原子％)，将所述稀土类元素的合计含量设为b(原子％)时，满足0.62＜{a/(a+b)}、0.2＜a＜3及0.1＜b的关系，且所述以氧化铝为主成分的层包含Si。另外，还涉及一种薄膜晶体管基板、有机EL显示器、以及溅镀靶材。

    记录层、光信息记录介质及溅射靶
    33.
    发明公开
    记录层、光信息记录介质及溅射靶 有权

    公开(公告)号：CN113823332A

    公开(公告)日：2021-12-21

    申请号：CN202111140681.8

    申请日：2019-05-22

    申请人： 株式会社神户制钢所

    发明人： 田内裕基

    IPC分类号： G11B7/2433

    摘要： 本发明提供一种记录层、光信息记录介质及溅射靶。本发明的一实施方式的记录层是通过激光的照射进行记录的光信息记录介质用的记录层，包含W氧化物、Fe氧化物、以及Ta氧化物及Nb氧化物中的至少任一种，且在全部金属原子中，包含10原子％以上且60原子％以下的Fe、合计为3原子％以上且50原子％以下的Ta及Nb。

    反射电极和Al合金溅射靶
    34.
    发明授权
    反射电极和Al合金溅射靶 有权

    公开(公告)号：CN109644536B

    公开(公告)日：2021-03-19

    申请号：CN201780052201.8

    申请日：2017-08-22

    申请人： 株式会社神户制钢所

    发明人： 田内裕基 ,  日野绫

    IPC分类号： H01L51/52

    摘要： 本发明的目的在于，提供一种在有机EL显示器和有机EL照明等的元件中，充分降低其驱动电压，并具有高反射率的反射电极。本发明涉及由Al合金所构成的反射膜和透明导电膜构成的反射电极，其特征在于，所述反射膜的主面与所述透明导电膜的主面接触，并且所述Al合金中，按比例含有3～12原子％的Zn和0.01～0.5原子％的稀土元素。

    记录层、光信息记录介质、溅射靶
    35.
    发明授权
    记录层、光信息记录介质、溅射靶 有权

    公开(公告)号：CN109493887B

    公开(公告)日：2020-11-17

    申请号：CN201811043504.6

    申请日：2018-09-07

    申请人： 株式会社神户制钢所

    发明人： 田内裕基

    IPC分类号： G11B7/243 ,  G11B7/26

    摘要： 本发明的目的在于提供一种可抑制层数的增加且满足各种要求特性的记录层及光信息记录介质与形成它们的溅射靶。本发明的记录层为通过激光光的照射来进行记录的光信息记录介质用记录层，且含有钨氧化物及钴氧化物，相对于全部金属原子而言的钴原子的含量为超过10原子％且70原子％以下。本发明的光信息记录介质包括所述记录层。