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公开(公告)号：CN113594044B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202110848584.8
申请日：2021-07-27
申请人： 西交利物浦大学
IPC分类号： H01L21/338 , H01L21/28 , H01L29/812 , H01L29/06 , H01L29/45 , H01L29/47
摘要： 本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件的制备方法包括：提供衬底；在衬底一侧制备外延层，外延层包括远离衬底一侧的势垒层，势垒层包括欧姆接触区；采用等离子体轰击欧姆接触区，以在欧姆接触区形成粗糙表面；粗糙表面至少包括第一位置和第二位置，沿第一方向，第一位置和第二位置的高度不同；第一方向与衬底所在平面垂直；在欧姆接触区制备欧姆接触电极，欧姆接触电极在欧姆接触区与势垒层形成欧姆接触。采用上述技术方案，通过采用等离子体轰击欧姆接触区，以在欧姆接触区形成粗糙度较大的表面，如此实现半导体器件具有更低电阻的欧姆接触，保证提升半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN110416310B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN201910559526.6
申请日：2019-06-26
申请人： 西交利物浦大学
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/34
摘要： 本发明公开了一种用双氧水提高抗辐射性的薄膜晶体管器件及制备方法，包括从下到上依次设置的栅电极，高掺硅衬底，介电层，半导体层，上金属电极；所述上金属电极包括源电极和漏电极；制备方法具体步骤包括：a）制备得到前驱体溶液；b）制备双氧水前驱体溶液；c）将双氧水前驱体溶液超声震荡15‑60分钟；d）清洗高掺硅衬底；e）将配备好的双氧水前驱体溶液旋涂在清洗好的高掺硅衬底上；f）将旋涂好双氧水前驱体溶液的高掺硅衬底置于热板上退火形成介电层；g）制备半导体层；h）沉积上金属电极和栅电极。本案提高薄膜晶体管器件的抗辐射性的；薄膜晶体管器件的性能稳定可靠；在工艺上与传统工艺兼容，能有效控制了制备成本。
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公开(公告)号：CN113437147B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202110709549.8
申请日：2021-06-25
申请人： 西交利物浦大学
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
摘要： 本发明提供一种氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法与应用，所述晶体管包括衬底、氮化镓外延层、氮化铝镓势垒层、氧化铝介电层、未被氧化p型氮化镓层、已被氧化p型氮化镓层、源漏极和栅极。所述制备方法包括：(1)在氮化镓外延片上形成有源区；(2)对器件进行高密度氧等离子体处理，依次形成已被氧化p型氮化镓层和氧化铝介电层；(3)刻蚀源漏区表面未被氧化p型氮化镓层，生长金属，分别独立地形成源极和漏极；(4)对器件进行快速热退火，形成欧姆接触；(5)在未被氧化p型氮化镓层表面沉积栅极金属，形成栅极，得到氮化镓高电子迁移率晶体管。本发明提升了器件的高温及高压耐受性和电学性能，避免了p型氮化镓层刻蚀导致的损伤。
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公开(公告)号：CN111129160B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN201911299226.5
申请日：2019-12-17
申请人： 西交利物浦大学
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/51 , H01L21/445 , H01L21/34
摘要： 本发明公开了一种基于氧化锆和氧化镧的透明薄膜晶体管器件，包括从下到上依次设置的导电玻璃衬底、介电层、半导体层、上金属电极，所述上金属电极包括源电极和漏电极，所述介电层材料为氧化锆和氧化镧的混合氧化物。采用溶液法制备TFT的绝缘层和半导体层，实现低成本大面积的TFT制备，设备和原料投资较少；在工艺上与传统工艺兼容，能有效控制了制备成本。
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公开(公告)号：CN112397392B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202011278994.5
申请日：2020-11-16
申请人： 西交利物浦大学
IPC分类号： H01L21/44 , H01L21/34 , H01L21/02 , H01L21/445 , H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/78 , G01L1/18 , G01L9/06
摘要： 本发明涉及一种仿生突触晶体管的制备方法，包括：S1、提供衬底，在衬底的一表面形成源电极和漏电极；S2、制备沟道层前驱体水溶液，并在源电极、漏电极和衬底上旋涂形成沟道层；S3、制备电荷俘获‑隧穿层前驱体水溶液，并在沟道层上旋涂形成电荷俘获‑隧穿层；S4、制备铁电绝缘层前驱体水溶液，并在电荷俘获‑隧穿层上旋涂形成铁电绝缘层；S5、在铁电绝缘层上表面形成栅电极，得到仿生突触晶体管。整个制备工艺可在非真空大气条件下进行，并且温度不超过300℃，属于低温工艺，工艺简单，无需传统意义上的光刻与真空镀膜，可大幅减少制备时长，生产成本较低，得到的仿生突触晶体管基于可在感受器、存储器和人工智能领域中有重要应用潜力。
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公开(公告)号：CN109671907B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN201811449059.3
申请日：2018-11-29
申请人： 西交利物浦大学
摘要： 一种电化学能源技术领域的锂硫电池用复合正极片、其制备方法及应用，包括纳米微孔碳‑硫复合材料、导电剂和聚偏氟乙烯；所述复合材料中纳米微孔碳的孔径小于0.8nm。本发明将常见的升华硫的存在形式S8转换为短链的硫分子S2‑4，避免锂硫电池在放电过程中生成易溶解的高阶多硫化物，杜绝了穿梭效应的发生，提高了锂硫电池的循环稳定性。
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公开(公告)号：CN113745012A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110856800.3
申请日：2021-07-28
申请人： 西交利物浦大学
摘要： 一种MXene/rGO@生物炭水凝胶复合材料的制备方法及应用，复合材料中的生物炭与MXene/rGO形成三维多孔导电结构。本发明将MXene/rGO水凝胶和生物炭框架结合，这种创新结构可有效克服MXene自身堆叠的缺陷，提供了赝电容的活性位点，并通过碳化和KOH活化进行造孔，有效增加复合材料的比表面积，提高了应用于超级电容器时的比电容量和能量密度。
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公开(公告)号：CN113380948A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110647275.4
申请日：2021-06-10
申请人： 西交利物浦大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明涉及一种具有多级存储功能的突触忆阻器，包括绝缘衬底、形成在绝缘衬底上的第一电极层、形成在第一电极层上的第一阻变层、形成在第一阻变层上的第二阻变层、形成在第二阻变层上的第二电极层、以及形成在第二电极层上的保护层，第一阻变层的材料为氧化铝，第二阻变层的材料为氧化锌，以实现全阻态范围的多级变化。该忆阻器功耗小、工作电压小，工作电压的绝对值小于1V，阻值变化范围更大，所存储的数据量更大且能够实现在全阻态范围的多级变化；采用纯溶液法制备，操作简单方便，成本低，设备和和原料投资较少可用于大面积制备，实现大规模工业应用；实现了类人脑突触器件的多级存储功能，展示了该器件作为神经网络组成部分的重要潜能。
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公开(公告)号：CN112885911A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110141958.2
申请日：2021-02-02
申请人： 西交利物浦大学
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/113 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及的金属氧化物异质结光电刺激突触晶体管，其包括衬底、栅电极、介电层、第一有源层、第二有源层、二维电子气层、以及源电极和漏电极，第一有源层为金属氧化物异质结电刺激有源层，第二有源层为金属氧化物异质结光刺激有源层，第一有源层通过电脉冲信号刺激调制源电极和漏电极之间的电导率从而实现基于电刺激调制的突触可塑性，第二有源层在白光或不同波长的光刺激下产生兴奋性突触后电流并实现基于光刺激调制的突触可塑性，集成了光刺激和电刺激调制的突触可塑性于单个晶体管上，结构简单，二维电子气实现较高的载流子迁移率，从而提高突触晶体管的性能，且可运用于可穿戴设备，柔性电子器件等器件上。
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公开(公告)号：CN112838166A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202110089372.6
申请日：2021-01-22
申请人： 西交利物浦大学
摘要： 本申请涉及一种钙钛矿太阳能电池，其包括自下而上依次层叠设置的导电基底、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和上电极层，电子传输层和钙钛矿吸光层之间设有修饰层，修饰层为氧化镍，氧化镍通过水溶液法形成在电子传输层上。在电子传输层和钙钛矿吸光层之间形成一层氧化镍进行界面修饰优化，有效增大电子萃取率且极大的缓解了钙钛矿太阳能电池的回滞效应，提升了钙钛矿太阳电池的效率，且使用低温溶液法制备不仅降低了制备成本，而且实现了其在柔性电池上的应用。
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