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公开(公告)号：CN1577496A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410061756.3
申请日：2004-06-30
申请人： TDK株式会社
IPC分类号： G11B5/39
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3906 , G11B5/3909 , G11B2005/0016
摘要： 作为本发明，在本发明中的磁阻效应膜的至少软磁性层的两个端部配置有一对偏移磁场施加层，该偏移磁场施加层用于通过磁性基底层来向软磁性层提供纵向偏移磁场，磁性基底层与偏移磁场施加层二者相重合的面上的彼此的晶格结点间距实质上相吻合，因此，可使偏移磁场施加层的面内方向(平行于膜面的方向)的顽磁力Hc维持高水平，即便是在以间隔更短、磁道更窄为目标的场合，也能够发挥施加有效偏移磁场的作用。即，发挥抑制巴克豪森噪声的产生的作用。
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公开(公告)号：CN102749532B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201210117343.7
申请日：2012-04-20
申请人： TDK株式会社
CPC分类号： G11B5/455 , G01R31/2635 , G01R31/2642 , G11B2005/0021 , H01S5/0021 , H01S5/0042
摘要： 本发明的老化试验方法构成为将多个光源元件和用于对来自多个光源元件的每一个的光输出进行监测的多个光检测器装入夹具台，在至少将多个光源元件和多个光检测器浸渍在绝缘性的液体中的状态下对多个光源元件进行通电来进行，因此能够在短时间保持稳定的温度，能够维持相对于通常的负载条件不乖离的温度，不对元件造成损伤来进行光源单元芯片的合格品和不合格品的分选试验。
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公开(公告)号：CN102376313B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201110240373.2
申请日：2011-08-19
申请人： TDK株式会社
CPC分类号： G11B5/4853 , G11B5/105 , G11B5/314 , G11B5/486 , G11B5/6088 , G11B2005/0021
摘要： 本发明提供了一种头支架组件(HGA)，其中，用于热辅助磁性记录头的电极通过焊料球接合(SBB)可以可靠地电连接至接线组件，所述热辅助磁性记录头包括光源、光电检测器和磁头元件。HGA包括悬挂物，所述悬挂物包括：基底；第一接线组件，用于光源和光电检测器，设置在基底的一个表面侧；以及第二接线组件，用于磁头元件，设置在基底的所述一个表面侧。第一接线组件和第二接线组件从基底向要固定的热辅助磁性记录头伸出。因此，第一和第二接线组件的端部(连接焊盘)可以分别位于与用于光源和光电检测器的电极以及用于磁头元件的电极靠近的位置。这种布置使得可以通过SBB而可靠地实现第一和第二接线组件的端部与电极的电连接。
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公开(公告)号：CN102682788A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210070755.X
申请日：2012-03-09
申请人： TDK株式会社
CPC分类号： G11B5/65 , G11B5/314 , G11B5/6088 , G11B5/66 , G11B2005/0021
摘要： 热辅助磁记录方法包括第1步骤和第2步骤。在第1步骤中，将热施加至硬盘介质的一部分，在硬盘介质的磁记录层形成移动的高温区域。高温区域是温度与其周围相比较高、且为磁记录层的多个磁性粒子的顽磁力消失温度的最大值以上的温度的区域。高温区域的移动方向上的与高温区域的后端邻接的至少1个磁性粒子具有除0以外的值的顽磁力。在第2步骤中，将记录磁场施加至硬盘介质，使得施加至与高温区域的后端邻接的至少1个磁性粒子的记录磁场的大小为3kOe以下。
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公开(公告)号：CN101872629B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201010001821.9
申请日：2010-01-07
申请人： TDK株式会社
IPC分类号： G11B11/105 , G11B5/48
CPC分类号： G11B5/314 , B82Y10/00 , G11B5/4866 , G11B5/6088 , G11B5/743 , G11B2005/001 , G11B2005/0021
摘要： 提供了一种使尽可能大量的波导光可与等离子体天线相耦合的近场光发生器。所述元件包括光波导管以及等离子体天线，所述等离子体天线包括用于传播由所述波导光所激发的表面等离子体的表面或边缘，所述表面或边缘延伸至所述近场光发生末端。一凹槽形成在所述波导管的侧表面中。所述传播表面或所述传播边缘的至少一部分被嵌入所述凹槽中或者直接位于所述凹槽上方，所述至少一部分以预定距离与所述凹槽的壁表面或底表面相对，从而用于使波导光以表面等离子体模式与所述等离子体天线相耦合。该配置能够使表面或边缘位于如下位置，在该位置中所述表面或边缘可与更大量的光相耦合，从而提高光利用率。
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公开(公告)号：CN102456355A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110310014.X
申请日：2011-10-13
申请人： TDK株式会社
IPC分类号： G11B5/127
CPC分类号： G11B5/314 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/1278 , G11B5/3967 , G11B5/6088 , G11B2005/001 , G11B2005/0021 , G11B2005/3996 , Y10T29/49021 , Y10T29/49032 , Y10T29/5313 , Y10T29/53191
摘要： 本发明提供了一种热辅助磁性记录头的制造方法，热辅助磁性记录头包括具有光源的光源单元和具有光学系统的滑块。所述制造方法包括以下步骤：通过抽吸，将单元单元与后保持模具粘合；移动后保持模具，然后在滑块后表面内的方向上，将光源的光发射中心与光学系统的光接收端面对准；使光源单元与滑块后表面相接触，其中，后保持模具的抽吸表面相对于滑块后表面的法线而倾斜；利用加负荷装置向单元基板的负荷施加表面施加负荷，以使光源单元的联接表面与滑块后表面一致；以及将光源单元和滑块接合。该方法可以提高一致性，从而实现充分强的联接以及充分高的位置精度。
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公开(公告)号：CN101373598B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200810146838.6
申请日：2008-08-25
申请人： TDK株式会社
CPC分类号： G11B5/314 , G11B2005/001 , G11B2005/0021
摘要： 本发明涉及一种热辅助磁头。一边使来自光波导路的出射光的出射位置和磁极端部靠近，一边实现对磁记录介质的高密度的写入。热辅助磁头包括：主磁极层，具有露出于与磁记录介质相对的介质相对面的磁极端部；以及光波导路，使入射的激光向层叠方向偏转。主磁极层位于光因光波导路而发生偏转的一侧。磁极端部向光因光波导路而发生偏转的一侧突出。光波导路在介质相对面侧比磁极端部更突出。
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公开(公告)号：CN101174420B
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200710184983.9
申请日：2007-10-31
申请人： TDK株式会社
CPC分类号： G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3906 , G11B2005/3996 , H01F10/3272 , H01F41/305 , Y10T29/49044 , Y10T29/49048
摘要： 本发明是一种具有间隔层、夹持上述间隔层而层叠形成的磁化固定层和自由层的，在层叠方向施加读出电流的CPP(Current Perpendicularto Plane：电流垂直于平面)结构的巨磁阻效应元件(CPP-GMR元件)，由于上述自由层具有使磁化方向随外部磁场变化的功能，上述间隔层具有由非磁性金属材料形成的第1非磁性金属层和第2非磁性金属层以及在所述第1非磁性金属层与第2非磁性金属层之间形成的半导体层，上述半导体层是n型的氧化物半导体，上述第1非磁性金属层是在成膜顺序比上述第2非磁性金属层先成膜的膜，在该第1非磁性金属层与上述半导体层之间，形成防氧化层，上述防氧化层由在与上述半导体层的接合中不生成肖特基势垒(Schottoky barrier)的材料形成，故在不使磁头噪声增大，得到高的MR特性的同时，得到抑制元件面电阻率(AR)的分散性，使膜特性的可靠性得到格外提高的极其优异的效果。
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公开(公告)号：CN101872629A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010001821.9
申请日：2010-01-07
申请人： TDK株式会社
IPC分类号： G11B11/105 , G11B5/48
CPC分类号： G11B5/314 , B82Y10/00 , G11B5/4866 , G11B5/6088 , G11B5/743 , G11B2005/001 , G11B2005/0021
摘要： 提供了一种使尽可能大量的波导光可与等离子体天线相耦合的近场光发生器。所述元件包括光波导管以及等离子体天线，所述等离子体天线包括用于传播由所述波导光所激发的表面等离子体的表面或边缘，所述表面或边缘延伸至所述近场光发生末端。一凹槽形成在所述波导管的侧表面中。所述传播表面或所述传播边缘的至少一部分被嵌入所述凹槽中或者直接位于所述凹槽上方，所述至少一部分以预定距离与所述凹槽的壁表面或底表面相对，从而用于使波导光以表面等离子体模式与所述等离子体天线相耦合。该配置能够使表面或边缘位于如下位置，在该位置中所述表面或边缘可与更大量的光相耦合，从而提高光利用率。
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公开(公告)号：CN101447550A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810182384.8
申请日：2008-11-28
申请人： TDK株式会社
CPC分类号： H01F10/3254 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/098 , G11B5/3909 , G11B5/3912 , G11B2005/3996 , H01F10/30
摘要： 本发明涉及CPP型磁阻效应元件和磁盘装置。本发明的CPP结构的磁阻效应元件，具有：磁阻效应部；以及以上下地夹着该磁阻效应部的方式配置形成的第一屏蔽层和第二屏蔽层，在该层叠方向上施加检测电流，构成为磁阻效应部具有：非磁性中间层；和以夹着该非磁性中间层的方式层叠形成的第一铁磁层和第二铁磁层，第一屏蔽层和第二屏蔽层分别通过磁化方向控制单元被控制磁化方向，第一铁磁层和第二铁磁层分别受到第一屏蔽层和第二屏蔽层的磁场作用的影响，被施加作用形成反平行磁化状态，该反平行磁化状态是彼此的磁化方向成为相反方向的状态。能够以简易的构造实现两个铁磁层的反平行的磁化状态，并能够谋求线记录密度的提高。进而，能够谋求可靠性的进一步提高。
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