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    三氯硅烷的制造方法
    32.
    发明授权
    三氯硅烷的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN102791630B

    公开(公告)日：2014-11-19

    申请号：CN201180013151.5

    申请日：2011-03-01

    申请人： 信越化学工业株式会社

    发明人： 田中秀二 ,  田畑正树

    IPC分类号： C01B33/107

    CPC分类号： C01B33/1071 ,  B01D3/009 ,  B01D3/143 ,  C01B33/10757 ,  C01B33/10763 ,  C01B33/10778

    摘要： 本发明将含有甲基二氯硅烷、四氯硅烷和三氯硅烷的混合物进行蒸馏，从而分馏出甲基二氯硅烷含有率比蒸馏前混合物高的馏分。并且加热该分馏的馏分，在甲基二氯硅烷和四氯硅烷间进行氯的再分配、从而将甲基二氯硅烷转化为甲基三氯硅烷。之后，将含有该甲基三氯硅烷的再分配后的馏分进行蒸馏纯化，从而分离出高纯度的三氯硅烷。甲基二氯硅烷(沸点41℃)因为沸点与作为蒸馏纯化对象的三氯硅烷的沸点(32℃)接近，因此难以除去。在本发明中，通过在与四氯硅烷之间进行氯的再分配来转化为甲基三氯硅烷(沸点66℃)，从而使除去变得容易。

    制备三氯硅烷的方法
    33.
    发明公开
    制备三氯硅烷的方法 无效

    公开(公告)号：CN103180247A

    公开(公告)日：2013-06-26

    申请号：CN201180054095.X

    申请日：2011-10-13

    申请人： 赢创德固赛有限公司

    发明人： E.米 ,  H.劳莱德 ,  B.诺维齐基

    IPC分类号： C01B33/107

    CPC分类号： C01B33/10763 ,  C01B33/1071 ,  C01B33/10773

    摘要： 本发明涉及制备三氯硅烷和任选在需要时制备HCDC和OCTS的方法，其中a)在步骤1中，使四氯化硅与硅在＞800-1450℃下反应，b)在步骤2中，冷却得自步骤1的产物流(PS)，由此得到产物流(PG2)，c)在步骤3中，任选由产物流(PG2)分离出STC和HCDS，由此以残液或柱底产物的形式得到产物混合物(PG3)，d)在步骤4中，任选地由步骤3的产物流PG3中分离OCTS，由此以残液或柱底产物的形式得到产物混合物(PG4)，e)在步骤5中，得自步骤2的产物流(PG2)或得自步骤3的产物流(PG3)或得自步骤4的产物流(PG4)或由产物流PG2和PG3组成的混合物或由产物流PG2和PG4组成的混合物与氯化氢反应，由此得到产物流(PHS)，和f)在下一步骤6中，由如此得到的产物流(PHS)中分离三氯硅烷，并排出余下的含STC的柱底物或将其作为原料成分返回到该过程的步骤1中。

    制备纯硅的方法和系统
    34.
    发明授权
    制备纯硅的方法和系统 有权

    公开(公告)号：CN102046529B

    公开(公告)日：2013-04-24

    申请号：CN200980119722.6

    申请日：2009-03-31

    申请人： 施米德硅晶片科技有限责任公司

    发明人： C.施米德 ,  A.佩特里克 ,  J.哈恩

    IPC分类号： C01B33/029 ,  C01B33/04 ,  C01B33/107

    CPC分类号： C01B33/035 ,  C01B33/029 ,  C01B33/043 ,  C01B33/10763 ,  C01B33/10773 ,  Y02P20/127

    摘要： 本发明涉及一种制备超纯硅的方法，其包括以下部分：(1)制备三氯硅烷，(2)通过第(1)部分中制备的三氯硅烷的歧化制备甲硅烷，和(3)将如此制备的甲硅烷热分解，其中为制备三氯硅烷，在第(1)部分的至少一个氯氢化过程中使硅与氯化氢反应，与此同时，在第(2)部分中使在转化过程中作为副产物形成的四氯化硅与硅和氢气反应。而且用于该方法的系统包括用于制备三氯硅烷的制备单元(1)、用于制备甲硅烷的另外的单元(2)和用于将制备的甲硅烷热分解的单元(3)，单元(1)具有至少一个氯氢化反应器、至少一个转化反应器、至少一个用于含有三氯硅烷的反应混合物的收集器和至少一个分离装置，单元(2)具有至少一个歧化反应器和至少一个分离装置，单元(3)具有至少一个用于甲硅烷的分解反应器，其中单元(2)通过至少一个回线连接到单元(1)，由此可将单元(2)中形成的四氯化硅输入到单元(1)的所述至少一个转化反应中。

    三氯硅烷的制造方法
    35.
    发明公开
    三氯硅烷的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN102753478A

    公开(公告)日：2012-10-24

    申请号：CN201180006897.3

    申请日：2011-02-09

    申请人： 株式会社德山

    发明人： 秋吉彩生 ,  相本忠

    IPC分类号： C01B33/107

    CPC分类号： C01B33/10763 ,  C01B33/1071 ,  C01B33/10736

    摘要： 本发明提供一种效率良好地、工业性地制造三氯硅烷的方法，其中，在通过金属硅与氯化氢的反应来制造三氯硅烷时，有效地再利用从反应生成气体冷凝分离三氯硅烷后的废气。该方法的特征在于，相互独立地包括使氯化氢与金属硅反应而生成三氯硅烷的第一制造工序、以及使四氯硅烷及氢气与金属硅反应而生成三氯硅烷的第二制造工序，从通过前述第一制造工序而得到的包含三氯硅烷的反应生成气体冷凝分离该三氯硅烷，并将冷凝分离三氯硅烷后的废气作为氢源供给于第二制造工序。

    制备三氯甲硅烷的方法和设备
    36.
    发明公开
    制备三氯甲硅烷的方法和设备 有权 复审申请

    公开(公告)号：CN102639440A

    公开(公告)日：2012-08-15

    申请号：CN201080043459.X

    申请日：2010-08-02

    申请人： 施米德硅晶片科技有限责任公司

    发明人： A.佩特里克 ,  J.哈恩 ,  C.施密德

    IPC分类号： C01B33/107

    CPC分类号： C01B33/1071 ,  C01B33/10763

    摘要： 记述了一种制备三氯甲硅烷的方法，其中使硅颗粒与四氯化硅和氢气以及任选地与氯化氢在流化床反应器(101)中反应形成含三氯甲硅烷的产物气体流，其中所述含三氯甲硅烷的产物气体流通过位于至少一个颗粒分离器(118)之后的出口(117)从反应器(101)中排出，其中所述颗粒分离器选择性地仅使直至特定最大粒径的硅颗粒可以穿过，且其中优选地定期或连续不断地经由至少另一个不带所述颗粒分离器的出口(109；112)从反应器(101)中排出硅颗粒。此外，还记述了一种适于实施所述方法的设备(100)，其具有第一流化床反应器(101)和第二流化床反应器(102)，它们的连接方式使得从第一反应器(101)中排出的硅可被输送到第二反应器(102)中。

    生产三氯硅烷的方法
    37.
    发明公开
    生产三氯硅烷的方法 无效 诉讼

    公开(公告)号：CN101808938A

    公开(公告)日：2010-08-18

    申请号：CN200880108523.0

    申请日：2008-08-29

    申请人： 动力工程公司

    发明人： J·M·小比尔 ,  C·W·梅尔克

    IPC分类号： C01B33/00

    CPC分类号： C01B33/10763 ,  C01B33/10778

    摘要： 利用氯化氢、冶金级或化学级硅原料的主反应的受污染副产物和/或改良西门子法的副产物制备高纯度三氯硅烷(TCS)的方法，所述副产物包括含有低沸点杂质如二氯硅烷(DCS)的“不纯的”TCS和含有高沸点杂质的“不纯的”STC。首先将“不纯的”STC纯化，使一部分与含有DCS的“不纯的”TCS反应以生成向TCS纯化过程的附加的TCS原料。将另一部分纯化的STC氢化并再转化为TCS，从而提供向TCS纯化过程的另一原料。所生产的高纯度TCS的总的净产率相对于现有技术得到提高。

    三氯氢硅合成炉
    40.
    发明公开
    三氯氢硅合成炉 失效

    公开(公告)号：CN106006647A

    公开(公告)日：2016-10-12

    申请号：CN201610326284.2

    申请日：2016-05-17

    申请人： 山东瑞川硅业有限公司

    发明人： 鲍明锐 ,  蔡俊雄 ,  郭庆元 ,  刘毅 ,  王兰华

    IPC分类号： C01B33/107

    CPC分类号： C01B33/10763

    摘要： 本发明属于硅化工领域，涉及一种三氯氢硅合成炉，包括下壳体和梯形壳体，在下壳体与梯形壳体的连接处设置了气体分布板，其气体分布板上均匀设置了旋转喷管和圆柱喷管，旋转喷管与圆柱喷管交叉设置，本发明在气体气体分布板上设置有了两种不同的喷管，该两种喷管为旋转喷管和圆柱喷管，其旋转喷管和圆柱喷管在气体分布板上交叉设置，当氯化氢气体通过旋转喷管和圆柱喷管进入到中间壳体内与硅粉反应时，其旋转喷管和圆柱喷管喷出的氯化氢气体相互作用，使硅粉和氯化氢气体充分反应，又由于旋转喷管上喷孔以及圆柱喷管上斜喷孔的设置，可以有效的避免硅粉落在气体分布板上。