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公开(公告)号：CN1298827C
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN03802036.X
申请日：2003-01-06
申请人： 气体产品及化学制品公司
CPC分类号： H01L21/02071 , B08B3/08 , C09D9/00 , C11D1/143 , C11D1/22 , C11D3/3409 , C11D3/3418 , C11D3/43 , C11D7/265 , C11D7/3218 , C11D7/3263 , C11D7/3281 , C11D7/34 , C11D7/5004 , C11D11/0047 , C23G5/02 , G03F7/426 , Y10S134/902
摘要： 本发明涉及用于从半导体基片上去除后蚀刻有机和无机残留物及高分子残留物及污染物的含水组合物。该组合物由水溶性有机溶剂、磺酸和水组成。
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公开(公告)号：CN1291281C
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200310100312.1
申请日：2003-10-09
申请人： 东京应化工业株式会社
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D1/62 , C11D7/3209 , C11D7/3281 , C11D7/34 , G03F7/425 , G03F7/426
摘要： 本发明提供一种用于剥离、溶解膜厚为10～150μm的光致抗蚀剂图案的洗涤液，含有下述的成分(a)、(b)和(c)：(a)0.5～15质量%的通式(I)表示的季铵氢氧化物(氢氧化四丙基铵、氢氧化四丁基铵等)；(b)65～97质量%的水溶性有机溶剂(二甲亚砜、或二甲亚砜与N-甲基-2-吡咯烷酮、环丁砜等的混合溶剂)；(c)0.5～30质量%的水。本发明还提供使用该洗涤液处理基板的方法。
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公开(公告)号：CN1872976A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610066697.8
申请日：2001-03-19
申请人： 和光纯药工业株式会社
IPC分类号： C11D3/34 , C11D1/66 , H01L21/304 , C11D3/33
CPC分类号： H01L21/02074 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3245 , C11D7/3272 , C11D7/34 , C11D11/0047 , C23G1/20 , H01L21/76877
摘要： 本发明涉及含有在分子中具有带有非共享电子对氮原子的化合物形成的，用于表面上施加了铜布线的半导体表面的洗涤剂，以及半导体表面的洗涤方法，其特征在于用该洗涤剂处理表面上施加了铜布线的半导体表面。本发明所涉及的洗涤剂，在表面施加了Cu布线的半导体中，不腐蚀Cu布线(Cu薄膜)，层间绝缘膜SiO2，而且不损坏表面的平坦度，能够有效地除去在Cu－CMP工序附着的半导体表面的CuO和颗粒。
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公开(公告)号：CN1279156C
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN01823835.1
申请日：2001-11-09
申请人： 樱井次郎
CPC分类号： C11D3/042 , C11D7/08 , C11D7/265 , C11D7/34 , C11D11/0029
摘要： 本发明提供一种氨基磺酸-羟基羧酸系的清洁剂，其具有防止待清洁金属制品的金属洗脱及金属制品的氢脆的能力。该清洁剂包含氨基磺酸和至少一种羟基羧酸，并且氨基磺酸与至少一种羟基羧酸的重量混合比例是(60～95)∶(40～5)，优选为(80～95)∶(20～5)。特别地，当柠檬酸和苹果酸被用作羟基羧酸，并且氨基磺酸∶柠檬酸∶苹果酸的重量混合比例为(80～95)∶(10～2.5)∶(10～2.5)时，该清洁剂可提供防止金属洗脱和氢脆方面的优良性能以及高去垢力。
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公开(公告)号：CN1230718C
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN01806705.0
申请日：2001-03-19
申请人： 马林克罗特·贝克公司
发明人： 乔治·施瓦茨科夫
CPC分类号： C11D7/3245 , C11D7/24 , C11D7/265 , C11D7/34 , C11D7/5009 , C11D7/5013 , C11D11/0047 , G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/31133
摘要： 一种用于除去含钠物质诸如从微电路基材中除去光致抗蚀剂的方法和组合物，使用了在有机溶剂中的1，2-二氨基环己烷四羧酸。
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公开(公告)号：CN1591199A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410076979.7
申请日：2004-08-27
申请人： LG.菲利浦LCD有限公司 , 东进瑟弥侃株式会社
CPC分类号： C11D3/0073 , C11D7/263 , C11D7/3218 , C11D7/3263 , C11D7/3281 , C11D7/34 , C11D11/0047 , G03F7/425
摘要： 本发明提供了一种用于除去与铜相容的抗蚀剂的组合物，该组合物包含：约10重量％～30重量％的胺化合物溶剂，该胺化合物溶剂包含链烷醇胺；约10重量％～80重量％的乙二醇类溶剂；约9.5重量％～79重量％的极性溶剂和约0.5重量％～10重量％的防腐蚀剂。
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公开(公告)号：CN1555409A
公开(公告)日：2004-12-15
申请号：CN02818145.X
申请日：2002-08-20
申请人： 高级技术材料公司
发明人： 威廉·A·沃伊特恰克 , 法蒂玛·玛·塞约 , 托马斯·J·克洛芬斯戴恩 , 达尼埃尔·N·法恩
IPC分类号： C11D3/30 , B08B3/08 , H01L21/3105
CPC分类号： H01L21/02071 , C11D7/261 , C11D7/263 , C11D7/264 , C11D7/265 , C11D7/267 , C11D7/28 , C11D7/32 , C11D7/3281 , C11D7/34 , C11D7/5013 , C11D11/0047 , G03F7/422 , G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/02052 , H01L21/02063 , H01L21/31138
摘要： 本发明涉及一种用于等离子体灰化后半导体制造的半导体晶片清洁剂，所述制剂包括至少一种有机螯合剂和至少一种极性溶剂，其中螯合剂和极性溶剂的量足以从半导体晶片上有效地除去无机化合物残余物。优选地，螯合剂选自2，4－戊二酮、丙二酸、草酸、对甲苯磺酸和三氟乙酸；和极性溶剂选自水、乙二醇、N－甲基吡咯烷酮(NMP)、γ－丁内酯(BLO)、环己基吡咯烷酮(CHP)、环丁砜、1，4－丁二醇和丁基卡必醇。
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公开(公告)号：CN1526007A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN02813875.9
申请日：2002-07-08
申请人： 马林克罗特贝克公司
发明人： 奇恩-平·S·许
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D3/28 , C11D3/30 , C11D3/33 , C11D3/43 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/3263 , C11D7/3281 , C11D7/34 , C11D7/5013 , G03F7/425 , G03F7/426
摘要： 用于清洗微电子基板的无氨清洗组合物，更具体地，此组合物清洗剂对以敏感多孔、低－κ和高－κ电介质以及敷铜为特征的微电子基板一起使用、并对基板具有改进相容性。用于剥离光致抗蚀剂、清除等离子生成的有机化合物、金属有机化合物和无机化合物的残余物、清除平坦化工艺中的残余物的清洗组合物。该清洗组合物含有一种或多种含有非亲核的、带正电的反离子的不产生铵的强碱和一种或多种位阻酰胺溶剂。
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公开(公告)号：CN1501179A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN200310100312.1
申请日：2003-10-09
申请人： 东京应化工业株式会社
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D1/62 , C11D7/3209 , C11D7/3281 , C11D7/34 , G03F7/425 , G03F7/426
摘要： 本发明提供一种用于剥离、溶解膜厚为10～150μm的光致抗蚀剂图案的洗涤液，含有下述的成分(a)、(b)和(c)：(a)0.5～15质量％的通式(I)表示的季铵氢氧化物(氢氧化四丙基铵、氢氧化四丁基铵等)；(b)65～97质量％的水溶性有机溶剂(二甲亚砜、或二甲亚砜与N－甲基－2－吡咯烷酮、环丁砜等的混合溶剂)；(c)0.5～30质量％的水。本发明还提供使用该洗涤液处理基板的方法。
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公开(公告)号：CN1419709A
公开(公告)日：2003-05-21
申请号：CN01806955.X
申请日：2001-03-19
申请人： 和光纯药工业株式会社
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02074 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3245 , C11D7/3272 , C11D7/34 , C11D11/0047 , C23G1/20 , H01L21/76877
摘要： 本发明涉及含有在分子中具有带有非共享电子对氮原子的化合物形成的，用于表面上施加了铜布线的半导体表面的洗涤剂，以及半导体表面的洗涤方法，其特征在于用该洗涤剂处理表面上施加了铜布线的半导体表面。本发明所涉及的洗涤剂，在表面施加了Cu布线的半导体中，不腐蚀Cu布线(Cu薄膜)，层间绝缘膜SiO2，而且不损坏表面的平坦度，能够有效地除去在Cu－CMP工序附着的半导体表面的CuO和颗粒。
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