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公开(公告)号:CN103946740A
公开(公告)日:2014-07-23
申请号:CN201280055990.8
申请日:2012-11-16
申请人: 夏普株式会社
发明人: 吉田昌弘
IPC分类号: G02F1/1345 , G02F1/1343
CPC分类号: G02F1/136286 , G02F1/133345 , G02F1/133707 , G02F1/1339 , G02F1/134336 , G02F1/134363 , G02F1/13439 , G02F1/13452 , G02F2001/133302 , G02F2001/134372 , G02F2001/13456 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , G02F2201/121 , G02F2201/123
摘要: 本发明的目的在于提供既能抑制闪烁等显示不良的产生又能小型化的液晶显示装置。本发明所涉及的液晶显示装置具有与供应共用的信号的电极(9)连接的配线(4),上述电极(9)包含形成于透明导电层的第一电极部分(50),上述配线(4)设置于显示区域(8)的外侧,包含第一配线部分(1)和/或第二配线部分(2)以及与上述第一配线部分(1)和/或上述第二配线部分(2)相对的第三配线部分(3),上述第一配线部分(1)、上述第二配线部分(2)以及上述第三配线部分(3)分别形成于第一导电层、第二导电层以及第三导电层。
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公开(公告)号:CN103715138A
公开(公告)日:2014-04-09
申请号:CN201310752680.8
申请日:2013-12-31
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC分类号: H01L21/77 , H01L27/12 , G02F1/1333
CPC分类号: H01L27/1288 , G02F1/133345 , G02F1/134309 , G02F1/134363 , G02F1/1345 , G02F1/1362 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/134372 , G02F2001/136231 , G02F2001/136236 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L21/0274 , H01L21/31144 , H01L21/76802 , H01L21/76877 , H01L27/124 , H01L27/1259
摘要: 本发明涉及显示技术领域,提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置。该制造方法在通过过孔电性连接不相邻的两个导电层时,通过多次刻蚀工艺分别刻蚀相邻导电层之间的绝缘层,形成位置对应的绝缘层过孔,以实现不相邻的导电层之间的电性连接。同时,在每次刻蚀工艺中,还可以完成相邻导电层之间通过过孔的电性连接。即在通过过孔电性连接至少三个导电层时,每次刻蚀工艺中均仅刻蚀相邻导电层之间的绝缘层,不会存在深孔和浅孔的区别,避免了浅孔出现过刻和坡度角异常的问题,提高了产品的良率和品质。
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公开(公告)号:CN103460270A
公开(公告)日:2013-12-18
申请号:CN201280015404.7
申请日:2012-03-22
申请人: 夏普株式会社
发明人: 美崎克纪
IPC分类号: G09F9/30 , G02F1/1368 , G09F9/00 , H01L29/786
CPC分类号: H01L27/1248 , G02F1/13458 , G02F1/136213 , G02F2001/133337 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , G02F2201/501 , H01L27/1225 , H01L27/1296 , H01L27/3258 , H01L27/3262 , H01L29/78606
摘要: 有源矩阵基板(1)具有源极电极(32)、漏极电极(33)和含有氧化物半导体的半导体层(31),在栅极电极(12a)之上形成有含有氧化硅的栅极绝缘层(42),在栅极绝缘层(42)之上形成有源极电极(32)、漏极电极(33)和半导体层(31),在栅极绝缘层(42)之上以不覆盖半导体层(31)的方式形成有含有氮化硅的第一保护层(44),在半导体层(31)之上形成有含有氧化硅的第二保护层(46)。第一保护层(44)覆盖信号线(14)和源极连接线(36)。
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公开(公告)号:CN103365013A
公开(公告)日:2013-10-23
申请号:CN201310272546.8
申请日:2013-07-01
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
发明人: 武延兵
IPC分类号: G02F1/1362 , G02F1/13
CPC分类号: G02F1/133512 , G02F2001/133342 , G02F2001/133567 , G02F2001/13629
摘要: 本发明公开了一种阵列基板、液晶显示屏及显示装置,在液晶显示屏中设置第一挡光部,该第一挡光部与阵列基板的有效显示区域具有的多条金属信号线一一对应,第一挡光部在阵列基板的正投影覆盖金属信号线在阵列基板的正投影,且第一挡光部位于金属信号线背离液晶层的一侧,由于设置的第一挡光部可以遮挡外部光线从阵列基板一侧照射到金属信号线上,避免了金属信号线反射光线,从而改善了透明显示器从阵列基板一侧的观看效果,可以实现双面显示。
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公开(公告)号:CN101650505B
公开(公告)日:2013-10-09
申请号:CN200910162626.1
申请日:2009-08-14
申请人: 三星显示有限公司
IPC分类号: G02F1/1362 , G02F1/1368 , G03F7/00 , H01L21/84
CPC分类号: G02F1/134363 , G02F2001/136231 , G02F2001/136236 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , G02F2201/124 , G02F2201/50 , H01L27/124 , H01L27/1288
摘要: 本发明提供了一种薄膜晶体管显示面板及其制造方法。该薄膜晶体管显示面板包括:绝缘基板;栅极线和数据线,在绝缘基板上彼此交叉地设置以使彼此电绝缘;公共线,设置在绝缘基板上且平行于栅极线;栅极绝缘膜,设置在栅极线和公共线上;接触孔,穿过设置在公共线上的栅极绝缘膜;多个公共电极,通过接触孔电连接到公共线并彼此平行地布置;以及多个像素电极,平行于公共电极布置。公共电极和像素电极的厚度小于数据线的厚度。
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公开(公告)号:CN103278989A
公开(公告)日:2013-09-04
申请号:CN201310161321.5
申请日:2013-05-03
申请人: 合肥京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
发明人: 徐向阳
IPC分类号: G02F1/1368 , G02F1/1362 , G02F1/1333
CPC分类号: G02F1/1345 , G02F1/133345 , G02F2001/13456 , G02F2001/13629 , H01L27/124
摘要: 本发明实施例提供了一种显示面板及其制作方法、液晶显示器,用于降低栅线外围走线的电阻,减小信号衰减与延迟,提高显示效果。本发明实施例提供的一种显示面板包括栅线外围走线区域,所述栅线外围走线区域包括依次形成于基板上的第一走线层、栅极绝缘层和第二走线层;所述栅极绝缘层存在至少一个第一开口,所述第一走线层与所述第二走线层在第一开口处连接。
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公开(公告)号:CN103278986A
公开(公告)日:2013-09-04
申请号:CN201310110333.5
申请日:2013-04-01
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
发明人: 吴洪江
IPC分类号: G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L21/336
CPC分类号: G02F1/136286 , G02F1/133512 , G02F1/133707 , G02F2001/13629 , G02F2201/40 , H01L27/124
摘要: 本发明涉及显示技术领域,公开了一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法,所述阵列基板,包括衬底基板和阵列排布的多个薄膜晶体管,还包括:位于所述衬底基板上的公共电极线;位于所述衬底基板上与所述公共电极线电连接的公共电极;覆盖所述公共电极线、公共电极和衬底基板的绝缘层;所述薄膜晶体管位于所述绝缘层上,并且与每一行所述薄膜晶体管的栅极连接的扫描线位于所述公共电极线的上方。采用本发明技术方案,由于公共电极线位于扫描线的下方,并且扫描线与公共电极线间采用绝缘层进行绝缘,因此,彩膜基板的黑矩阵的线宽可以相应减小,进而提高了面板开口率和透过率。
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公开(公告)号:CN103278977A
公开(公告)日:2013-09-04
申请号:CN201310213991.7
申请日:2013-05-31
申请人: 深圳市华星光电技术有限公司
IPC分类号: G02F1/1343 , G02F1/133
CPC分类号: G09G3/3607 , G02F1/1362 , G02F1/136213 , G02F1/136286 , G02F2001/13629 , G09G3/3648 , G09G3/3659 , G09G2300/0447 , G09G2300/0465 , G09G2300/08 , G09G2320/028
摘要: 本发明公开了一种像素结构,其包括多个像素,每一像素包括相邻设置的第一、第二以及第三像素区。第一像素区包括第一像素电极和第一控制开关,第二像素区包括第二像素电极和第二控制开关,第三像素区包括第三像素电极和第三控制开关。第三像素电极依次通过第三控制开关和第二控制开关连接数据信号,第三像素电极还通过第三控制开关连接第二像素电极以在第一控制开关、第二控制开关以及第三控制开关均导通时使得第一像素电极和第二像素电极的电位不同。本发明还公开了一种具有上述像素结构的液晶显示面板及该液晶显示面板的驱动方法。通过上述方式,本发明能够在不降低像素结构开口率的情况下实现低色偏的效果,从而避免大视角颜色失真。
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公开(公告)号:CN103207486A
公开(公告)日:2013-07-17
申请号:CN201310009142.X
申请日:2013-01-10
申请人: 精工爱普生株式会社
发明人: 中村定一郎
IPC分类号: G02F1/1362 , G02F1/1343
CPC分类号: G02F1/136286 , G02F1/1333 , G02F1/133512 , G02F1/134309 , G02F1/134336 , G02F1/1345 , G02F2001/133388 , G02F2001/13629
摘要: 本发明提供液晶装置以及电子设备。其中,与周边电极用布线电连接的第3外部连接用端子配置于与数据信号供给布线电连接的第1外部连接用端子和与扫描信号供给布线电连接的第2外部连接用端子之间,周边电极用布线配置为,与数据信号供给布线以及扫描信号供给布线俯视不交叉。
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公开(公告)号:CN103034002A
公开(公告)日:2013-04-10
申请号:CN201210377390.5
申请日:2012-09-27
申请人: 株式会社日本显示器东
发明人: 栗田诚
IPC分类号: G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/1333
CPC分类号: G02F1/136286 , G02F2001/136263 , G02F2001/13629
摘要: 本发明提供一种液晶显示装置及其制造方法。本发明的课题是防止影像信号线的图案化时影像信号线的断线。影像信号线(107)、漏电极(107)及源电极(107)同层同时地形成。影像信号线(107)等由基层(1071)、AlSi层(1072)及覆盖层(1073)这三层形成。以往在AlSi层(1072)中与覆盖层(1073)的边界形成有蚀刻速率较快的合金,导致在影像信号线(107)等的图案化时发生断线。在本发明中,在影像信号线(107)等的形成时,在通过溅镀而形成了AlSi层(1072)后将TFT暴露在大气中,在AlSi层表面形成了Al氧化层后通过溅镀来形成覆盖层(1073)、由此防止在AlSi层上形成蚀刻速率部分地变快的合金,防止影像信号线等的断线。
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