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公开(公告)号：CN1289707C
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN01802601.X
申请日：2001-08-17
申请人： 独立行政法人科学技术振兴机构
CPC分类号： H01F41/205 , B01J23/002 , B01J23/75 , B01J35/002 , B01J35/004 , B01J2523/00 , B82Y25/00 , C23C14/08 , C23C14/28 , C30B23/02 , C30B29/22 , G11B5/656 , G11B5/85 , H01F10/007 , H01F10/193 , H01F10/28 , Y10T428/12806 , Y10T428/12986 , B01J2523/47 , B01J2523/845
摘要： 提供作为催化剂能力高的光催化剂、同时具有电·光·磁功能的半导体材料及透明磁铁有用的二氧化钛·钴磁性膜，该膜以化学式：Ti1-xCoxO2表示，式中0＜x≤0.3，同时Co置换到Ti晶格位置上，且在单晶衬底上外延生长。其晶体结构是锐钛矿结构或金红石结构，带隙能量根据置换到前述Ti晶格位置的前述Co浓度，在3.13eV～3.33eV的范围变化，即使在不低于室温的温度也能保持磁化，且在可见光中透明。制造该膜时，在规定的氧压气氛的真空槽内，以规定的照射条件将规定的激光照射到由以规定的混合比混合的TiO2和Co构成的靶上，使TiO2和Co蒸发，在加热到规定的衬底温度的单晶衬底上成膜。
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公开(公告)号：CN1266719C
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN03110239.5
申请日：2003-04-07
申请人： 夏普株式会社
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C2213/31 , H01F10/193 , H01F21/00 , H01F41/24 , H01L27/08 , H01L28/10 , Y10T29/4902
摘要： 一种制作本发明的固态电感器的方法，它包括：形成底部电极；形成覆盖底部电极的超巨磁电阻(CMR)薄膜；形成覆盖所述CMR薄膜的顶部电极；对CRM薄膜加给电场处理，并响应所述电场处理，将CMR薄膜转变成CMR薄膜电感。
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公开(公告)号：CN1659664A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN03813072.6
申请日：2003-06-05
申请人： 独立行政法人科学技术振兴机构
IPC分类号： H01F10/193 , G02F1/09 , G02B27/28
CPC分类号： H01F1/404 , H01F1/0009 , H01F1/402 , H01F1/405 , H01F10/193
摘要： 采用透射光线的IV族系半导体III－V族系化合物半导体或II－VI族系化合物半导体，可得稳定的铁磁性特性。于IV族系半导体、III－V族半导体系化合物半导体、或II－VI族系化合物半导体内，使含有由Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu的稀土类金属元素而成的群体选出的至少一种金属。因此由此等稀土类金属浓度的调整及由此等稀土类金属的2种以上的金属的组合，由p型及n型掺杂剂记的添加等，可调整铁磁性特性。
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公开(公告)号：CN1453803A
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN03110239.5
申请日：2003-04-07
申请人： 夏普株式会社
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C2213/31 , H01F10/193 , H01F21/00 , H01F41/24 , H01L27/08 , H01L28/10 , Y10T29/4902
摘要： 一种制作本发明的固态电感器的方法，它包括：形成底部电极；形成覆盖底部电极的超巨磁电阻(CMR)薄膜；形成覆盖所述CMR薄膜的顶部电极；对CMR薄膜加给电场处理，并响应所述电场处理，将CMR薄膜转变成CMR薄膜电感。
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