公开(公告)号：CN102487124B

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201110290063.1

申请日：2011-09-21

申请人： 中国科学院物理研究所

发明人： 韩秀峰 ,  刘厚方 ,  瑞之万

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C13/00

CPC分类号： H01L43/10 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/22 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/52 ,  G11C2213/53 ,  G11C2213/55 ,  H01F10/193 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/3218 ,  H01F10/3272 ,  H01L27/22 ,  H01L27/224 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

摘要： 一种电场调控型纳米多层膜、电场调制型场效应管、开关型电场传感器及电场驱动型随机存储器及制备方法，以用来获得室温下电场调制多层薄膜中的电致电阻效应。该纳米多层膜由下至上依次包括底层1、基片、底层2、功能层、缓冲层、绝缘层、中间导电层、覆盖层，中间导电层为磁性金属、磁性合金或者磁性金属复合层时，缓冲层和绝缘层可以根据实际需要选择性的添加。当中间导电层为非磁性金属层或反铁磁性金属层时，缓冲层和绝缘层必须添加，以便获得较高的信噪比。本发明通过变化的电场对铁电或多铁性材料的电极化特性进行调制，从而达到影响和改变金属层的电导的作用，调控器件电阻的变化，获得不同的电场下对应不同的电阻态，实现电致电阻效应。

公开(公告)号：CN100589247C

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200480008988.0

申请日：2004-03-30

申请人： 独立行政法人科学技术振兴机构

发明人： 菅原聪 ,  田中雅明

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L43/08

CPC分类号： H01F10/3254 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/16 ,  H01F1/405 ,  H01F10/193 ,  H01L27/228 ,  H01L29/66984

摘要： 按照将本发明的铁磁性半导体用于沟道区的MISFET，具有作为可用栅电压控制漏电流的晶体管的特性，与此同时，还一并具有其转移电导可受铁磁性沟道区与铁磁性源(或铁磁性漏，或铁磁性源和铁磁性漏双方)的相对的磁化方向控制的特征性的特性。从而，可由该相对的磁化方向来存储2值的信息，与此同时，可用电学方法检测出该相对的磁化方向。另外，只要应用因由铁磁性半导体构成的沟道区的场效应导致的磁性控制，即可大幅度减少信息的改写所需的电流。因此，上述MISFET可构成适合于高密度集成化的高性能非易失性存储单元。

公开(公告)号：CN1388838A

公开(公告)日：2003-01-01

申请号：CN01802601.X

申请日：2001-08-17

申请人： 科学技术振兴事业团

发明人： 鲤沼秀臣 ,  松本祐司

IPC分类号： C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  B01J35/02 ,  H01F10/20 ,  G11B5/65 ,  G11B5/84

CPC分类号： H01F41/205 ,  B01J23/002 ,  B01J23/75 ,  B01J35/002 ,  B01J35/004 ,  B01J2523/00 ,  B82Y25/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  C30B23/02 ,  C30B29/22 ,  G11B5/656 ,  G11B5/85 ,  H01F10/007 ,  H01F10/193 ,  H01F10/28 ,  Y10T428/12806 ,  Y10T428/12986 ,  B01J2523/47 ,  B01J2523/845

摘要： 提供作为催化剂能力高的光催化剂、同时具有电·光·磁功能的半导体材料及透明磁铁有用的二氧化钛·钴磁性膜,该膜以化学式:Ti1－xCoxO2表示,式中0

公开(公告)号：CN104541197B

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201380005828.X

申请日：2013-08-19

申请人： 华为技术有限公司

发明人： 陈健 ,  徐之光

IPC分类号： G02F1/09

CPC分类号： G02F1/0955 ,  G02F1/0036 ,  H01F10/193

摘要： 本发明提供一种光隔离器，包括平面光波回路(10)、磁光薄膜(20)以及具有磁场的金属薄膜(30)；所述平面光波回路(10)中设置有光信号的传输通道；所述磁光薄膜(20)铺设在所述平面光波回路(10)上，所述磁光薄膜(20)所在平面与所述光信号的传输通道平行；所述具有磁场的金属薄膜(30)铺设在所述磁光薄膜(20)上。

公开(公告)号：CN102856488B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201110305257.4

申请日：2011-09-30

申请人： 中国科学院物理研究所

发明人： 韩秀峰 ,  李大来 ,  刘东屏

IPC分类号： H01L43/08

CPC分类号： H01L43/10 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/22 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/52 ,  G11C2213/53 ,  G11C2213/55 ,  H01F10/193 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/3218 ,  H01F10/3272 ,  H01L27/22 ,  H01L27/224 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

摘要： 本发明提供一种基于铁电及多铁材料可逆电致电阻效应的纳米多层膜逻辑器件。由单功能层制备的逻辑器件，通过对初始逻辑输出态的设置，可以实现与非逻辑和或非逻辑功能；由双功能层制备的逻辑器件，在双输入的情况下，通过对初始逻辑输出态的设置，可以实现与非逻辑和或非逻辑功能；由双功能层制备的逻辑器件，在三输入(其中一个输入作为控制输入)的情况下，通过对初始逻辑输出态的设置，可以实现与非逻辑和或非逻辑功能。

公开(公告)号：CN101159287B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200710165851.1

申请日：2004-03-30

申请人： 独立行政法人科学技术振兴机构

发明人： 菅原聪 ,  田中雅明

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L27/22 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01F10/3254 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/16 ,  H01F1/405 ,  H01F10/193 ,  H01L27/228 ,  H01L29/66984

摘要： 本发明涉及具有自旋相关转移特性的隧道晶体管及使用了它的非易失性存储器。按照将本发明的铁磁性半导体用于沟道区的MISFET，具有作为可用栅电压控制漏电流的晶体管的特性，与此同时，还一并具有其转移电导可受铁磁性沟道区与铁磁性源(或铁磁性漏，或铁磁性源和铁磁性漏双方)的相对的磁化方向控制的特征性的特性。从而，可由该相对的磁化方向来存储2值的信息，与此同时，可用电学方法检测出该相对的磁化方向。另外，只要应用因由铁磁性半导体构成的沟道区的场效应导致的磁性控制，即可大幅度减少信息的改写所需的电流。因此，上述MISFET可构成适合于高密度集成化的高性能非易失性存储单元。

公开(公告)号：CN100430335C

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200480004979.4

申请日：2004-02-06

申请人： 斯宾特尼克斯有限公司

发明人： P·夏尔马 ,  K·V·拉奥 ,  B·约翰松 ,  R·阿胡贾

IPC分类号： C04B35/453 ,  H01F10/10

CPC分类号： H01F41/205 ,  B82Y25/00 ,  C04B35/453 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/9653 ,  H01F1/0009 ,  H01F1/0045 ,  H01F1/401 ,  H01F1/402 ,  H01F10/193 ,  H01F41/0246 ,  H01F41/18 ,  H01L41/187 ,  H01L43/10

摘要： 制造掺杂低铁磁性半导体材料的方法，该方法通过向块状形式的氧化锌中掺杂锰且其浓度的最大水平为5原子%。优选在最高650℃的温度下对该材料进行烧结。该方法的结果是包含Mn掺杂ZnO的半导体材料，且Mn的浓度不超过5at%，其中所述的Mn掺杂ZnO在约218K至425K温度范围的至少一部分是铁磁性的。

公开(公告)号：CN101026188A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200610115794.1

申请日：2006-08-17

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 约尔格·翁德里 ,  大卫·威廉斯 ,  托马斯·琼沃思 ,  安德鲁·欧文 ,  布赖恩·加拉格尔

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/00

CPC分类号： H01L29/201 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  H01F1/404 ,  H01F10/193 ,  H01L29/26 ,  H01L29/7613 ,  H01L29/7888

摘要： 一种单电子晶体管(1)具有形成在5nm厚的Ga0.98Mn0.02As层(4)中的伸长导电沟道(2)和侧栅极(3)。该单电子晶体管(1)可在第一模式下作为晶体管工作，及在第二模式下，作为非易失性存储器工作。

公开(公告)号：CN1998068A

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200580016180.1

申请日：2005-05-17

申请人： NM斯平特罗尼克公司

发明人： 文卡特·拉奥 ,  帕马南德·沙马 ,  阿米塔·格普塔

IPC分类号： H01L21/24 ,  H01L21/324 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/227 ,  H01F1/0009 ,  H01F1/404 ,  H01F1/407 ,  H01F10/193 ,  H01L43/10

摘要： 本发明提供一种半导体材料、制造该材料的方法、以及应用该材料的方式，其中所述材料被掺杂以Cu或CuO，且至少在－55℃和125℃之间范围的一温度下是铁磁的。通常，所述材料可包括GaP或GaN。

公开(公告)号：CN105551794A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201511008671.3

申请日：2015-12-29

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所

发明人： 周仁伟 ,  刘学超 ,  郑燕青 ,  施尔畏

IPC分类号： H01F41/22 ,  H01F1/40 ,  H01F10/193 ,  C23C16/32 ,  C23C16/56

CPC分类号： H01F41/22 ,  C23C16/325 ,  C23C16/56 ,  H01F1/401 ,  H01F10/193

摘要： 本发明涉及一种SiC基稀磁半导体薄膜及其制备方法，所述方法以一定剂量的碳粒子12C+对SiC薄膜材料进行辐照，即制得SiC基稀磁半导体薄膜。通过本发明的方法处理后的SiC薄膜，薄膜具有明显的室温铁磁性，且其饱和磁化强度相较强，具有良好的潜在应用价值。本发明方法稳定有效，可以在不破坏材料的前提下制备出一种SiC基稀磁半导体薄膜材料。