公开(公告)号：CN106478732A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610847189.7

申请日：2016-09-23

申请人： 肇庆学院

发明人： 马德运 ,  覃亮 ,  郭海福 ,  雷佳眉 ,  温美玲 ,  蔡立文

IPC分类号： C07F15/00 ,  H01F1/00

CPC分类号： C07F15/045 ,  C07B2200/13 ,  H01F1/0009

摘要： 本发明涉及一种基于镍(II)的双核金属有机配合物，该金属有机配合物是重复单元为Ni2(fdc)2(bipy)2(H2O)4]·(H2O)2的镍金属有机配合物，所述的化学式Ni2(fdc)2(bipy)2(H2O)4]·(H2O)2中的fdc为呋喃-2,5-二羧酸，dmbpy为3,3’-二甲基-4,4’-联吡啶；本发明所述的镍(II)双核金属有机配合物具有良好的反铁磁性。

公开(公告)号：CN102208235B

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201110037844.X

申请日：2011-02-15

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 神田乔之 ,  小室又洋 ,  铃木启幸 ,  佐通祐一

IPC分类号： H01F1/053 ,  H01F1/08 ,  H02K1/02

CPC分类号： H01F1/058 ,  H01F1/0009 ,  H01F1/0555 ,  H01F1/0575 ,  H01F1/0596 ,  H01F41/0293

摘要： 本发明提供磁性材料及使用该磁性材料的电动机，所述磁性材料在不使用作为稀缺资源的重稀土元素的情况下可改善磁性材料的特性。通过向磁粉导入氟及控制晶粒内的结晶方位，可以制作确保矫顽力以及剩余磁通密度等磁特性的磁性材料。其结果，可以解决重稀土元素的资源问题，可以应用于各种旋转机或包含硬盘的音圈电动机的需要高能量积的磁路。

公开(公告)号：CN108690094A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810468959.6

申请日：2018-05-16

申请人： 陕西科技大学

发明人： 庞凌燕 ,  张晨鸽 ,  刘辉 ,  李军奇 ,  高娇娇

IPC分类号： C07F15/06 ,  H01F1/00

CPC分类号： C07F15/065 ,  C07B2200/13 ,  H01F1/0009

摘要： 本发明公开了一种[Co2(dba)(bpe)(OH)](H2O)]反铁磁配合物及其制备方法，由2‑(3’,4’‑二羧基苯基）苯甲酸（H3dba）、双吡啶基乙烯（bpe）与钴组成，为一例三维致密结构，拥有P21/n空间群，晶体学参数a=10.8399(10)Å，b=14.3010(13)Å，c=17.0860(15)Å，α=90°，β=91.10°，γ=90°，V=2648.2Å3。本发明所述配合物具有良好的反铁磁性。本发明还公开了其制备方法：将钴盐、H3dba、bpe在聚四氟乙烯反应内衬中进行水热反应将产物过滤，洗涤，干燥，即可获得所述配合物。该方法中，反应原料经济实用、产率较高、操作过程简单、反应条件温和、易于调控、绿色环保。

公开(公告)号：CN100346427C

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN03106604.6

申请日：2003-02-26

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 小室又洋 ,  小室胜博

IPC分类号： H01F1/053 ,  H01F7/02 ,  H01F41/02 ,  H02K1/02

CPC分类号： H02K1/02 ,  H01F1/0009 ,  H01F1/086 ,  H01F41/0273

摘要： 在室温以上使用含有稀土类元素的硬质磁性材料的情况下，为了减小磁性特性的温度依赖性，有必要使用具有高矫顽力和小矫顽力温度系数的硬质磁性材料。为了实现上述目的，通过在硬质磁性材料中添加反铁磁性材料，在磁场中进行冷却处理，在硬质磁性材料和反铁磁性材料之间产生磁偶合，抑制硬质磁性材料的磁化作用，借此增加矫顽力，减小矫顽力的温度系数。通过在室温以上的温度范围内使用的电机等中使用，可以直到高温均保持高转矩，特别是可以适用于工业、汽车、半导体装置等的输送、发电机等中。

公开(公告)号：CN1248319A

公开(公告)日：2000-03-22

申请号：CN98802670.8

申请日：1998-10-20

申请人： 株式会社东芝

发明人： 冈村正巳 ,  新井智久 ,  桥本启介

IPC分类号： F25B9/00

CPC分类号： H01F1/015 ,  F25B9/14 ,  F25B2309/003 ,  H01F1/0009

摘要： 本发明提供一种含有由通式(1)表示的磁性体的蓄冷材料,和使用了该蓄冷材料的能在极低温度区域内长时间发挥显著而稳定的冷冻能力的蓄冷式冷冻机。RCu1－xM1+x————(1)(式中,R是从Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Er、Ho、Tm和Yb中选出的至少1种稀土元素,M是从Ag、Au、Al、Ga、In、Ge、Sn、Sb、Si、Bi、Ni、Pd、Pt、Zn、Co、Rh、Ir、Mn、Fe、Ru、Cr、Mo、W、V、Nb、Ta、Ti、Zr和Hf中选择的至少一种元素,Ni和Ge不能同时选取,x为满足关系式－0.95≤x≤0.90的原子比)。

公开(公告)号：CN104350555A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201380025603.0

申请日：2013-04-15

申请人： 国家科研中心 ,  斯特拉斯堡大学

发明人： 马丁·鲍恩 ,  沃尔夫冈·韦伯 ,  罗伊克·兆丽 ,  埃里克·博勒佩尔 ,  法布里斯·朔伊雷尔 ,  萨米·布加里 ,  米拜尔克·阿罗瓦尼

IPC分类号： H01F10/00 ,  H01F41/32 ,  H01F10/32

CPC分类号： H01L43/12 ,  H01F1/0009 ,  H01F10/005 ,  H01F10/3254 ,  H01F41/32 ,  H01L43/10

摘要： 一种电子过滤方法，使得费米能级处至少75％的电子传导电流被自旋极化，该方法与自旋极化电流源(2)一同使用，自旋极化电流源至少包括：包括有导电衬底(10)和有机层(20)的极化自旋注入器件,导电衬底(10)的第一面(11)具有磁特性并且有机层(20)与衬底的第一面接触；被称为接地(30)的导电材料，有机层被设置在接地与衬底之间；被电连接到衬底的第一面以及接地上的电流源(40)；所述方法包括借助于电流源使电子传导电流在高于-220℃的温度下在衬底的第一面与接地之间流通。

公开(公告)号：CN100430335C

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200480004979.4

申请日：2004-02-06

申请人： 斯宾特尼克斯有限公司

发明人： P·夏尔马 ,  K·V·拉奥 ,  B·约翰松 ,  R·阿胡贾

IPC分类号： C04B35/453 ,  H01F10/10

CPC分类号： H01F41/205 ,  B82Y25/00 ,  C04B35/453 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/9653 ,  H01F1/0009 ,  H01F1/0045 ,  H01F1/401 ,  H01F1/402 ,  H01F10/193 ,  H01F41/0246 ,  H01F41/18 ,  H01L41/187 ,  H01L43/10

摘要： 制造掺杂低铁磁性半导体材料的方法，该方法通过向块状形式的氧化锌中掺杂锰且其浓度的最大水平为5原子%。优选在最高650℃的温度下对该材料进行烧结。该方法的结果是包含Mn掺杂ZnO的半导体材料，且Mn的浓度不超过5at%，其中所述的Mn掺杂ZnO在约218K至425K温度范围的至少一部分是铁磁性的。

公开(公告)号：CN101183594A

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200710162491.X

申请日：2003-02-26

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 小室又洋 ,  小室胜博

IPC分类号： H01F7/02 ,  H01F1/053 ,  H01F1/14 ,  H02K1/27

CPC分类号： H02K1/02 ,  H01F1/0009 ,  H01F1/086 ,  H01F41/0273

摘要： 在室温以上使用含有稀土类元素的硬质磁性材料的情况下，为了减小磁性特性的温度依赖性，有必要使用具有高矫顽力和小矫顽力温度系数的硬质磁性材料。为了实现上述目的，通过在硬质磁性材料中添加反铁磁性材料，在磁场中进行冷却处理，在硬质磁性材料和反铁磁性材料之间产生磁偶合，抑制硬质磁性材料的磁化作用，借此增加矫顽力，减小矫顽力的温度系数。通过在室温以上的温度范围内使用的电机等中使用，可以直到高温均保持高转矩，特别是可以适用于工业、汽车、半导体装置等的输送、发电机等中。

公开(公告)号：CN1998068A

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200580016180.1

申请日：2005-05-17

申请人： NM斯平特罗尼克公司

发明人： 文卡特·拉奥 ,  帕马南德·沙马 ,  阿米塔·格普塔

IPC分类号： H01L21/24 ,  H01L21/324 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/227 ,  H01F1/0009 ,  H01F1/404 ,  H01F1/407 ,  H01F10/193 ,  H01L43/10

摘要： 本发明提供一种半导体材料、制造该材料的方法、以及应用该材料的方式，其中所述材料被掺杂以Cu或CuO，且至少在－55℃和125℃之间范围的一温度下是铁磁的。通常，所述材料可包括GaP或GaN。

公开(公告)号：CN1174200C

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN98802670.8

申请日：1998-10-20

申请人： 株式会社东芝

发明人： 冈村正巳 ,  新井智久 ,  桥本启介

IPC分类号： F25B9/00 ,  C09K5/00 ,  F25B9/14

CPC分类号： H01F1/015 ,  F25B9/14 ,  F25B2309/003 ,  H01F1/0009

摘要： 本发明提供一种蓄冷材料，该蓄冷材料含有由通式(2)表示的磁性体：Ho1-xRx(Cu1-yMy)2(2)式中R是从Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Er、Tm和Yb中选择的至少1种稀土元素，M是从Ag、Au、Al、Ga、In、Ge、Sn、Sb、Si、Bi、Ni、Pd、Pt、Zn、Co、Rh、Ir、Mn、Fe、Ru、Cr、Mo、W、V、Nb、Ta、Ti、Zr和Hf中选择的至少一种元素，式中x、y以原子比计，分别满足0≤x≤0.5，0≤y≤0.5，x+y≠0。本发明还提供了使用了该蓄冷材料的蓄冷式冷冻机、超导磁铁、核磁共振成象装置、低温泵和外加磁场式单晶拉制装置。