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公开(公告)号：CN118337174A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410437192.6
申请日：2024-04-11
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本发明公开了一种高Q值PMUT器件及其制造方法。高Q值PMUT器件包括沿选定方向层叠设置的支撑结构层、底电极、压电层和顶电极，所述支撑结构内具有谐振腔，所述顶电极完全位于所述谐振腔沿所述选定方向形成的第一正投影区域内，所述第一正投影区域包括第一区域和第二区域，所述第一区域环绕所述第二区域，所述谐振腔的中轴线位于所述第二区域，所述顶电极包括至少一个环形电极，所述环形电极位于所述第一区域，且环绕所述第二区域设置，所述环形电极的环宽与所述谐振腔的半径的比值为0.1～0.3。本发明通过对环形电极的尺寸以及位置进行优化，可以将PMUT器件的Q值提高到1800以上，等效电阻可以小至500Ω。
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公开(公告)号：CN118336374A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410543888.7
申请日：2024-04-30
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本发明公开了一种基于肖特基势垒二极管的太赫兹空间光直接移相器及其应用。太赫兹空间光直接移相器包括：太赫兹偶极子天线、肖特基势垒二极管以及两条馈线，太赫兹偶极子天线所包含的两个天线分别与肖特基势垒二极管的阴极、阳极电连接，两条馈线分别与肖特基势垒二极管的阴极、阳极电连接，当经由馈线对肖特基势垒二极管施加偏压且使偏压连续变化时，肖特基势垒二极管的电容随偏压的变化而变化，太赫兹偶极子天线的谐振相位随电容的变化而变化。本发明实施例提供的一种基于肖特基势垒二极管(SBD)的太赫兹空间光直接移相器的基本原理是利用SBD的变容特性调控太赫兹天线的谐振相位，而电容是储能元件，即本发明从机理上降低了基本阵元的插损。
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公开(公告)号：CN118275735A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211714599.6
申请日：2022-12-29
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本发明公开了一种平面TEM样品制备方法，包括：S1、在半导体外延结构上表面的待测区域上依次沉积第一保护层和第二保护层，半导体外延结构包括衬底及位于衬底上的半导体外延层，第一保护层和第二保护层于电子束下具有暗或明的亮度；S2、调整半导体外延结构的倾斜程度，于电子束下观测第一保护层或第二保护层的亮度变化，获取第一保护层或第二保护层的亮度均匀时半导体外延结构的倾斜角度；S3、在倾斜角度下，通过电子束和/或离子束对半导体外延结构的正面和/或背面进行切割减薄。本发明通过沉积多层第一保护层和第二保护层，并通过电子束观察其亮度变化，以使其与电子束和/或离子束平行，从而使得减薄出来的样品面积足够，并且减薄的位置准确。
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公开(公告)号：CN118259515A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410499120.4
申请日：2024-04-24
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本发明公开了一种基于超表面的双稳态光学变焦器件、其制备方法及应用。所述器件包括第一超表面阵列、第二超表面阵列、第一调谐单元和第二调谐单元；第一超表面阵列与第二超表面阵列共轴设置且具有不同的焦距；第一调谐单元和第二调谐单元均能够被独立地施加电压从而调节透明度。本发明所提供的技术方案将两种具有不同焦距的稀疏孔径超构透镜共轴集成在同一平面上并与能够电调节透明度的调谐单元相结合进行全局性设计，使得每个独立的稀疏孔径超构透镜的开关状态都可以被电控制，对构成稀疏孔径超构透镜组的两种子孔径超表面结构阵列实现独立电调控，从而解决基于超表面的双稳态双焦点光学变焦成像透镜的制备与应用难题。
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公开(公告)号：CN113363133B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202010146465.3
申请日：2020-03-05
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明公开了一种氮化铝‑碳化硅复合膜的制作方法，包括：对碳化硅衬底的碳面进行粗化，以形成粗化碳面；利用外延生长工艺在所述粗化碳面上形成具有孔结构的氮化铝薄膜。本发明公开了利用上述的制作方法来制作的氮化铝‑碳化硅复合膜。本发明解决了在碳化硅衬底上生长氮化铝薄膜时，两者之间产生张应力，导致氮化铝薄膜上发生裂纹的问题。
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公开(公告)号：CN116122040B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202310008893.3
申请日：2023-01-04
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： D06M11/74 , D06M15/03 , D06M13/123 , C08J5/06 , C08L63/00 , D06M101/40
摘要： 本发明提供了一种碳纳米管接枝的碳纤维的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)将功能化碳纤维与含有反应性基团的桥连剂反应，得到改性碳纤维；(2)将步骤(1)得到的改性碳纤维与功能化碳纳米管反应，得到所述碳纳米管接枝的碳纤维；所述功能化碳纤维、含有反应性基团的桥连剂和功能化碳纳米管的质量比为1:(1～6):(0.3～3)。本发明中，所述制备方法通过引入含有反应性基团的桥连剂，使得碳纳米管均匀缠绕在碳纤维表面，提高了碳纤维与树脂的润湿性，增强了碳纤维与树脂基体的界面性能，进而导致碳纤维树脂复合材料的机械性能得到提高。
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公开(公告)号：CN112909189B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN201911219946.6
申请日：2019-12-03
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本发明公开了一种高功函数可调的三元过渡金属氮化物、其制备方法及应用。所述三元过渡金属氮化物为MoxM1‑xN，其中M包括Ti、Hf、Zr、W中的任意一种，0.7≤x≤1。本发明的三元过渡金属氮化物功函数可控，利用其制成的膜具有高功函数、高反射率以及高导电性等优点，可应用于制备顶发射型OLED器件、Si/PEDOT:PSS杂化太阳能电池、高功函数p型有机半导体或无机半导体等领域。
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公开(公告)号：CN118234367A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410328582.X
申请日：2024-03-21
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本发明公开了一种铁磁异质结构及其制备方法，该铁磁异质结构包括依次层叠设置的衬底层、拓扑绝缘体层、铁磁层、隧穿层和重金属层，所述拓扑绝缘体层采用分子束外延法制得。本发明提供的铁磁异质结构及其制备方法，通过引入拓扑绝缘体层作为自旋源，利用其强自旋‑轨道耦合作用和独特的表面态，实现比传统重金属自旋源更高效的SOT效应。
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公开(公告)号：CN118210186A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410125611.2
申请日：2024-01-30
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本发明公开了一种光散射成像采集系统和光散射图像重建方法。光散射成像采集系统包括光源模块、散射片和成像模块，光源模块用于从不同角度对目标物照明，散射片用于对通过目标物的照明光进行散射，成像模块用于对散射片产生的散射光线进行成像。在采集图像过程中，使用不同角度的光照照明目标物，可以在成像系统的数值孔径不变的情况下提升成像分辨率，在图像重建时考虑了散射片对成像过程的影响，有助于实现透过散射介质的成像，在成像系统所提供的视场下获得相对其数值孔径所能带来的更高的分辨率，整个成像过程中无需进行侵入式标定，有利于提高成像效率。
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公开(公告)号：CN118184968A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410295383.3
申请日：2024-03-14
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本发明公开了一种聚合物受体材料及其制备方法与应用。所述制备方法包括：使第一化合物与第二化合物在催化剂催化的条件下进行聚合反应，制得聚合物受体材料。本发明中制备的聚合物受体材料具有较低HOMO能级、窄带隙、宽吸收、迁移率高，同时该聚合物受体材料与PM6具有相似的结构，可以增强与PM6的混溶性，改善器件长期稳定性。
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