-
公开(公告)号：CN115312643B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202210938635.0
申请日：2022-08-05
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 一种具有插入层的LED外延片，包括衬底，以及在衬底表面依次层叠设置的N型半导体层、多量子阱层、插入层和P型半导体层；所述的插入层包括在多量子阱层表面依次生长的高温uGaN层和超晶格Mg掺杂层，所述高温uGaN层生长在多量子阱层表面，所述超晶格Mg掺杂层生长在高温uGaN层表面；所述的超晶格Mg掺杂层为交替层叠的MgGaN层和MgN层组成的超晶格结构。本发明通过高温多量子阱层、低温多量子阱层和插入层，该插入层是由高温生长uGaN和超晶格MgGaN与MgN组成，能够有效改善结晶质量，同时还可提高空穴浓度，增加电子空穴复合率，从而提升LED光。
-
公开(公告)号：CN116646449B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202310649515.3
申请日：2023-06-02
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
发明人： 陈锴
摘要： 本发明公开了一种LED封装结构，包括分别与LED芯片的两个电极电连接的第一焊盘结构和第二焊盘结构，第一焊盘结构与第二焊盘结构之间相互绝缘，所述第一焊盘结构和第二焊盘结构的尺寸分别电性连接LED芯片的第一极性电极和第二极性，第一焊盘结构与第二焊盘结构的底面积之和是LED芯片封装底面积的0.3~1倍。该方案通过在小尺寸的芯片电极下生长更大面积焊盘结构的方式，扩大芯片与基板焊盘之间的接触面积，增加放置容错率，从而可以在不引入导电板的情况下实现CSP的直接使用，提高贴片良率。
-
公开(公告)号：CN114613891B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202210294419.7
申请日：2022-03-24
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种具有复合电子阻挡层的发光二极管及其制备方法，其电子阻挡层包括AlN单层和设置在AlN单层上的p型AlN/AlGaN/AlInGaN超晶格结构层，p型AlN/AlGaN/AlInGaN超晶格结构层为AlN子层、AlGaN子层、AlInGaN子层依次交替生长的结构层。本申请增加了复合电子阻挡层结构，通过AlN单层减小了电子阻挡层与多量子阱层及p型GaN层之间的晶格失配作用，并降低多量子阱层中的电子泄露；通过超晶格结构层并掺入Mg增强了电子阻挡效应，提高了空穴向多量子阱的注入率，增强了多量子阱中电子与空穴的复合效率，提高发光效率。
-
公开(公告)号：CN115360273B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202210712155.2
申请日：2022-06-22
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种氮化物半导体发光元件，包括衬底，以及在该衬底上依次层叠设置的缓冲层、三维生长层、U型半导体层、N型半导体层、有源层及P型半导体层；所述三维生长层包括两个子层堆叠的多个复合生长结构，每个复合结构包含第一子层和第二子层，第一子层材料为GaN，优选的为U型GaN；所述第二子层为InAlN，其组分配比范围为InxAl1‑xN，其中0.05＜x＜0.5，优选的组分配比为In0.17Al0.83N。本发明通过生长新型的三维生长层，为成核小岛纵向三维生长形成大岛，最终大岛合并，为后续生长平整高长晶质量低缺陷密度的GaN层铺垫，能够改善减少现有技术中外延片结构中的缺陷位错，改善长晶质量，提高ESD抗静电能力和发光效率。
-
公开(公告)号：CN114864774B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202210636079.1
申请日：2022-06-07
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
IPC分类号： H01L33/22
摘要： 本发明涉及半导体领域，公开了一种图形化衬底的制备方法及具有空气隙的LED外延结构，该方法为：在衬底本体上制备出第一光刻窗口，形成图案化的牺牲层；在牺牲层以及衬底本体表面沉积形成凸起结构的材料层；在材料层上制备出图案化的第二光刻窗口；且各第二光刻窗口的部分或全部外沿线位于牺牲层中至少一个图案的外沿线以内；刻蚀掉位于第二光刻窗口内的材料层形成顶部图案层；腐蚀掉没有被顶部图案层完全包裹在内的牺牲层中的图案，形成悬空部和底部图案层；去除正性光刻胶得到具有凸起结构的图形化衬底。外延结构中空气隙的存在，会使得其发出的光在该区域内发生更多的折射和反射，能够增加出光反射，提升出光效率和亮度。
-
公开(公告)号：CN115986023A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211503468.3
申请日：2022-11-29
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明涉及发光二极管制造领域，公开了一种发光二极管的外延片，包括衬底，以及依次位于其上的AlN缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、第三多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层和P型接触层，在第一和第二多量子阱层之间，和/或第二和第三多量子阱层之间，和/或第二多量子阱层内部还设有AlxInyGa（1‑x‑y）N层，1≥x＞0，1＞y≥0。本发明在第一和第二多量子阱层之间，和/或第二和第三多量子阱层之间，和/或第二多量子阱层内部插入数层禁带宽度较大的ALN层增加电子减速效果，降低部分电子扩散到P型发生非辐射复合，同时增加V型凹坑侧壁发光比例，从而提高整体发光辐射效率。
-
公开(公告)号：CN115986019A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211589817.8
申请日：2022-12-12
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种复合衬底及制备方法以及包含该衬底的外延结构和芯片，衬底包括：衬底本体上具有呈周期性间隔排列的图案化凹坑结构，凹坑结构上具有金属反射层，金属反射层上具有低折射率介质层，低折射率介质层将金属反射层完全包裹。本发明通过低折射率介质层、凹坑结构包裹金属反射层与无损伤生长面的多重技术组合，改善外延底层晶体质量与内量子效率，改善反射效果以提高出光效率，从内量子效率与出光效率二方面来提高LED芯片的光效水平。
-
公开(公告)号：CN115911199A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211419087.7
申请日：2022-11-14
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明涉及半导体器件技术领域，尤其是涉及一种发光二极管外延结构及发光二极管。发光二极管外延结构，包括：衬底，以及顺次设置于所述衬底上的N型半导体层、有源层和P型半导体层；有源层包括交替层叠设置的量子阱层和量子垒层，至少一个所述量子垒层为复合结构层；复合结构层包括一个或多个复合结构子层；复合结构子层包括层叠设置的未掺杂的氮化镓层、掺杂硼的氮化镓层和P型掺杂的氮化铝镓层。本发明的有源层中的量子垒层使用GaN/B‑GaN/P‑AlGaN超晶格方式，可以抑制电子溢流，并减小量子垒层与电子阻挡层之间的晶格失配度；同时，可以有效提升空穴的注入质量，进一步改善电子空穴的辐射复合效率，提升LED的发光效率。
-
公开(公告)号：CN115663083A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211017295.4
申请日：2022-08-23
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种发光二极管及其制备方法。所述发光二极管中的P型半导体层包括依次层叠设置在所述多量子阱发光层表面的第一电子阻挡层、第一空穴注入层、第二电子阻挡层和第二空穴注入层；所述第一电子阻挡层的能级低于所述第二电子阻挡层；所述第一电子阻挡层包含多个子层，其中至少一子层为P型掺杂氮化物层。本发明通过设置特定的P型半导体层结构，使第一电子阻挡层中含有P型杂质，并设置其能级低于第二电子阻挡层的能级，以便提升空穴的注入效率，从而改善LED器件的发光效率。
-
公开(公告)号：CN115084325A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210948659.4
申请日：2022-08-09
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种提升抗静电能力的GaN基LED外延结构及其制备方法，低温pGaN层之间和pAlGaN层之间增加插入层，所述插入层为AlN层；或，所述插入层为InxAl1‑xN层，其中0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
304 条记录 (耗时 0.058 秒)
