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公开(公告)号：CN116868069A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202180094001.5
申请日：2021-10-01
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明涉及一种用于在半导体装置晶片(SDW)的制造期间产生其质量参数值的系统及方法，所述方法包含：指定所述SDW上的多个测量位点集(MSS)，所述MSS中的每一者包含第一测量定向位点(FMS)及第二测量定向位点(SMS)，所述FMS及所述SMS为所述SDW上的不同测量位点；通过在第一测量定向上测量形成于所述MSS中的至少一者的每一所述FMS内的特征来产生第一测量定向质量参数数据集(FMQPD)；通过在第二测量定向上测量形成于所述MSS中的所述至少一者的每一所述SMS内的特征来产生第二测量定向质量参数数据集(SMQPD)；及至少部分基于所述FMQPD及所述SMQPD来产生至少一个工具诱发偏移(TIS)改进的质量参数值(TAQPV)。
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公开(公告)号：CN110709973B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN201880036421.6
申请日：2018-06-04
申请人： 科磊股份有限公司
摘要： 可将来自热扫描的缺陷保存例如在永久存储装置、随机存取存储器或分离数据库上。所述永久存储装置可为基于区块的虚拟检验器虚拟分析器VIVA或本地存储装置。可确定重复者缺陷检测工作且可基于所述重复者缺陷检测工作检验晶片。可分析重复者缺陷且可从所述永久存储装置读取对应于所述重复者缺陷的缺陷记录。可将这些结果回传到高阶缺陷检测控制器。
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公开(公告)号：CN114600156B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202080074186.9
申请日：2020-10-19
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： G06T7/00 , G06N3/0464 , G06N3/08
摘要： 本发明提供用于检测样品上的缺陷的方法及系统。一种系统包含第一深度学习(DL)网络，所述第一DL网络经配置以用于从在样品上检测到的缺陷候选者对滋扰进行滤波。所述第一DL网络的输出包含所述缺陷候选者中未作为所述滋扰被滤波的第一子集。所述系统还包含第二DL网络，所述第二DL网络经配置以用于从所述缺陷候选者的所述第一子集对滋扰进行滤波。计算机子系统将针对所述缺陷候选者的所述第一子集获取的高分辨率图像输入到所述第二DL网络中。所述第二DL网络的输出包含所述缺陷候选者中未作为所述滋扰被滤波的最终子集。所述计算机子系统将所述最终子集中的所述缺陷候选者指定为所述样品上的缺陷并产生所述缺陷的结果。
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公开(公告)号：CN116783474A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202180086549.5
申请日：2021-12-24
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： G01N21/95
摘要： 一种叠盖度量系统可包含照明子系统，所述照明子系统用以利用第一照明瓣及与所述第一照明瓣对置的第二照明瓣依序对叠盖目标进行照明，其中所述叠盖目标包含从第一样本层及第二样本层上的周期性结构形成的光栅上覆光栅特征。所述系统可进一步包含用以产生所述叠盖目标的第一图像及第二图像的成像子系统。所述第一图像包含所述光栅上覆光栅结构的从所述第一照明瓣的单个非零衍射级形成的未解析图像。所述第二图像包含所述一或多个光栅上覆光栅结构的从所述第二照明瓣的单个非零衍射级形成的未解析图像。所述系统可进一步包含用以基于所述第一图像及所述第二图像而确定所述第一层与所述第二层之间的叠盖误差的控制器。
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公开(公告)号：CN114144662B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202080051909.3
申请日：2020-07-20
申请人： 科磊股份有限公司
摘要： 在检验模块中将第一光源引导于工件的外表面处。经由第一路径将来自所述第一光源的从所述工件的所述外表面反射的光引导到相机。经由第二路径将来自所述第一光源的透射穿过所述工件的光引导到所述相机。将第二光源引导于所述工件的所述外表面处，与所述第一光源的光成180°。经由所述第二路径将来自所述第二光源的从所述工件的所述外表面反射的光引导到所述相机。经由所述第一路径将来自所述第二光源的透射穿过所述工件的光引导到所述相机。
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公开(公告)号：CN109074650B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN201780028770.9
申请日：2017-05-24
申请人： 科磊股份有限公司
摘要： 本发明提供用于从输入图像产生经模拟图像的方法及系统。一种系统包含一或多个计算机子系统及由所述一或多个计算机子系统执行的一或多个组件。所述一或多个组件包含神经网络，其包含经配置以用于确定样本的图像的特征的两个或两个以上编码器层。所述神经网络还包含经配置以用于从所述确定特征产生一或多个经模拟图像的两个或两个以上解码器层。所述神经网络不包含全连接层，借此消除对输入到所述两个或两个以上编码器层的图像大小的约束。
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公开(公告)号：CN111052329B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN201880052739.3
申请日：2018-08-14
申请人： 科磊股份有限公司
摘要： 本文中呈现用于装置上结构的较高效X射线散射测量术测量的方法及系统。对测量区上方的一或多个结构的X射线散射测量术测量包含将所述一或多个结构分解成多个子结构、将所述测量区分解成多个子区或进行所述两个操作。独立地模拟所述经分解结构、测量区或两者。组合所述独立模拟的经分解结构中的每一者的散射贡献以模拟所述测量区内的所述所测量结构的实际散射。在另一方面中，采用包含一或多个附带结构的经测量强度及经建模强度来执行所关注结构的测量。在另一些方面中，采用测量分解来训练测量模型且优化特定测量应用的测量配方。
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公开(公告)号：CN114667596B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202080077271.0
申请日：2020-11-17
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： H01L21/66 , G06V10/762 , G06V10/764 , G06T7/11 , H01L21/67
摘要： 在半导体晶片的图像中确定关注区域。基于与所述关注区域相关联的设计文件中的多边形的形状将所述关注区域划分为次关注区域。接着，针对所述次关注区域执行直方图的噪声扫描。基于所述直方图的所述噪声扫描将所述次关注区域聚类成群组。
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公开(公告)号：CN116583745A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202180080953.1
申请日：2021-12-08
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： G01N23/20025
摘要： 本文中呈现用于基于遍及具有小实体占据面积的小照明点大小的高亮度软性X射线(SXR)照明执行半导体结构的测量的方法及系统。一方面，基于SXR的度量衡系统的聚焦光学器件以至少1.25的缩小率将照明源的图像投射到受测量样品上。另一方面，从所述X射线照明源到所述受测量样品的照明光束路径小于2米。另一方面，基于SXR的测量是在软性X射线区(即，8到3000eV)中使用X射线辐射执行。在一些实施例中，基于SXR的测量是以在从接近零度到90度的范围内的掠入射角执行。在一些实施例中，照明光学器件以50或更小的缩小率将照明源的图像投射到受测量样品上。
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公开(公告)号：CN114556208B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202080070814.6
申请日：2020-10-06
申请人： 科磊股份有限公司
摘要： 本发明公开一种用于减少图案掩模上的可印缺陷的系统。所述系统包含经配置以通信地耦合到特性化子系统的控制器，所述控制器包含经配置以执行程序指令的一或多个处理器，所述程序指令引起所述一或多个处理器：引导所述特性化子系统执行掩模坯料的检测；基于第一特性及第二特性产生成本函数，所述第一特性包括由掩模图案暴露的缺陷区域的面积，所述第二特性包括设计图案的图案复杂性；经由非线性优化程序确定指示所述成本函数的最小值的一或多个值；及基于指示所述成本函数的所述最小值的所述经确定一或多个值产生用以调整所述掩模坯料相对于所述设计图案的旋转及平移的一或多个控制信号。
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