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公开(公告)号：CN212935887U
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202021809491.1
申请日：2020-08-26
申请人： 无锡中普微电子有限公司
发明人： 李志
IPC分类号： H04B1/18
摘要： 本实用新型涉及一种并联支路具有高耐压能力的天线调谐开关。其包括天线ANT以及射频通路，每条射频通路均包括一串联支路以及一并联支路；并联支路包括若干依次串接的MOSFET器件以及并联支路控制端组，并联支路内所有MOSFET器件的栅极端均与并联支路控制端组内的并联支路栅极控制端VGSH1适配连接；并联支路内，在每个MOSFET器件的源极端与所述MOSFET器件的漏极端之间均连接有并联支路电容以及并联支路源漏电阻。本实用新型在不增加版图面积的情况下，增加并联支路的耐压能力，提高天线调谐开关的稳定性与可靠性。
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公开(公告)号：CN207719206U
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201721788629.2
申请日：2017-12-19
申请人： 无锡中普微电子有限公司
发明人： 承继
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本实用新型揭露了一种射频开关，其包括：衬底；形成于所述衬底内的衬底接触区；形成于所述衬底内的深N阱区；形成于深N阱区内的深N阱接触区；和，形成于深N阱区内的多个射频开关单元，其中每个射频开关单元包括形成于深N阱区内的P阱区、形成于P阱区内的间隔的N+源极区、N+漏极区和P阱接触区、位于P阱区的上方且位于N+源极区和N+漏极区之间的栅极氧化层、位于栅极氧化层上方的多晶硅栅极。这样，多个射频开关单元可以共用同一个深N阱区，从而减小了相邻的射频开关单元之间的间隔，同时又不会降低射频开关的耐压。
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公开(公告)号：CN207719205U
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201721788521.3
申请日：2017-12-19
申请人： 无锡中普微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本实用新型揭露了一种射频开关，其包括：衬底；形成于所述衬底内的衬底接触区；形成于衬底内的多个射频开关单元，其中每个射频开关单元包括形成于衬底内的间隔的N+源极区和N+漏极区、位于P阱区的上方且位于N+源极区和N+漏极区之间的栅极氧化层、位于栅极氧化层上方的多晶硅栅极，所述衬底接触区与负直流电压源相连。与现有技术相比，本实用新型中的射频开关单元不设置阱区，而是将衬底与一个负电压相连，这样可以大幅降低射频开关所占的芯片面积，同时也能保证耐受功率能力仍旧能达到中小功率开关的要求。
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公开(公告)号：CN207691762U
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201820039016.7
申请日：2018-01-10
申请人： 无锡中普微电子有限公司
摘要： 本实用新型揭露了一种射频功率放大器，其包括：基板；射频输入端；射频输出端；依次耦接于所述射频输入端和所述射频输出端之间的输入匹配电路、第一级射频功率放大结构、级间匹配电路、第二级射频功率放大结构和输出匹配电路。输入匹配电路、级间匹配电路和输出匹配电路中的电感均是由基板上的传输线形成。无需采用SMD电感，设计简单，降低了成本。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207588811U
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201721729978.7
申请日：2017-12-12
申请人： 无锡中普微电子有限公司
发明人： 赵罡
摘要： 本实用新型揭露了一种射频功率放大器，其包括：射频输入端；射频输出端；依次耦接于所述射频输入端和所述射频输出端之间的多级射频功率放大单元，每级射频功率放大单元均包括一双极型晶体管；耦接于初级射频功率放大单元的双极型晶体管的集电极和基极之间的反馈电路，该反馈电路包括有模式控制端，通过调整模式控制端的电压值来调整所述反馈电路的阻抗状态，进而调整所述射频功率放大器工作在不同工作模式下。这样使得同一个射频功率放大器能够支持不同的工作模式，比如可以同时支持高功率高增益模式和高线性低增益模式。
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公开(公告)号：CN207587973U
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201721776394.5
申请日：2017-12-19
申请人： 无锡中普微电子有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种天线调谐电路，其包括:天线；多条射频通路，所述多条射频通路均包括一串联支路和一并联支路，所述串联支路的前端与其所在的所述射频通路的射频信号端口连接，所述串联支路的后端与所述天线连接，所述并联支路的前端与其所在的所述射频通路的射频信号端口连接，所述并联支路的后端接地。其中：所述天线调谐电路被控制进入一种射频开关状态，使得一条所述射频通路的串联支路导通、其余所述射频通路的串联支路均断开，同步地，串联支路被导通的所述射频通路的并联支路断开、其余所述射频通路的并联支路导通。本实用新型大幅度地降低了各射频通路上的关断电容，最终提高了不同射频通路之间的隔离度、降低了不同频段之间的干扰。
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公开(公告)号：CN206850728U
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201621462605.3
申请日：2016-12-28
申请人： 无锡中普微电子有限公司
摘要： 本实用新型涉及一种3G射频功率放大器电路，其包括第一级放大结构以及通过级间匹配电路与所述第一级放大结构连接的第二级放大结构；第一级放大结构包括射频放大管T1、与所述射频放大管T1适配的输入匹配电路以及与所述射频放大管T1适配的放大管T1偏置电路；第二级放大结构包括射频放大管T2、与所述射频放大管T2适配的输出匹配电路以及与所述射频放大管T2适配的放大管T2偏置电路；第一级放大结构通过级间匹配电路与第二级放大结构连接，第一级放大结构的输入匹配电路、第二级放大结构的输出匹配电路以及所述级间匹配电路均不采用SMD电容及SMD电感，能有效提高封装产能，降低封装成本，提高封装的适应性，安全可靠。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206850727U
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201621461880.3
申请日：2016-12-28
申请人： 无锡中普微电子有限公司
摘要： 本实用新型涉及一种3G射频功率放大器模块，其包括第一级放大结构以及通过级间匹配电路与所述第一级放大结构连接的第二级放大结构；第一级放大结构包括射频放大管T1、与所述射频放大管T1适配的输入匹配电路以及与所述射频放大管T1适配的放大管T1偏置电路；第二级放大结构包括射频放大管T2、与所述射频放大管T2适配的输出匹配电路以及与所述射频放大管T2适配的放大管T2偏置电路；第一级放大结构通过级间匹配电路与第二级放大结构连接，第一级放大结构的输入匹配电路、第二级放大结构的输出匹配电路以及所述级间匹配电路均不采用SMD电容电感，能有效提高封装产能，降低封装成本，提高封装的适应性，安全可靠。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206349976U
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201621462604.9
申请日：2016-12-28
申请人： 无锡中普微电子有限公司
摘要： 本实用新型涉及一种3G射频功率放大器模块，其包括第一级放大结构以及通过级间匹配电路与所述第一级放大结构连接的第二级放大结构；第一级放大结构包括射频放大管T1、与所述射频放大管T1适配的输入匹配电路以及与所述射频放大管T1适配的放大管T1偏置电路；第二级放大结构包括射频放大管T2、与所述射频放大管T2适配的输出匹配电路以及与所述射频放大管T2适配的放大管T2偏置电路；第一级放大结构通过级间匹配电路与第二级放大结构连接，第一级放大结构的输入匹配电路、第二级放大结构的输出匹配电路以及所述级间匹配电路均不采用SMD电容及SMD电感，能有效提高封装产能，降低封装成本，提高封装的适应性，安全可靠。
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公开(公告)号：CN206272580U
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201621355362.3
申请日：2016-12-12
申请人： 无锡中普微电子有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种定向功率耦合器及射频前端模块，所述功率耦合器包括射频输入端口、射频输出端、耦合输出端口、耦合线圈和耦合系数补偿电路。所述耦合线圈包括第一电感线圈和第二电感线圈。所述耦合系数补偿电路包括第一电阻、第二电阻、电感和电容，其中，第一电感线圈的一个连接端与射频输入端口相连，其另一连接端与射频输出端口相连；第一电阻和电容串联于第二电感线圈的一端和接地端之间；电感和第二电阻串联于第二电感线圈的另一端和接地端之间，且电感和第二电阻之间的连接节点与所述耦合输出端口相连。本实用新型中的定向功率耦合器包括耦合线圈和耦合系数补偿电路，从而不仅实现了高集成度，而且可以工作在超过2Ghz的超宽带宽下。
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