用于处理包含SiC表面的基板的装置及方法、真空处理系统

    公开(公告)号:CN117976525A

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN202211302210.7

    申请日:2022-10-24

    发明人: 谢斌平

    IPC分类号: H01L21/205

    摘要: 本公开提供了用于处理包含SiC表面的基板的装置、方法以及真空处理系统,用于处理包含SiC表面的基板的装置,包括:处理容器,处理容器包括:第一壳体;第二壳体,与第一壳体相配合,以形成容纳空间;承载结构,设置在容纳空间内,用于承载包含SiC表面的基板,以将容纳空间分隔成第一空间和第二空间,其中,第一壳体用于在加热情况下在第一空间内产生Si气氛。

    一种PLC继电器快速分配电路

    公开(公告)号:CN109739175B

    公开(公告)日:2024-01-26

    申请号:CN201910135250.9

    申请日:2019-02-22

    IPC分类号: G05B19/05

    摘要: 本发明提供了一种PLC继电器快速分配电路,用于解决现有技术中手工进行PLC继电器连接成本高、效率低下、错误率高和固定线路板兼容性差的技术问题,包括:多个继电器、PLC接口、第一模块、第二模块、供电接口和输出接口;第一模块用于选择继电器输出类型;第二模块用于在电压输出时分配继电器地址;实施本发明的技术方案,在电路中预先设置主体电路以及多个继电器,利于电路规模化生产,提高生产效率;通过使用短路帽短路针脚的方式选择继电器输出模式,降低继电器分配的时间成本和人力成本,减少人为失误造成的故障;设置多个继电器和输出接口,并可自由分配和切换继电器地址,电路输出模式多样,提高电路兼容性,利于电路规模化生产。

    半导体材料表面钝化方法及真空处理系统

    公开(公告)号:CN116631846A

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202310396278.4

    申请日:2023-04-14

    IPC分类号: H01L21/02 H01J37/32 H01J37/18

    摘要: 本公开提供了一种半导体材料表面钝化方法及真空系统,半导体材料表面钝化方法包括:在真空环境中,对半导体材料表面施加原子氢,以对半导体材料表面进行还原;对被还原的半导体材料表面进行氧化。真空处理系统包括:真空腔,用于容纳样品,样品具有半导体材料表面;氢源,用于向半导体材料表面发射原子氢,以对半导体材料表面进行还原;氧源,用于对被氧化还原的半导体材料表面进行氧化。

    真空处理系统
    50.
    发明公开
    真空处理系统 审中-实审

    公开(公告)号:CN116161389A

    公开(公告)日:2023-05-26

    申请号:CN202211318184.7

    申请日:2022-10-26

    IPC分类号: B65G35/00 B25J11/00 B25J18/00

    摘要: 本公开提供了一种真空处理系统,包括:真空中转腔;至少一个真空处理腔,与所述真空中转腔连通;传样臂机构,设置在所述真空中转腔内;真空驱动机构,与所述传样臂机构连接,用于驱动所述传样臂机构,所述真空驱动机构包括:真空腔道,与所述真空中转腔连通;至少一个主轴,设置在所述真空腔道内并且能够绕轴向旋转;以及至少一个磁传动装置,与所述至少一个主轴连接并且能够旋转以带动所述至少一个主轴旋转。