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公开(公告)号：CN104659033B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201410663213.2
申请日：2014-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , G11C5/06 , G11C8/14
Abstract: 本发明提供了垂直存储器器件及其制造方法。该垂直存储器器件包括基板、沟道、栅线和连接部分。多个沟道在垂直于基板的上表面的第一方向上延伸。多个栅线在第一方向上堆叠以彼此间隔开，并在垂直于第一方向的第二方向上延伸，每个栅线交叉一组沟道并围绕该组沟道的每个沟道的外侧壁。栅线形成包括多个垂直水平面的台阶结构。连接部分连接多个栅线中的位于相同的垂直水平面的一组栅线，连接部分从第二方向分支，该组栅线中的栅线在第二方向上延伸。
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公开(公告)号：CN104425511B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201410437175.9
申请日：2014-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11524
Abstract: 本发明提供具有垂直沟道结构的半导体器件。该半导体器件可以包括半导体衬底、地选择栅极电极和沟道结构。沟道结构可以在垂直于衬底的顶表面的第一方向上延伸穿过地选择栅极电极，并且包括沟道层、沟道接触层和台阶部分。沟道接触层可以接触衬底并且包括在垂直于第一方向的第二方向上的第一宽度。沟道层可以接触沟道接触层，包括在第一方向上在地选择栅极电极的底表面与衬底的顶表面之间的底表面，并且包括在第二方向上的不同于第一宽度的第二宽度。
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公开(公告)号：CN109739412A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201811588631.4
申请日：2014-06-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/0482 , G06F3/0484 , G06F3/0488 , H04L12/28
Abstract: 本发明提供了一种提供用于管理家庭网络的各种用户接口(UI)的用户终端设备和一种管理用户终端设备的家庭网络的方法。
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公开(公告)号：CN106028048B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201610656814.X
申请日：2011-01-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N19/61 , H04N19/103
Abstract: 一种对视频进行解码的设备。一种使用可变分区的视频编码方法，其中，通过使用基于第一分区模式和分区等级确定的多个分区，以作为用于对画面进行编码的数据单元的编码单元为单位执行预测编码，以便从确定的多个分区中选择将输出编码结果的分区，对表示选择的分区的第一分区模式和分区等级的分区信息进行编码和输出。所述第一分区模式表示作为用于对所述编码单元执行预测编码的数据单元的分区的形状和方向性，所述分区等级表示所述编码单元被划分为用于详细的运动预测的多个分区的程度。
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公开(公告)号：CN104766865B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201510002192.4
申请日：2015-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李昌炫
IPC: H01L27/11582 , H01L27/11575 , H01L27/1157 , H01L27/11565
Abstract: 本发明提供垂直型非易失性存储器件和垂直沟道非易失性存储器件，其中沟道结构形成在其中的沟道孔的大小之间的差异被减小。垂直型非易失性存储器件包括在其表面内具有沟道孔凹陷区域的基板。沟道结构从基板的表面在沟道孔凹陷区域当中的多个沟道孔凹陷区域上突起，包括绝缘层和导电层的存储单元叠层可以沿着沟道结构的侧壁交替地层叠。公共源极线沿着基板的表面在沟道孔凹陷区域当中的在字线凹陷区域中的其它沟道孔凹陷区域上延伸，该字线凹陷区域将相邻的存储单元叠层分离。还讨论了相关的制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105578942B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201480052246.1
申请日：2014-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据本发明的思想，真空吸尘器包括：驱动器，连接于吸尘软管，并被设置成随着吸尘软管的移动而以第一旋转轴为中心向左右方向旋转，或者以第二旋转轴为中心向前后方向旋转；第一位移传感器，感测驱动器的左右方向的旋转位移；第二位移传感器，感测驱动器的前后方向的旋转位移，并且可以根据借助于第一位移传感器和第二位移传感器所感测到的驱动器的左右方向的旋转位移和前后方向的旋转位移，控制多个驱动电机的驱动而使主体前进或者向左右方向旋转。
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公开(公告)号：CN105578942A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201480052246.1
申请日：2014-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: A47L9/2805 , A47L9/009 , A47L9/1683 , A47L9/2852 , A47L9/2857 , A47L9/2863 , A47L9/32
Abstract: 根据本发明的思想，真空吸尘器包括：驱动器，连接于吸尘软管，并被设置成随着吸尘软管的移动而以第一旋转轴为中心向左右方向旋转，或者以第二旋转轴为中心向前后方向旋转；第一位移传感器，感测驱动器的左右方向的旋转位移；第二位移传感器，感测驱动器的前后方向的旋转位移，并且可以根据借助于第一位移传感器和第二位移传感器所感测到的驱动器的左右方向的旋转位移和前后方向的旋转位移，控制多个驱动电机的驱动而使主体前进或者向左右方向旋转。
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公开(公告)号：CN105432150A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201480042443.5
申请日：2014-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H05B37/02
CPC classification number: H05B37/0272 , H05B33/0854 , H05B37/0236 , H05B37/0281 , Y02B20/42
Abstract: 公开了一种照明控制方法和一种使用该方法的电子装置。该方法包括：接收用于控制照明的图案信息；基于所接收的图案信息生成包括与操作时间信息对应的亮度水平信息的照明控制信息；以及发送照明控制信息。
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公开(公告)号：CN104766865A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510002192.4
申请日：2015-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李昌炫
IPC: H01L27/115 , H01L29/78 , H01L29/10
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11575
Abstract: 本发明提供垂直型非易失性存储器件和垂直沟道非易失性存储器件，其中沟道结构形成在其中的沟道孔的大小之间的差异被减小。垂直型非易失性存储器件包括在其表面内具有沟道孔凹陷区域的基板。沟道结构从基板的表面在沟道孔凹陷区域当中的多个沟道孔凹陷区域上突起，包括绝缘层和导电层的存储单元叠层可以沿着沟道结构的侧壁交替地层叠。公共源极线沿着基板的表面在沟道孔凹陷区域当中的在字线凹陷区域中的其它沟道孔凹陷区域上延伸，该字线凹陷区域将相邻的存储单元叠层分离。还讨论了相关的制造方法。
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公开(公告)号：CN104425511A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410437175.9
申请日：2014-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115
Abstract: 本发明提供具有垂直沟道结构的半导体器件。该半导体器件可以包括半导体衬底、地选择栅极电极和沟道结构。沟道结构可以在垂直于衬底的顶表面的第一方向上延伸穿过地选择栅极电极，并且包括沟道层、沟道接触层和台阶部分。沟道接触层可以接触衬底并且包括在垂直于第一方向的第二方向上的第一宽度。沟道层可以接触沟道接触层，包括在第一方向上在地选择栅极电极的底表面与衬底的顶表面之间的底表面，并且包括在第二方向上的不同于第一宽度的第二宽度。
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