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公开(公告)号：CN101362259B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200810200302.8
申请日：2008-09-24
Applicant: 上海大学
IPC: B23K35/22
Abstract: 本发明涉及一种用于电子元器件焊接及表面封装的纳米无铅焊膏，它是由纳米无铅焊料粉与助焊剂组成，其组成以质量百分计为：纳米无铅焊料粉末85～94％，助焊剂6～15％，其中纳米无铅焊料粉末是Sn-Ag、Sn-Ag-Cu、Sn-Bi、Sn-Zn、Sn-Zn-Bi、Sn-Co-Cu、Sn-Cu、Sn-In、Sn-Sb的纳米无铅焊料粉末。本发明具有普通无铅焊膏的所有基本性能，并且降低了焊膏熔点。与普通锡铅系焊膏相比，本发明不含有毒元素铅，特别适用于微电子工业中的电子封装技术。
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公开(公告)号：CN106318264B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201610811161.8
申请日：2016-09-08
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 , 上海大学
Abstract: 本发明提供一种BN/Ag二维层状复合材料的导热胶的制备方法，采用溶剂剥离方法制备二维层状氮化硼薄膜，通过合理的工艺将制备的纳米银离子负载到氮化硼薄膜上，最后将这种复合物填充到导热胶中。负载了银离子的氮化硼薄膜增强了导热胶的导热效率，所以可以把这种特制的导热胶应用于高热流密度的大功率电子器件中。
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公开(公告)号：CN106118143B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201610469528.2
申请日：2016-06-25
Applicant: 上海大学
IPC: C09D1/00 , C09J9/02 , H01L23/532
Abstract: 本发明涉及一种运用石墨烯抑制导电胶老化的方法。该方法该方法将石墨烯涂层应用到导电胶与非贵金属的连接界面，作为水汽和空气阻挡层，以抑制导电胶与贱金属表面发生的电化学腐蚀效应，解决其在经历恒温恒湿老化试验前后接触电阻变化很大的可靠性问题；同时，石墨烯本身是很薄的良好导电材料，能保证导电胶与金属焊盘电互连。本方法所制备的石墨烯量子点‑碳纳米管/碳布三维柔性电极具有高电容性能，电流密度为0.5mA/cm2时，三维电极的面容量可高达842mF/cm2。本发明制备的具有高电容性能的胺基功能化石墨烯量子点/碳纳米管/碳布三维柔性电极在新能源纳米器件技术领域展示出诱人的应用前景。
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公开(公告)号：CN104538312B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410787935.9
申请日：2014-12-17
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 , 上海大学
IPC: H01L21/48
Abstract: 本发明涉及一种利用氮化硼制备散热芯片的方法，属于散热技术领域。其通过沉积、刻蚀、旋涂、电化学转移和除PMMA制备得到利用氮化硼制备的散热芯片。本发明制备的散热芯片具有极高的比表面积、高热导率和热稳定性，是具备高弹性、清洁超薄的散热片材料。
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公开(公告)号：CN106556621A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201611108426.4
申请日：2016-12-06
Applicant: 上海大学
IPC: G01N25/20
CPC classification number: G01N25/20
Abstract: 本发明公开了一种相变材料的散热性能的检测装置，包括隔热板、薄片加热膜、相变材料立方体模块和热电偶，使隔热板和相变材料立方体模块对薄片加热膜形成包裹结构，通过热电偶检测相变材料立方体模块的温度。本发明还公开了一种石墨烯‑石蜡复合材料的散热性能检测的方法，采用本发明相变材料的散热性能的检测装置，将有石墨烯‑石蜡样品的一侧朝上，连接电路向加热膜施加恒定热功率，并每隔一定时间检测并记录热电偶的温度变化，通过统计分析数据，分析石墨烯/石蜡复合材料在给定功率下的温度变化曲线。本发明能够较为方便、准确地测试出不同比例的石墨烯/石蜡复合材料散热效果，能系列地对比分析不同比例的石墨烯/石蜡复合材料的散热性能。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN102169838B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110061342.0
申请日：2011-03-15
Applicant: 上海大学
Inventor： 刘建影
IPC: H01L21/48 , B82B3/00 , H01L23/473
CPC classification number: H01L23/473 , B82Y10/00 , H01L23/373 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种于超大规模集成电路芯片散热的碳纳米管微通道冷却器系统的制备方法，该方法是：首先通过光刻和剥离工艺，制成要求的细微尺度的图案，其间通过蒸镀方法得到的催化剂薄膜就附着在图案的表面。其次将带有催化剂薄膜的硅片置于碳纳米管生长机器的加热炉中，在高温化学气相沉淀模式下生长得到所要求的碳纳米管簇。最后通过喷涂在碳纳米管表面的金属涂层，使用转移工艺将碳纳米管簇转移到发热芯片表面，加装密封盖，碳纳米管微通道冷却器的制备工艺就完成了。之后通过导口流入的冷却液实现散热，至此碳纳米管微通道冷却系统制备完成。本发明显著地提高了散热性能，为集成电路芯片的散热提供了一种更高效的散热方法。
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公开(公告)号：CN102534545A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210040090.8
申请日：2012-03-20
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种羟基磷灰石表面生长图案化石墨烯膜的方法。首先，使用电子束蒸发法在羟基磷灰石陶瓷基体上形成图案化的铜层；然后，通过在这些图案化表面催化分解烃类化合物，从而在材料表面生长图案化石墨烯薄膜层；最后，验证了在材料上生长细胞的可能性。这种含图案化石墨烯膜的羟基磷灰石材料可以通过在石墨烯层上添加精确的局部电场，从而调控细胞的行为/密度，同时还结合了羟基磷灰石的促骨生长能力，为促进/辅助骨生长提供了一种新型材料。
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公开(公告)号：CN101850961B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010201218.5
申请日：2010-06-12
Applicant: 上海大学
Inventor： 刘建影
Abstract: 本发明公开了一种碳纳米管簇的干法密实化技术。由于CVD合成的碳纳米管处于稀松排列的状态，在很多使用碳纳米管簇作为导电或导热途径的应用中，多孔性使其优势和潜力无从体现。因此对碳纳米管簇进行密实化处理是非常重要的。本发明提供了一种干法密实化碳纳米管簇的技术。这一干法密实化工艺，其基本原理为在低压下使用薄膜沉淀技术将碳纳米管簇密封起来。将其取出置于常压下之后，在沉积的薄膜的内外两侧会形成接近于一个大气压的压力差，造成薄膜变形并将压力施加在碳纳米管上，从而实现碳纳米管簇的密实化。和湿法相比，这一干法工艺能显著提高碳纳米管簇密实化过程的一致性和可重复性。
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公开(公告)号：CN102328925A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110257830.9
申请日：2011-09-02
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种用于高密度碳纳米管束制备的工艺。通过碳纳米管的定向生长工艺和浸润液体的纸质材料使低密度的碳纳米管致密为高密度阵列。其工艺方法是：首先通过光刻和剥离工艺制成要求的细微尺度的图案，其间通过蒸镀方法得到的催化剂薄膜就附着在图案的表面。其次将带有催化剂薄膜的硅片置于碳纳米管生长机器的加热炉中，在高温化学气相沉淀模式下生长得到所要求的碳纳米管。最后通过碳纳米管与浸润挥发性液体的纸质表面接触形成致密的碳纳米管束。本发明相比现有的碳纳米管致密技术具有显著的低成本优势，适用于工业大规模生产。
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