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公开(公告)号：CN110423432B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201910392375.X
申请日：2019-05-13
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明提供一种竖直定向碳纳米管阵列与石墨烯环氧树脂复合薄膜材料及其制备方法。本发明复合薄膜材料由竖直定向碳纳米管阵列、环氧树脂与石墨烯组成，碳纳米管阵列致密化后在其间隙内填充环氧树脂和石墨烯的混合物，分别利用碳纳米管和石墨烯，提高了环氧基底的纵向和横向导热性能。制备方法是将环氧树脂与石墨烯混合均匀后，填入经过致密化处理的竖直定向碳纳米管阵列，之后经过打磨抛光，得到所需复合薄膜材料。将竖直定向碳纳米管阵列和石墨烯复合实际用于热界面材料中，有效的提高的环氧基底的横向纵向热导率，对于热界面材料的散热性能意义重大。
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公开(公告)号：CN106883828B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201710006558.4
申请日：2017-01-05
Applicant: 上海大学
IPC: C09K5/14
Abstract: 本发明公开了一种基于图形化碳纳米管阵列的界面散热材料的制备方法，包括如下步骤：a.在单晶硅上制备一层催化剂薄膜；b.将步骤a得到的催化剂薄膜进行图形化处理；c.在步骤b得到硅片上制备图形化的碳纳米管阵列；d.将碳纳米管阵列转移到热释放胶带上；e.将热释放胶带上的碳纳米管阵列进行致密；f.将框形模具粘在热释放胶带上，加入一定质量分数的银胶，固化后去除模具和热释放胶带。本发明方法能够较大地提高碳纳米管阵列的机械强度，较大程度地降低碳纳米管之间的空隙率，提高了碳纳米管阵列的导热效率。此外本发明方法在碳纳米管阵列的转移工艺中采用了热释放胶带，转移效果好，转移得到的碳纳米管阵列的完整性较好。
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公开(公告)号：CN104722765A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410770595.9
申请日：2014-12-14
Applicant: 上海大学
Inventor： 刘建影
IPC: B22F9/14
Abstract: 本发明涉及材料制备领域，公开了一种金属间化合物纳米颗粒的制备工艺，首先将两根金属间化合物棒材分别与电弧放电设备的电源的正极和负极相连，接着将两根金属间化合物棒材浸没于电弧放电设备的水槽中的无溶解氧去离子水中，然后接通电弧放电设备的电源，使两根金属间化合物棒材之间产生电弧放电，生成金属间化合物纳米颗粒。与现有技术相比，利用电弧放电的原理，成功制备出金属间化合物纳米颗粒，整个工艺过程精简、低耗及高效，而且便于实现规模化，填补了现有技术中电弧放电法制备金属间化合物纳米颗粒的空白。
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公开(公告)号：CN104609405A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510010672.5
申请日：2015-01-09
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种竖直阵列石墨烯薄膜的制备方法，包括以下步骤：a）制备氧化石墨烯溶液；b）将氧化石墨烯溶液涂覆在基板上；c）氧化石墨烯通过强还原剂还原成石墨烯薄膜；d）将石墨烯薄膜在设计模子里裁剪并折叠成竖直排列的石墨烯薄膜；e）用粘结剂固化竖直阵列石墨烯薄膜；f）对竖直阵列石墨烯薄膜表面抛光，以获取与器件表面更好的接触，最后填入聚合物胶，用于改良石墨烯薄膜层间接触。本发明制备的竖直阵列石墨烯薄膜能应用于高功率电子器件领域，如用作界面散热材料提供散热解决方案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101908494A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010201137.5
申请日：2010-06-12
Applicant: 上海大学
Inventor： 刘建影
IPC: H01L21/603
CPC classification number: H01L2224/81
Abstract: 本发明涉及一种用于微电子封装的碳纳米管凸点的低温转印方法，属微电子器件制造工艺技术领域。本发明的转印方法是通过带有电路图形的钛-金-铟转印目标硅片在一定的温度及压强下，即在170～200摄氏度、107帕斯卡下，对准挤压表面长有碳纳米管凸点且经金属化后的硅片，将碳纳米管凸点转移到带有电路图形的转印目标硅片上。本发明方法可在较低的温度下快速地对小间距的碳纳米管凸点进行大面积、高成功率的转印，进而满足电子元器件密集化和小型化的要求，可降低生产成本，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN101367158A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810200297.0
申请日：2008-09-24
Applicant: 上海大学
IPC: B23K35/20
Abstract: 本发明涉及一种用于电子元器件焊接及表面封装的二元无铅焊膏，它是在微米无铅焊膏基础上添加纳米粉末，该焊膏的组成以质量百分计为：微米无铅焊膏90～99.9％，纳米粉末0.1～10％，其中纳米粉末是普通无铅焊料的纳米粉末，或是金属的纳米粉末，或是SiC、SiN、BN、Al2O3的纳米粉末。本发明具有普通无铅焊膏的所有基本性能，并且降低了成本，降低了熔点。与普通锡铅系焊膏相比，本发明不含有毒元素铅，特别适用于微电子工业中的电子封装技术。
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公开(公告)号：CN101149814A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710047492.X
申请日：2007-10-26
Applicant: 上海大学
IPC: G06K19/07
Abstract: 本发明涉及一种中文点阵显示智能卡能耗控制器。该控制器包括一组模拟开关，通过智能卡系统的微机控制单元的两个输入输出端口进行控制，且该能耗控制器特别适合于集成于符合ISO7681尺寸标准的智能卡系统内，从而有利于实现更多的智能卡功能。与现有技术相比，本发明采用模拟开关进行能源上电断电切换，通过使用系统微机的两个输入输出端口实现能耗控制系统的控制。通过该能耗控制器，能够将智能卡能耗的最小化，以及根据用户需要实现各种灵活的能耗控制方案，突破了中文显示智能卡电源能耗控制这项技术瓶颈，并且电路结构简单，使用非常稳定。
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公开(公告)号：CN109321143A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201810984707.9
申请日：2018-08-28
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明提供一种垂直碳纳米管阵列与纳米银浆复合互连材料及其制备方法。本发明复合材料由垂直碳纳米管阵列与纳米银浆组成，碳纳米管致密化后在其间隙内填充纳米银浆，利用纳米银浆的高导热率降低碳纳米管的界面热阻，制备方法是使用热释放胶带，在纳米银浆的辅助下，实现碳纳米管的两次转移，制备出阵列碳纳米管与纳米银浆复合互连材料。将垂直碳纳米管阵列实际用于芯片互连结构中，在具有良好导热率，优异的机械强度的纳米银浆基础上加入垂直碳纳米管阵列，对于高密度大功率的芯片级互连结构的散热性能意义重大。
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公开(公告)号：CN106883828A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201710006558.4
申请日：2017-01-05
Applicant: 上海大学
IPC: C09K5/14
Abstract: 本发明公开了一种基于图形化碳纳米管阵列的界面散热材料的制备方法，包括如下步骤：a.在单晶硅上制备一层催化剂薄膜；b.将步骤a得到的催化剂薄膜进行图形化处理；c.在步骤b得到硅片上制备图形化的碳纳米管阵列；d.将碳纳米管阵列转移到热释放胶带上；e.将热释放胶带上的碳纳米管阵列进行致密；f.将框形模具粘在热释放胶带上，加入一定质量分数的银胶，固化后去除模具和热释放胶带。本发明方法能够较大地提高碳纳米管阵列的机械强度，较大程度地降低碳纳米管之间的空隙率，提高了碳纳米管阵列的导热效率。此外本发明方法在碳纳米管阵列的转移工艺中采用了热释放胶带，转移效果好，转移得到的碳纳米管阵列的完整性较好。
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