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公开(公告)号：CN101425778A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810203966.X
申请日：2008-12-04
申请人： 上海大学
摘要： 本发明涉及联控信号处理器及其应用，属信号处理、自动控制与电子设备领域。联控信号处理器的结构分为模拟通道与数字通道二个部分，模拟信号驱动器、模拟开关、运算放大器等组成模拟通道，整形输入控制器或驱动器、模拟开关、脉冲驱动器组成数字通道，数字通道通过模拟开关控制模拟通道。模拟通道处理模拟信号，输出运放可构成多种运算电路或信号处理电路；数字通道处理数字信号，或将模拟信号整形后作为开关信号处理。模拟通道与数字通道还可以通过外部电路进行交联反馈，从而使联控信号处理器成为一个结构简单、功能强大、使用灵活方便的信号处理器。
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公开(公告)号：CN101394165A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810201961.3
申请日：2008-10-30
申请人： 上海大学
摘要： 本发明涉及一种微分滞环比较器及其应用，属于信号处理、自动控制与电子设备领域。微分滞环比较器由电压比较器与阻容微分电路组成，阻容微分电路构成正反馈电路，微分滞环比较器有二种特殊形式：反相过零比较器与同相过零比较器。其应用之一：方波振荡器由微分滞环比较器与阻容构成的积分电路组成；其应用之二：PWM脉冲波形发生器由微分滞环比较器、电压跟随器、三角波发生器及电阻等组成。微分滞环比较器具有较强的抗干扰能力，对工作信号具有较高的灵敏度，且对缓慢变化的信号具有较快的响应速度，其输出波形在跃变时还具有良好的陡度。
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公开(公告)号：CN1752254A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200510030505.3
申请日：2005-10-14
申请人： 上海大学
IPC分类号： C22C30/00
摘要： 本发明涉及一种能可逆贮存氢气的贮氢合金，其组成是TiaVbCrcAldMe，式中M为Cu，Fe，Co，Ni，Si，Sn，Mo，W中的至少一种元素或两种元素，1.0≤a≤1.6，0.2≤b≤1.0，1.0≤c≤1.6，0.01≤d≤0.5，0.01≤e≤0.5。本发明的贮氢合金可以用真空电弧炉及真空中频感应炉熔炼，可以采用真空吸铸的方法浇注。熔炼的合金易活化，最高贮氢容量达4.0wt％，合金适合用作氢气净化器合金和燃料电池氢源合金。
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公开(公告)号：CN1752249A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200510030504.9
申请日：2005-10-14
申请人： 上海大学 , 上海三电贝洱汽车空调有限公司
IPC分类号： C22C21/02
摘要： 一种自润滑高耐磨过共晶铝硅合金组成的重量百分比为：3.0～5.0％Cu，17.1～20.0％Si，0.2～0.5％Fe，2.5～5.0％Bi，0.2～0.5％Ni，0.005～0.02％P，0.005～0.05％Sr，0.01～0.4％Ba，0.005～0.25％RE，≤0.2％Mg，≤0.5％Mn，≤0.5％杂质元素总量，余量为Al。这种过共晶Al－Si合金的具有突出的机械性能，易切削，延长切削刀具的寿命和增加切削表面的光洁度。合金还有着出色的延伸率和抗磨损性能，同时其抗拉强度，屈服强度和硬度与传统的A390合金相当。因此，这种合金能被应用于对抗磨损性有要求的领域，如汽车空调压缩机的斜板，且无须经过任何表面处理包括阳极化处理或表面镀Sn。
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公开(公告)号：CN1739885A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510029598.8
申请日：2005-09-13
申请人： 上海大学 , 上海三电贝洱汽车空调有限公司
IPC分类号： B22D11/14
摘要： 本发明涉及一种高温度梯度逐层凝固连铸方法，其主要特征是在连铸时，注入连铸结晶器系统的金属液受到交变电流的感应加热装置所产生的交变磁场的作用，金属液温度基本不下降或下降很慢，并由于电磁搅动，液穴中径向温度趋于均匀，在连铸结晶器系统内沿轴向形成了高温度梯度场，从而使具有偏晶反应合金在连铸时，能有效地避免比重偏析的发生。用本发明的高温度梯度逐层凝固连铸方法与传统的连铸方法相比，不仅能使凝固合金的成分均匀，有效地避免比重偏析的发生，而且工艺上简便、易行。
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公开(公告)号：CN104576907B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201410806022.7
申请日：2014-12-18
申请人： 上海大学
IPC分类号： H01L33/62
摘要： 本发明的倒装LED芯片封装结构，其特征在于，包括：基板，设置在所述基板上的电路层，与所述电路层连接的倒装LED芯片以及设置在所述倒装LED芯片上的硅胶层，与倒装LED芯片的电极相连的电路层区域设有凸台。采用本方案的倒装LED芯片封装结构，通过在电路层设有凸台，在连接倒装LED芯片与电路层时，一般采用导电胶或焊料涂覆在凸台上，导电胶或焊料在凸台上融化时其中的气泡容易被排出。因此，倒装LED芯片放置在凸台上时，倒装LED芯片的电极把导电胶或焊料中的气泡挤出，减少互连空洞，降低互连的热阻，提高了基板散热性能，延长LED寿命，进而了提高产品良率。
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公开(公告)号：CN103589910B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201310398814.0
申请日：2013-09-05
申请人： 上海大学
CPC分类号： Y02E30/40
摘要： 本发明涉及一种能用作压水堆核电站燃料包壳以及定位格架条带等结构材料含硫的锆铌铁合金，属于锆合金材料技术领域。该锆合金的化学组成以重量百分比计为：0.5%～1.5%Nb，0.03%～0.5%Fe，0.0005%~0.06%S，余量为Zr。合金元素优选范围为：0.8%～1.0%Nb，0.07%～0.3%Fe，0.0015%~0.01% S或0.015%~0.06% S。本发明的锆合金在400℃/10.3 MPa过热蒸汽和360 ℃/18.6 MPa去离子水中表现出优良的耐腐蚀性能，明显优于Zr-1Nb合金，且加工性好，可在核电站压水堆中用作燃料元件包壳以及定位格架条带等堆芯结构材料。
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公开(公告)号：CN104576907A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410806022.7
申请日：2014-12-18
申请人： 上海大学
IPC分类号： H01L33/62
CPC分类号： H01L33/62
摘要： 本发明的倒装LED芯片封装结构，其特征在于，包括：基板，设置在所述基板上的电路层，与所述电路层连接的倒装LED芯片以及设置在所述倒装LED芯片上的硅胶层，与倒装LED芯片的电极相连的电路层区域设有凸台。采用本方案的倒装LED芯片封装结构，通过在电路层设有凸台，在连接倒装LED芯片与电路层时，一般采用导电胶或焊料涂覆在凸台上，导电胶或焊料在凸台上融化时其中的气泡容易被排出。因此，倒装LED芯片放置在凸台上时，倒装LED芯片的电极把导电胶或焊料中的气泡挤出，减少互连空洞，降低互连的热阻，提高了基板散热性能，延长LED寿命，进而了提高产品良率。
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公开(公告)号：CN101847966B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201010199701.4
申请日：2010-06-04
申请人： 上海大学
摘要： 本发明涉及双极性零位与增益可调放大器及模拟信号调理器，特别是采用运放实现的放大倍数正负双极性可调与零位可调的电压放大器及带温度补偿与非线性校正的模拟信号调理器，属于信号变换运算与自动控制领域。双极性增益可调放大器有电压型、简约型、电流型、衰减型与统调型、分调型等几种形式，电压型、简约型、电流型、衰减型放大器采用单运放电路，统调型、分调型放大器则采用双运放电路，模拟信号调理器由零位温偏调整器与倍率调整器组成，双极性增益可调放大器是组成双极性零位增益可调放大器、模拟信号调理器的基础。本发明用途范围广、并具有较高的实用价值。
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