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公开(公告)号：CN102774064B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201110122282.9
申请日：2011-05-12
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开了一种声表面波气体传感器上的敏感吸附膜及其制造方法，其中，所述敏感吸附膜，设置于声表面波气体传感器上相邻插指换能器之间的压电薄膜上，包括：沉积于所述压电薄膜上的三层金属薄膜，所述三层金属薄膜依次为BiO2薄膜、Bi薄膜及BiO2薄膜。通过本发明实施例，可以提高声表面波气体传感器上该敏感吸附膜对NO2气体的敏感性和选择性。
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公开(公告)号：CN104426424A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201310385405.7
申请日：2013-08-29
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H02N2/18
摘要： 本发明提供了一种振动能量采集器的制造方法，包括以下步骤：提供上框架和下框架，并分别在上框架的下表面和下框架的上表面形成金属层；提供压电薄膜，并在其表面形成金属层；利用下框架和上框架将压电薄膜固定在中间，形成三明治结构；在压电膜中间位置设置质量块。相应地，本发明还提供了一种振动能量采集器结构。本发明通过质量块振动使压电薄膜发生大形变，利用有机压电薄膜的非线性弹性形变实现宽频率范围的振动能量采集，并将其转化成电能输出，进而有效地提高了振动能量采集器的性能。
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公开(公告)号：CN102521460B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201110427611.0
申请日：2011-12-19
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明通过光刻仿真、电路网表提取、电路仿真、电路节点延时极限、光刻畸变情形下等效电学参数计算、极限寄生电容计算、约束条件下的哑金属填充实现了考虑光刻畸变的哑金属填充，在寄生估算和冗余哑金属填充过程中考虑光刻畸变对寄生电阻和寄生电容的影响，确保冗余哑金属填充引起的寄生电阻和寄生电容变化对电路设计性能的影响在预定范围之内，最大化地提高电路各部分金属互连线的平整度，从而提高集成电路设计的可制造性。
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公开(公告)号：CN102738392B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201210233913.9
申请日：2012-07-06
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开了一种耿氏二极管、其制备方法及功率合成毫米波振荡器，属于半导体器件技术领域。该耿氏二极管由下至上依次包括集成热沉、金属电极、渡越层、第二接触层、顶电极和金加厚电极。该制备方法包括：在半导体衬底上依次生长第一接触层、渡越层及第二接触层，在样品表面腐蚀深槽，蒸发电极并电镀热沉，去除衬底，蒸发顶电极，干法刻蚀形成耿氏二极管。该毫米波振荡源将上述制备的一致性很好的耿氏二极管成对封于波导腔内的共振帽下、间隔λg/2前后排开。该方法减小了材料加工易碎性；改善了器件的散热性能；减少了器件性能差异。该毫米波振荡器是多个耿氏二极管耦合后射频输出，成倍增大输出功率。
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公开(公告)号：CN102508984B
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201110391888.2
申请日：2011-11-30
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明实施例公开了一种面向电路微调的仿真加速方法、设备和系统，所述加速方法包括：根据获取的待仿真电路中微调发生处直流通路的位置信息及直流通路间依赖关系确定仿真变化部分；调用微调前电路仿真结果数据并构建仿真变化部分电路仿真网表；按照所述仿真变化部分电路仿真网表的指示进行电路仿真，得到微调后仿真变化部分电路仿真结果。本发明实施例通过对发生微调的待仿真电路中直流通路位置、结构和直流通路间依赖关系分析，提取受到微调影响的仿真变化部分，复用微调前电路仿真结果数据，构建针对仿真变化部分的电路仿真网表进行电路仿真，有效地提高了发生微调的待仿真电路的仿真速度。
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公开(公告)号：CN103592032A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201210289554.9
申请日：2012-08-14
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明实施例提供一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器，包括透明衬底（1）以及以非嵌套的方式平铺在所述透明衬底（1）上的多个单层可动微梁单元（2）；所述透明衬底（1）对与所述非制冷红外成像焦平面阵列探测器相配套的读出光路的光线透明。本发明实施例提供的非制冷红外成像焦平面阵列探测器，对目标物体进行检测时，由于衬底透明，避免了硅衬底对于来自目标物体的红外光的遮挡和反射引起的能量损失，可有效提高检测灵敏度；同时，因为衬底透明，也无需对衬底进行镂空，避免了制作全镂空结构所需的长时间体硅腐蚀工艺，简化制作流程，提高产品成品率。
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公开(公告)号：CN102117350B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN200910312941.8
申请日：2009-12-31
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明公开了一种多线网之间物理短路位置的自动定位方法，属于电子设计自动化技术领域。所述方法包括：接收电路图/电路网表、物理版图数据及LVS结果数据，根据所述电路图/电路网表、物理版图数据及LVS结果数据建立抽象图，并对该抽象图进行简化，完成多线网物理连接短路在简化后抽象图上的自动定位。利用本发明，可自动实现集成电路物理版图设计过程中多线网之间物理短路的自动定位，以替代设计人员在物理版图上手工寻找物理短路位置，从而提高物理版图的设计效率。
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公开(公告)号：CN103367326A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210102008.X
申请日：2012-04-09
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L23/544
摘要： 本申请公开了一种芯片上测试开关矩阵，包括位于绝缘基底层上的M个器件焊盘和N个测试焊盘或测试接触垫，其中M≥N，M、N分别是大于1的整数，其中，在每一个器件焊盘和每一个测试焊盘或测试接触垫之间形成初始断开或初始闭合的开关。该芯片上测试开关矩阵用于将集成电路外部的测试设备选择性地连接至集成电路内部的待测试的半导体器件。
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公开(公告)号：CN103130177A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110392138.7
申请日：2011-11-30
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明提供一种悬浮结构MEMS器件的牺牲层刻蚀方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成牺牲层；形成穿透所述牺牲层的隔离槽，围绕要形成悬浮结构MEMS器件的区域；形成阻挡层覆盖隔离槽的侧壁；去除要形成悬浮结构MEMS器件的区域中的牺牲层。相应的，本发明还提供一种悬浮结构MEMS器件。本发明提供的方法能有效抑制使用腐蚀的方法制造半导体悬浮结构时产生的侧向钻蚀效应。
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公开(公告)号：CN102778503A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201110122283.3
申请日：2011-05-12
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开了一种声表面波气体传感器及其制造方法，所述声表面波气体传感器包括：基底、同时设置在所述基底上的阵列式插指换能器和外围电路；其中，所述基底部分镀有压电薄膜；所述阵列式插指换能器设置于所述压电薄膜之上；所述阵列式插指换能器中除两端的插指换能器之外均覆盖有保护膜；所述阵列式插指换能器中两端的插指换能器分别连接所述外围电路构成回路；所述外围电路设置于未镀有所述压电薄膜的基底部分。通过本发明实施例，可以实现将表面波器件及其外围电路同时设置于同一基片上。
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