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公开(公告)号：CN107170840A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710369141.4
申请日：2017-05-23
申请人： 中山大学
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/032 , H01L31/074 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L31/02167 , H01L31/032 , H01L31/074 , H01L31/1868
摘要： 本发明涉及太阳电池技术领域，公开了一种背接触异质结太阳电池的发射极，由上至下包括至少一层CrOx薄膜。本发明还公开了一种采用上述发射极的背接触异质结太阳电池及其制备方法。本发明可以大大提高太阳电池的效率。
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公开(公告)号：CN104916709B
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201510291138.6
申请日：2015-05-29
申请人： 中山大学
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种结构为氧化物‑金属多层膜/硅基太阳电池，该太阳电池的结构从上至下依次包括：银电极、氧化物‑金属多层膜、钝化层、硅基体和全铝背电极，所述的氧化物‑金属多层膜由第一氧化物薄膜、金属薄膜和第二氧化物薄膜复合而成，所述的第一氧化物薄膜或第二氧化物薄膜为MoO3薄膜、掺锡In2O3薄膜、掺氟SnO2薄膜或掺铝ZnO薄膜，所述的金属薄膜为Ag薄膜、Au薄膜或Al薄膜。该电池可以避免传统的热扩散或者离子注入法制备发射极引起的俄歇复合和死层现象。还公开了上述结构为氧化物‑金属多层膜/硅基太阳电池的制备方法，该方法制作工序少，适合大规模生产，整个制备过程无需高温。
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公开(公告)号：CN104124287B
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201410278075.6
申请日：2014-06-20
申请人： 中山大学
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/068
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本发明公开了一种单晶硅太阳电池背表面栅线电极结构，包括设于单晶硅片背表面的p型发射极和n型背面场，p型发射极和n型背面场相互交替分布且不相接触，还包括p型发射极主栅电极、n型背面场主栅电极、p型发射极细栅电极和n型背面场细栅电极，p型发射极细栅电极位于p型发射极上，n型背面场细栅电极位于n型背面场上，p型发射极细栅电极与p型发射极主栅电极相连接，n型背面场细栅电极与n型背面场主栅电极相连接，每个p型发射极细栅电极由多条平行均匀分布的细栅组成，多条平行均匀分布的细栅的末端通过一细栅相连，还公开了具有上述背表面栅线电极结构的背结背接触太阳电池，该电池可减少银浆使用量和背面复合，提高光电转换效率。
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公开(公告)号：CN105931753A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610279034.8
申请日：2016-04-29
申请人： 中山大学
CPC分类号： H01B13/0026 , H01B1/02 , H01B5/00
摘要： 本发明公开了一种具有反衬金字塔凹坑阵列的可折叠、可卷曲自支撑银导电膜的制备方法，包括以下步骤：(1)取银盐、六亚甲基四胺、氨水在容器中搅拌均匀得到混合液；(2)将混合液倒入水热反应釜中，再将具有金字塔绒面结构的硅片基底呈斜倚状放入到反应釜中，密闭后放入恒温箱中，反应后冷却至室温；(3)取出反应容器中的样品，清洗、烘干后，将银导电膜从硅片基底层揭下后即可分离获得。本发明方法省去导电材料的合成与浆料的制备环节，相对于传统工艺更为简单；本发明获得的银导电膜具有优异的机械性能和导电性能；本发明获得的银导电膜是一种无基底的自支撑银导电膜，可以适用于高温或极度潮湿的场合。
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公开(公告)号：CN102637768B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201110038480.7
申请日：2011-02-15
申请人： 中山大学
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种发射极卷包晶体硅太阳能电池的制备方法，该方法利用激光在硅片表面密集开孔或刻槽直至贯穿，随后进行表面清洗以及损伤层的处理，然后通过单步扩散法对其进行重掺杂，并在重掺杂硅片的上下表面孔或槽区域及附近通过丝网印刷高分子聚合物材料作为耐腐蚀阻挡层，硅片其余部分经过化学腐蚀变为轻掺杂或再经过进一步的腐蚀而抛光，随后除去耐腐蚀的阻挡层，即制备得选择性发射极卷包晶体硅太阳能电池。采用本发明方法制成的太阳能电池工艺步骤相对简单、且容易实现规模化生产，能够在不增加制作成本的情况下通过选择性发射极卷包结构提高电池以及组件的转换效率。
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公开(公告)号：CN104649334A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510040342.0
申请日：2015-01-27
申请人： 中山大学
摘要： 本发明公开了单分散超顺磁四氧化三铁纳米颗粒的制备方法及四氧化三铁纳米颗粒。采用溶剂热法制备得到单分散性Fe3O4磁性颗粒，然后用水热法对产物Fe3O4磁性颗粒进行表面活性剂聚丙烯酸改性，最后分散于去离子水中即得。本发明制备的单分散超顺磁四氧化三铁纳米颗粒，其磁性颗粒粒径分布，形貌均匀，平均粒径约为75nm，颗粒磁性能强，颗粒比饱和磁化强度最高达78emu/g，分散性好且呈超顺磁性。本发明制备的单分散超顺磁四氧化三铁纳米颗粒制备方法简便，生产成本低廉，可广泛应用于机械、电子、光学、磁学、化工和生物学等领域，特别在抗癌药物传递释放方面的应用上有巨大的前景。
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公开(公告)号：CN104409536A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410743903.9
申请日：2014-12-08
申请人： 常州天合光能有限公司 , 中山大学
IPC分类号： H01L31/048 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0488
摘要： 本发明公开了一种用于建筑内部装饰的彩色光伏组件及其制备方法，用于建筑内部装饰的彩色光伏组件从上到下依次为正面玻璃、正面封装层、双面太阳电池阵列、背面封装层和背面玻璃，双面太阳电池阵列具有多个双面太阳电池片，并且每个双面太阳电池片的背面为单一颜色，双面太阳电池阵列的背面具有至少一种颜色。本发明不仅可以获得组合成的彩色图案，增加建筑美感，供内部游客欣赏，而且可以双面发电，具有良好的透光性，增加其发电效率。
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公开(公告)号：CN102623564B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201210091683.7
申请日：2012-03-30
申请人： 中山大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种具有激光开槽正面电极的晶体硅太阳电池的制作方法，包括镀氮化硅减反射膜工序，还含有以下工序：采用激光对晶体硅片正面的氮化硅减反射层和发射区进行激光开槽，再经后续含印刷正面银电极、背面银电极和背电场工序，烧结后获得具有激光开槽正面电极的晶体硅太阳电池。该方法能够克服银浆与氮化硅需要发生反应才能穿透SiNx层的缺陷，通过简化银浆制备工艺，简化银浆的配方，并降低银浆使用量从而减少制备太阳电池的成本。
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公开(公告)号：CN102944120B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201210469022.3
申请日：2012-11-19
申请人： 中山大学
IPC分类号： F27D21/00
摘要： 本发明属于一种烧结炉温度巡检仪载运装置。具体公开一种一体式多功能烧结炉温度巡检仪运载器，包括电池片架和仪器托盘，所述电池片架和仪器托盘上都固定连接有手柄，所述电池片架上横向地设置有若干用于支撑热电偶线头的支撑杆，所述电池片架的边框上还活动的铰接有若干用于支撑热电偶线头的转杆，所述支撑杆和转杆上均设有若干能在支撑杆上能滑动的用于压住热电偶线头的压块。该温度巡检仪运载器体积小，安装方便，使用寿命长，可实现烧结炉温度顺利在线检测，有效地解决了温度巡检仪在测量烧结炉温度过程中，硅片破碎后热电偶线头漏下，从而被输送网绞断的问题；同时还解决了晶体硅太阳电池片下表面温度不容易测到及温度巡检仪放置与收取不方便的问题。
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公开(公告)号：CN102569437B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201210002691.X
申请日：2012-01-05
申请人： 中山大学
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明属于电池技术领域。具体公开一种电场钝化背面点接触晶体硅太阳电池及其制备方法，该太阳电池包括硅片衬底，硅片衬底包括有吸收太阳光的前表面，前表面有硅片前表面有扩散得到的n+层、氮化硅减反膜及银前电极，所述银前电极底部设有若干通孔，硅片衬底背面先形成二氧化硅和氮化硅复合钝化膜，复合钝化膜背面印有网状图案的中间铝层，中间铝层通过通孔与银前电极的底部形成合金实现电荷导通，中间铝层背面镀有一层与背面电极形成电荷隔离的氧化铝介质层，网状图案中间铝层的无浆料区域被激光局域开孔并形成局域硼背场，背电极与硅片衬底以点接触方式形成欧姆接触。本发明的电池通过其制备工艺能够形成良好的欧姆接触和局域硼背场，中间铝层与主栅的导通能起到电场钝化作用，减少背面复合速率，并削弱光生电动势对太阳电池的负面影响，提高太阳电池效率。
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