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公开(公告)号:CN105161454A
公开(公告)日:2015-12-16
申请号:CN201510405436.3
申请日:2015-07-10
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L21/31138 , H01L27/1222 , H01L29/6675 , H01L29/66765 , H01L27/1214
Abstract: 本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置,属于显示技术领域,其可解决现有的半导体材料层曝光显影后的光刻胶与基板接触的面积小,导致光刻胶易脱落的问题。本发明的制备方法中,采用掩膜板对光刻胶进行曝光、显影,使第一区域保留第一厚度的光刻胶,第二区域保留第二厚度的光刻胶,其中第一厚度大于第二厚度,第一区域为对应薄膜晶体管的有源区的区域,且每个第一区域均至少部分与第二区域相连,使得曝光后的光刻胶与基板接触的面积大,第一区域的光刻胶不易脱落。本发明的阵列基板的制备方法适用于制备各种阵列基板。
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公开(公告)号:CN105093751A
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201510506313.9
申请日:2015-08-18
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
IPC: G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/1244 , G02F1/136204 , G02F1/136286 , G02F2001/133388 , H01L27/0288 , H01L27/1296 , H01L29/1041 , H01L29/66765 , H01L29/78669 , G02F2001/136295
Abstract: 预防ESD的GOA布局设计,本发明涉及一种阵列基板,包括显示区和驱动电路区,所述驱动电路区包括GOA单元,所述GOA单元包括基板、栅电极层、绝缘层、有源层和源漏电极层,并且所述驱动电路区还包括连接到所述栅电极层的栅极引线以及位于与所述源漏电极层同一层的源漏层引线,其中在所述栅极引线和所述源漏层引线中相互交叉的部分之间仅形成有所述绝缘层。本发明还涉及一种阵列基板的制造方法以及一种包括该阵列基板的显示装置。
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公开(公告)号:CN203728123U
公开(公告)日:2014-07-23
申请号:CN201420001662.6
申请日:2014-01-02
Applicant: 北京京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC: B65G43/08
Abstract: 本实用新型公开了一种沉积物料供给设备和系统,其中供给设备包括:光源、光处理通道和光接收器,所述光接收器接收从光源发出的并经过光处理通道的光。将上述沉积物料供给设备应用在阵列基板维修工艺中,光源发射的光通过光处理通道被通道中部设置的物料罐中的沉积物料吸收,被光处理通道另一端的光接收器接收,通过光源发射光的光强实现对沉积物料供给量的控制,如果物料罐内装有沉积工艺使用的金属粉尘,进而对化学气相沉积形成金属膜层的厚度进行控制,解决以往沉积过程中金属膜层厚度不均匀的问题,保证维修成功率,提高阵列基板的良品率。
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