公开(公告)号：CN108536324B

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN201710123374.6

申请日：2017-03-03

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方光电科技有限公司

发明人： 刘冲 ,  赵海生 ,  肖志莲 ,  肖红玺 ,  王薇 ,  裴晓光

IPC分类号： G06F3/041 ,  G06F3/044

摘要： 本发明提供一种阵列基板，包括：衬底；设置在所述衬底上的第一信号线和第二信号线，所述第一信号线与所述第二信号线同层设置且相互间隔；绝缘层，所述绝缘层覆盖所述第一信号线和所述第二信号线；所述绝缘层上形成有贯穿该绝缘层的槽，所述槽延伸至所述第一信号线和第二信号线所在层的底面而将所述第一信号线和所述第二信号线间隔开，使得所述第一信号线和所述第二信号线之间绝缘。相应地，本发明还提供一种阵列基板的制作方法、显示装置。本发明能够减少方格不良。

公开(公告)号：CN106711156B

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN201710047075.9

申请日：2017-01-22

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方光电科技有限公司

发明人： 肖志莲 ,  蒋会刚 ,  裴晓光 ,  刘冲 ,  赵海生 ,  黄雄天 ,  肖红玺

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77

摘要： 本发明提供一种阵列基板、显示面板及阵列基板制备方法，阵列基板包括形成在基底上的保护层，以及贯穿所述保护层的过孔，还包括第一导电层，第一导电层位于形成有所述过孔的保护层上远离所述基底的一侧。通过令第一导电层在过孔底部的厚度大于第一导电层在非过孔区域的厚度，即增加了第一导电层在过孔底部的厚度，可以减小过孔中孔底与孔顶的段差，从而减小过孔内部第一导电膜层脱落的风险，进而避免电极信号中断，提高TFT的电连接性能。

公开(公告)号：CN106876387B

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201710086972.0

申请日：2017-02-17

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方光电科技有限公司

发明人： 肖志莲 ,  赵海生 ,  肖红玺 ,  裴晓光 ,  刘冲

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77

摘要： 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法，属于半导体技术领域。该制造方法包括提供一衬底基板；在衬底基板上制作栅极金属层，栅极金属层包括间隔设置的栅线和公共电极信号线；在栅极金属层上形成栅极绝缘层、有源层、源漏极层、钝化层和保护图形；在钝化层和栅极绝缘层上开设用于连接公共电极信号线的过孔。通过在栅线上方形成保护图形，使得在刻蚀过程中，需要刻透钝化层、保护图形和栅极绝缘层才会使栅线露出，而公共电极信号线上方没有设置保护图形，在刻蚀过程中，只需刻透钝化层和栅极绝缘层就会将公共电极信号线露出，因此在形成过孔的过程中可以保证在公共电极信号线露出时，栅线不露出，从而避免栅线与公共电极信号线出现短接。

公开(公告)号：CN104282624B

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201410601808.5

申请日：2014-10-31

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方光电科技有限公司

发明人： 刘冲 ,  赵海生 ,  马海涛 ,  肖红玺 ,  彭志龙 ,  刘还平

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L27/1244

摘要： 本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，属于显示技术领域，本发明的阵列基板的制备方法，其包括如下步骤：在基底上方，依次沉积第一透明导电薄膜和源漏金属薄膜；通过构图工艺形成包括源漏金属图案的图形；通过构图工艺形成包括像素电极，以及位于源漏金属图案下方的修复结构的图形。本发明的阵列基板是通过上述制备方法制备的。本发明的显示装置包括该阵列基板。

公开(公告)号：CN105261556A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201510729734.8

申请日：2015-10-30

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方光电科技有限公司

发明人： 裴晓光 ,  赵海生 ,  彭志龙 ,  肖红玺 ,  刘冲 ,  肖志莲 ,  林子锦 ,  白云飞 ,  蒋会刚 ,  董宜萍 ,  陈皓 ,  仇淼 ,  常阔

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/1288 ,  G06F3/041 ,  G06F2203/04103 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/027 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3065 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/127 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78669

摘要： 本发明公开了一种膜层图案化的方法，在对待图案化膜层进行干刻处理形成图案化膜层时，由于可能存在的悬浮颗粒的遮挡，在悬浮颗粒下方的膜层不会被刻蚀掉而产生刻蚀残留物，因此，通过去除图案化膜层上覆盖的悬浮颗粒，可以将刻蚀残留物上方的悬浮颗粒移位或完全去除，之后对去除悬浮颗粒后的图案化膜层再次进行干刻处理时将刻蚀残留物刻蚀掉，在形成的膜层的最终图案中完全避免了刻蚀残留物的产生，从而提高了产品良率，保证了产品的品质。

公开(公告)号：CN105226055A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201510738246.3

申请日：2015-11-03

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方光电科技有限公司

发明人： 裴晓光 ,  刘冲 ,  肖志莲 ,  赵海生 ,  彭志龙

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L27/1244 ,  H01L21/77 ,  H01L27/02 ,  H01L27/0251 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1262 ,  H01L27/127 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78669

摘要： 本发明提供了一种阵列基板及制作方法、显示面板及显示装置，属于显示技术领域。其中，阵列基板的制作方法包括：在衬底基板上形成多个相互独立的、包括有端部的第一金属层图形，所述端部位于所述阵列基板的非显示区域；在所述第一金属层图形上形成绝缘层；沉积第二金属层之前，在所述绝缘层上形成与所述端部对应的半导体图形。本发明的技术方案能够减少尖端放电导致的GOA单元损坏，提高显示产品的良品率。

公开(公告)号：CN105100506A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510494589.X

申请日：2015-08-12

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方光电科技有限公司

发明人： 王薇 ,  张浩 ,  时凌云 ,  董学 ,  刘冲

IPC分类号： H04M1/73 ,  G09G5/36 ,  G01C3/00 ,  G01B15/00

CPC分类号： G06T3/40 ,  G01B11/02 ,  G06F3/011 ,  G06K9/00228 ,  G09G5/391 ,  G09G2340/04 ,  G09G2354/00

摘要： 本发明涉及显示装置、显示系统和分辨率调整方法，上述显示装置包括显示屏，还包括：距离传感器和调整单元，其中，所述距离传感器包括：粒子发射器，用于向观看者发射第一粒子束；粒子接收器，用于接收观看者反射的第一粒子束，所述调整单元根据发射的第一粒子束的能量密度和接收的第一粒子束的能量密度。通过本发明的技术方案，可以根据观看者距离显示屏的观看距离来调整显示屏的分辨率，在用户观看距离较大时，适当降低显示屏的分辨率，在保证用户观看效果的前提下降低显示屏的耗电量。

公开(公告)号：CN104749849A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201510201759.0

申请日：2015-04-24

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方光电科技有限公司

发明人： 刘冲 ,  王薇 ,  赵海生 ,  彭志龙 ,  肖志莲 ,  刘还平

IPC分类号： G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L23/50 ,  H01L27/12

CPC分类号： G02F1/136286 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/134336 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  H01L27/124

摘要： 本发明公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置，该阵列基板包括：栅极、栅线、数据线、像素电极和公共电极线；其中，公共电极线与栅线延伸方向相同，像素电极位于相邻的栅线和相邻的数据线定义的区域；栅线沿其延伸方向贯穿于与栅线位于同一行的栅极，像素电极靠近栅线的一端与栅线之间具有间隙，这样栅线可以沿着靠近像素电极的方向移动，进而栅线可以水平穿过与栅线位于同一行的栅极，使得栅极延伸到像素区域的面积减小，随之栅极延伸到像素区域的边缘的周长减小，在阵列基板的制作工艺中，有源层成膜后的清洗过程中，有源层金属在栅极边缘处的残留可以减少，从而有效降低阵列基板制作工艺中有源层金属的残留，可以提高阵列基板的产品良率。

公开(公告)号：CN108962181A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201811104527.3

申请日：2018-09-21

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方光电科技有限公司

发明人： 刘冲 ,  赵海生 ,  肖红玺 ,  李宝金 ,  王薇 ,  裴晓光

IPC分类号： G09G3/36 ,  G09G3/3266 ,  G11C19/28

CPC分类号： G09G3/3674 ,  G09G3/3266 ,  G11C19/28

摘要： 本发明公开了一种移位寄存器、栅极驱动电路及显示装置，在形成串联且叠层设置的电容结构的过程中，制作完第一电容器后，通过保留GOA工艺中位于移位寄存器区域的树脂层，再通过进行ITO Mask工艺形成位于树脂层上且与第一电容器串联的第二电容器，这样串联的两个电容器能够实现窄边框设计并且可以保证电容结构存储电容的容量满足设计要求，保留的树脂层可以解决在后续进行ITO Mask工艺时，不会造成像现有技术中由于将移位寄存器区域的树脂层做挖空处理而影响ITO工艺的ITO Mask曝光、造成ITO残留、导致ITO残留处发生短路、从而使移位寄存器工作异常、发生异常显示的问题。

公开(公告)号：CN105932025B

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201610353751.0

申请日：2016-05-25

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方光电科技有限公司

发明人： 刘冲 ,  赵海生 ,  裴晓光 ,  肖志莲 ,  彭志龙 ,  肖红玺 ,  王薇

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1343

摘要： 本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置，用以降低阵列基板的集线区由于引出线之间的凹槽而引起的斜线不良现象。本发明提供的一种阵列基板，包括多个引出线，所述多个引出线在阵列基板的集线区形成的多个凹槽处具有填充物，使得所述凹槽的上表面与所述凹槽周边的引出线处于同一水平面；其中，所述填充物为具有绝缘性和透明性的材料组成。