公开(公告)号：CN109148445A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201811002311.6

申请日：2018-08-30

申请人： 成都方舟微电子有限公司

发明人： 张少锋 ,  周仲建

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L27/02

CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L27/0266 ,  H01L27/0288

摘要： 本发明公开了一种动态电阻及芯片及电路，所述动态电阻包括：一个N沟道耗尽型器件和一个P沟道耗尽型器件，N沟道耗尽型器件和P沟道耗尽型器件前后串联，N沟道耗尽型器件的源极与P沟道耗尽型器件的源极相连，N沟道耗尽型器件的栅极与P沟道耗尽型器件的漏极相连，P沟道耗尽型器件的栅极与N沟道耗尽型器件的漏极相连，N沟道耗尽型器件的漏极为动态电阻电流输入端，P沟道耗尽型器件的漏极为动态电阻电流输出端；具有电路损耗小，对浪涌电流完全隔离；与采用PTC热敏电阻相比较，具有响应快，电隔离更彻底，电路发热小等优点。

公开(公告)号：CN105097800B

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201510548887.2

申请日：2015-08-31

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方光电科技有限公司

发明人： 郝金刚 ,  吴东琨

IPC分类号： H01L27/02

CPC分类号： G02F1/136204 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/503 ,  G02F2202/10 ,  H01L27/0288 ,  H01L27/1244

摘要： 本发明提供一种显示基板、显示面板和显示装置。该显示基板包括设置在显示区外围的走线区，走线区内设置有相邻且相互绝缘的第一静电放电体和第二静电放电体，走线区内还设置有静电释放体，静电释放体与第一静电放电体和第二静电放电体之间均相互绝缘，第一静电放电体与第二静电放电体之间的静电放电能优先释放到静电释放体上。该显示基板能使第一静电放电体与第二静电放电体之间的静电放电优先释放到静电释放体上，从而避免第一静电放电体和第二静电放电体之间的静电放电对第一静电放电体和第二静电放电体造成损坏，进而避免了静电放电导致显示基板出现不良，确保了显示基板的品质。

公开(公告)号：CN107845629A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201710853253.7

申请日：2017-09-20

申请人： 格芯公司

发明人： 马哈德瓦尔·纳塔拉恩 ,  李建兴 ,  曼约纳塔·普拉布

IPC分类号： H01L27/02 ,  H02H9/04

CPC分类号： H02H9/046 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0262 ,  H01L27/0266 ,  H01L27/0288 ,  H01L27/0292 ,  H02H1/0061 ,  H01L27/0248 ,  H02H9/044

摘要： 本发明涉及用于具有新颖静电放电(ESD)保护架构及电路的半导体装置的方法、设备及系统，其关于半导体装置的方法、设备及系统，其中具有ESD功能用于提供分别在第一、第二路径中的第一、第二ESD电流流。半导体装置包括：接垫，用于接收或传送或收发电子讯号；受害电路；ESD保护装置，经组配成用于接收由ESD事件造成的ESD电流的至少部分且用于保护受害电路免受害于ESD电流；ESD电流控制模块，能从接垫接收由ESD事件造成的ESD电流，其中，ESD电流控制模块能引导第一、第二ESD电流部分分别通过ESD保护装置、受害电路。半导体装置也包含耗散路径，用于接收第一及第二ESD电流部分且引导第一及第二ESD电流部分通过耗散路径至接地节点。

公开(公告)号：CN107799519A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201711160626.9

申请日：2017-11-20

申请人： 荣湃半导体(上海)有限公司

发明人： 董志伟

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L23/64

CPC分类号： H01L27/0207 ,  H01L23/642 ,  H01L27/0288 ,  H01L27/0296

摘要： 本发明提供一种高压隔离电容，其中所述高压隔离电容包括：N个串联的子隔离电容，每个所述子隔离电容包括正极和负极，每个所述子隔离电容通过其正极和负极中的一极设置在所述衬底上，而所述正极和负极中的另一极远离所述衬底，其中，N为大于1的自然数。本发明提供的隔离电容能够显著地降低隔离电容的厚度，并且能够通过采用现有的成熟工艺来实现较高的隔离电压。

公开(公告)号：CN107658295A

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201711101434.0

申请日：2017-11-10

申请人： 江南大学

发明人： 顾晓峰 ,  马艺珂 ,  梁海莲 ,  丁盛

IPC分类号： H01L27/02

CPC分类号： H01L27/0255 ,  H01L27/0288 ,  H01L27/0296

摘要： 一种全对称双栅控二极管触发SCR结构的双向ESD保护抗闩锁器件，可用于提高IC芯片的抗ESD能力。主要由P衬底、P外延、第一N阱、P阱、第二N阱、第一N+注入区、第一P+注入区、第二N+注入区、第二P+注入区、第三N+注入区、第三P+注入区、第四N+注入区、第一多晶硅栅及其覆盖的第一薄栅氧化层和第二多晶硅栅及其覆盖的第二薄栅氧化层构成。在ESD应力作用下，一方面，该器件具有阻容耦合辅助触发路径，既不用耗费额外的版图面积，又能充分利用阻容耦合电路触发电压低、开启时间短的优势，缩小ESD保护器件的电压回滞幅度。此外，还利用栅控二极管的导通特性，提高N阱寄生阱电阻的电位，加速SCR结构电流泄放路径的开启；另一方面，该器件具有两条ESD电流泄放路径和全对称结构，有助于提高器件的ESD鲁棒性，可实现ESD双向防护。

公开(公告)号：CN107450002A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710356498.9

申请日：2017-05-19

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： A.卡莱蒂 ,  A.皮杜蒂 ,  G.施里特瑟

IPC分类号： G01R31/26

CPC分类号： H02H7/205 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/5256 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0288 ,  H01L29/866 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4903 ,  H02H3/20 ,  H01L2924/00 ,  G01R31/2607

摘要： 本发明公开器件过压检测器。描述了一种半导体器件过压检测结构，其包括电流路径，所述电流路径包括与熔断器串联连接的齐纳二极管。该齐纳二极管被配置成响应于半导体器件处的过压状况而传导电流，并且该熔断器被配置成响应于该齐纳二极管传导电流来永久地断开该过压检测结构的电流路径。

公开(公告)号：CN105116630B

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201510613281.2

申请日：2015-09-23

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方光电科技有限公司

发明人： 刘汉青 ,  张鹏举 ,  赵斌 ,  于刚 ,  赵德涛

IPC分类号： G02F1/1339

CPC分类号： H01L27/0292 ,  G02B6/4275 ,  H01L27/0288 ,  H01L27/124 ,  H01L27/288 ,  H05K1/0259

摘要： 本发明涉及一种显示面板及显示装置，以解决现有技术中手机模组背光不再采用铁框设计，需要提高显示面板的抗静电能力的问题。该显示面板包括相对设置的阵列基板和对向基板，以及设置在非显示区域的封框胶，还包括：设置在阵列基板和/或对向基板的非显示区域，且包含至少一个静电释放结构的周边走线；封框胶在与静电释放结构对应的区域设置有填充材料，填充材料包含被绝缘材料包裹的导电材料；绝缘材料为常温绝缘超过预设温度阈值时融化的材料，导电材料为在超过预设温度阈值时融化的材料。由于在周边走线上增加了容易被击伤的静电释放结构，且在封框胶中添加了常温绝缘高温熔化的填充材料，因而保证显示面板长时间内都具有高抗静电能力。

公开(公告)号：CN107408533A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201580078318.4

申请日：2015-06-19

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 前田敏 ,  森下泰之 ,  田中正德

IPC分类号： H01L21/822 ,  H01L27/04

CPC分类号： H01L27/0296 ,  H01L21/822 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5286 ,  H01L27/0266 ,  H01L27/0288 ,  H01L27/04

摘要： 半导体器件具备：与第一焊盘连接的第一输入输出电路；相对于第一输入输出电路配置在沿着芯片端部所构成的一条边的方向上且与第二焊盘连接的第二输入输出电路；和配置在第一输入输出电路及第二输入输出电路的外侧的芯片端部附近的ESD保护电路。ESD保护电路具备电阻、电容、反相器和N沟道晶体管。

公开(公告)号：CN104253021B

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201410276234.9

申请日：2014-06-19

申请人： 安世有限公司

发明人： 迈克尔·安东尼·阿曼德·因赞特 ,  克劳斯·莱曼 ,  奥拉夫·温尼克

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L27/02

CPC分类号： H02H9/06 ,  H01J9/025 ,  H01J9/18 ,  H01L23/60 ,  H01L27/0288 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种形成电场间隙器件的方法，例如横向场致发射ESD保护结构，其中在介电层之间形成有阴极层。形成有阳极沟道，并衬有牺牲介电层。在阳极沟道内形成有导电的阳极柱，随后阳极柱附近的牺牲介电层被蚀刻掉。刻蚀留下了阴极层的悬空部分，其定义了至相邻的阳极柱之间的横向间隙。这一部分具有由阴极层的角部定义的尖的端部表面，由于横向间隙与牺牲介电层的厚度相应，因而可以被精准地定义。

公开(公告)号：CN107342313A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201710696390.4

申请日：2017-08-15

申请人： 杭州浙阳电气有限公司

发明人： 杨贺雅 ,  罗浩泽 ,  梅烨

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L27/02

CPC分类号： H01L29/0684 ,  H01L27/0288 ,  H01L27/0296

摘要： 本发明公开了一种门极杂散均衡衬底及其功率半导体模块。包括四个功率电势区域和三个辅助电势区域，在第一、第三功率电势区域上装有多个功率开关，每个功率开关由多个功率半导体芯片组成，多个功率半导体芯片相并联并连接到相邻的功率电势区域上；第一、第二功率电势区域之间和第三、第四功率电势区域之间设有第二辅助电势区域，沿第二方向上第一辅助电势区域和第一或者第三功率电势区域之间设有第一辅助电势区域，在第二、第一功率电势区域之间以及第三、第一功率电势区域之间设有第三辅助电势区域，第二、第三辅助电势区域之间电连接。与现有技术相比，本发明提供的功率半导体模块的优势在于可使功率开关各芯片的控制回路杂散参数均匀。