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公开(公告)号：CN104917941B
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201510110188.X
申请日：2015-03-13
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/225 , H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H04N5/2353 , H04N5/353 , H04N5/3532 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/37452 , H04N5/378
Abstract: 本发明涉及图像拾取装置和图像拾取系统。图像拾取装置执行多个像素的曝光时段相互一致的全局电子快门动作。在像素中的至少一个的光电转换单元存储电荷的第一时段中，基于存储于像素的保持单元中的电荷的信号被依次输出到输出线。在终止从像素输出信号之后的第二时段中，像素的保持单元保持电荷。
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公开(公告)号：CN105321970A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510320636.9
申请日：2015-06-12
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L21/78 , H01L27/14612 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14641 , H01L27/14687
Abstract: 公开了一种制造固态图像传感器的方法和固态图像传感器。该方法包括准备晶片，所述晶片包括设置了光电转化元件的像素区、设置了用于构成周边电路的周边MOS晶体管的栅电极的周边电路区、和划片区。所述方法包括形成覆盖像素区、周边电路区和划片区的绝缘膜，以及通过蚀刻绝缘膜在栅电极的侧表面上形成侧壁间隔物使得部分绝缘膜保留以覆盖像素区和划片区，以及通过使用覆盖像素区和划片区的绝缘膜作为用于保护以不受硅化影响的掩模在周边电路区中形成金属硅化物层。
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公开(公告)号：CN104917980A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510103714.X
申请日：2015-03-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/374 , H01L27/148
CPC classification number: H04N5/361 , H01L27/14603 , H01L27/14612 , H01L27/14623 , H01L27/1463 , H04N5/37452
Abstract: 本发明涉及固态成像设备和成像系统。固态成像设备包括多个像素，像素包括：光电转换部；电荷保持部，积聚从光电转换部转移的信号电荷；以及浮置扩散区，电荷保持部的信号电荷被转移到浮置扩散区，其中，光电转换部包括第一导电类型的第一半导体区以及在第一半导体区下面形成的第二导电类型的第二半导体区，电荷保持部包括第一导电类型的第三半导体区以及在第三半导体区下面形成的第二导电类型的第四半导体区，并且第三半导体区与第四半导体区之间的p-n结的位置比第一半导体区与第二半导体区之间的p-n结深。
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公开(公告)号：CN102576719B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201080044599.9
申请日：2010-10-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14609 , H01L27/14689
Abstract: 固态图像拾取装置包括光电转换部分、被配置为包含第一导电类型的第一半导体区域的电荷保持部分和被配置为包含控制电荷保持部分和感测节点之间的电势的传送栅电极的传送部分。电荷保持部分包含控制电极。第二导电类型的第二半导体区域被设置在控制电极和传送栅电极之间的半导体区域的表面上，第一导电类型的第三半导体区域被设置在第二半导体区域之下。第三半导体区域被设置在比第一半导体区域深的位置处。
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公开(公告)号：CN104754254A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201410808890.9
申请日：2014-12-23
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/378 , H01L27/146
CPC classification number: H04N5/378 , H01L27/14612 , H01L27/14643 , H04N5/374 , H04N5/3745
Abstract: 公开了成像设备和成像系统。多个像素电路中的每一个都是绝缘栅晶体管，并包括第一种晶体管，所述第一种晶体管具有要施加的等于或高于第一值的栅极电势差的最大值。多个模拟信号处理电路中的每一个是绝缘栅晶体管，并包括第二种晶体管，所述第二种晶体管具有要施加的等于或低于比所述第一值低的第二值的栅极电势差的最大值。多个模拟信号处理电路中的每一个不包括具有要施加的不比第二值高的栅极电势差的最大值的绝缘栅晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101719993B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200910179060.3
申请日：2009-10-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/355
CPC classification number: H04N5/378 , H01L27/14609 , H04N5/3559 , H04N5/37452
Abstract: 本发明提供了固态图像拾取装置，包括多个像素，其中每个像素都包括电荷存储部分、光电转换部分、第一传送部分和第二传送部分，当一个时段期间所生成的信号电荷被传送到放大器时，控制单元提供脉冲，使得将导通脉冲提供给第二传送部分，而将截止脉冲提供给第一传送部分，由此将所存储的信号电荷传送到放大器，然后向复位部分提供导通脉冲，以复位传送到放大器的信号电荷，随后向第一传送部分和第二传送部分提供导通脉冲，以将光电转换部分中所保持的信号电荷传送到放大器。
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公开(公告)号：CN102576718A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080044598.4
申请日：2010-10-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14609
Abstract: 光电转换部、电荷保持部、传送部和感测节点被形成在P型阱中。电荷保持部被配置为在与光电转换部不同的部分中包括作为保持电荷的第一半导体区的N型半导体区。具有比P型阱更高的浓度的P型半导体区被布置在N型半导体区之下。
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公开(公告)号：CN110896083B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201910845927.8
申请日：2019-09-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开涉及光电转换装置和设备。硅化合物膜以及位于硅化合物膜和半导体层之间的金属化合物膜布置在主面上方，该硅化合物膜是氧化硅膜、氮化硅膜和碳化硅膜中的任何一种。硅化合物膜和金属化合物膜延伸到第一沟槽中，并且金属化合物膜延伸到第二沟槽中。当从第二沟槽的底部到硅化合物膜的距离表达为“Hb”并且从主面到硅化合物膜的距离表达为“Hd”时，各个距离满足条件“Hd
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公开(公告)号：CN115148752A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210310504.8
申请日：2022-03-28
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 大贯裕介
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了光电转换设备。提供了一种包括像素阵列的光电转换设备，该像素阵列包括第一像素和第二像素。第一像素包括光电转换单元并且对入射光进行光电转换以生成与入射光对应的信号，该光电转换单元包括第一导电类型的第一半导体区域作为电荷累积层，并且第二像素包括第一导电类型的第二半导体区域以及晶体管，该晶体管包括栅极和由连接到第二半导体区域的第三半导体区域形成的第一主电极。
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公开(公告)号：CN107591418B
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN201710544402.1
申请日：2017-07-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/14 , H01L27/144 , H01L27/146
Abstract: 一种光电转换设备、成像系统、及光电转换设备的制造方法，该光电转换设备包括设置在光电转换单元上方的波导构件，以及设置在基板上方并且包围波导构件的至少一部分的绝缘构件。波导构件具有从基板依次布置的第一侧面、第二侧面和第三侧面。第一侧面的倾斜角小于第二侧面的倾斜角。第三侧面的倾斜角小于第二侧面的倾斜角。第二侧面的倾斜角小于90度。
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