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公开(公告)号：CN105244358B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201510549978.8
申请日：2012-02-09
申请人： 佳能株式会社
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明涉及一种固态图像拾取装置、其制造方法和图像拾取系统。提供一种用于制造固态图像拾取装置的方法。所述图像拾取装置包括光电转换部分、在光电转换部分之上的第一绝缘膜、在第一绝缘膜上的第二绝缘膜、以及波导，所述光电转换部分设置在半导体衬底上，所述第一绝缘膜用作抗反射膜，所述第二绝缘膜与所述光电转换部分对应地设置，所述波导具有包层和芯，所述芯的底部设置在第二绝缘膜上。所述方法包括通过各向异性蚀刻设置在光电转换部分之上的部件的一部分来形成开口，从而形成包层，并在所述开口中形成芯。在所述方法中，在第二绝缘膜的蚀刻速率低于所述部件的蚀刻速率的条件下执行所述蚀刻。
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公开(公告)号：CN102637702B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201210024573.9
申请日：2012-02-06
申请人： 佳能株式会社
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14627 , H01L27/14621 , H01L27/14629 , H01L27/1463
摘要： 本发明涉及光电转换装置。该光电转换装置包括具有光电转换部分的半导体衬底。绝缘体被设置在所述半导体衬底上。所述绝缘体具有与所述光电转换部分对应的孔。波导部件被设置在所述孔中。层内透镜被设置在所述波导部件的较远离所述半导体衬底的一侧。第一中间部件被设置在所述波导部件与所述层内透镜之间。所述第一中间部件具有比所述层内透镜低的折射率。
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公开(公告)号：CN102971851A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201180033415.3
申请日：2011-07-04
申请人： 佳能株式会社
发明人： 下津佐峰生
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/369
CPC分类号： H01L27/14636 , H01L27/14601 , H01L27/14621 , H01L27/14634 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H01L31/09
摘要： 提供能够抑制暗电流和/或泄漏电流的生成的固态图像拾取设备。该固态图像拾取设备具有：第一基板，具有设置在第一基板的主面上的光电转换器；第一布线结构，具有包含导电材料的第一接合部分；第二基板，在第二基板的主面上具有外围电路的一部分；以及第二布线结构，具有包含导电材料的第二接合部分。此外，第一接合部分和第二接合部分被接合为使得第一基板、第一布线结构、第二布线结构以及第二基板依次设置。此外，第一接合部分的导电材料和第二接合部分的导电材料被扩散防止膜包围。
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公开(公告)号：CN102637709A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210028218.9
申请日：2012-02-09
申请人： 佳能株式会社
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14623 , H01L27/14614 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14629 , H01L27/14636 , H01L27/14638 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/14689
摘要： 本发明公开了一种固态图像拾取装置及其制造方法，该装置包括布置有光电转换单元的半导体基板。绝缘体被设置在半导体基板上。绝缘体具有与各个光电转换单元相关联的孔。在各个孔中布置构件。在所述构件之一的与半导体基板相反的一侧上设置遮光构件，使得仅仅相关联的光电转换单元被遮光。在固态图像拾取装置中，同时形成所述孔，以及同时形成所述构件。
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公开(公告)号：CN105720067B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201610164142.0
申请日：2011-07-04
申请人： 佳能株式会社
发明人： 下津佐峰生
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 提供了一种固态图像拾取设备。该固态图像拾取设备具有：第一基板，具有设置在第一基板的主面上的光电转换器；第一布线结构，具有包含导电材料的第一接合部分；第二基板，在第二基板的主面上具有外围电路的一部分；以及第二布线结构，具有包含导电材料的第二接合部分。此外，第一接合部分和第二接合部分被接合为使得第一基板、第一布线结构、第二布线结构以及第二基板依次设置。此外，第一接合部分的导电材料和第二接合部分的导电材料被扩散防止膜包围。
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公开(公告)号：CN105789229B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201610171227.1
申请日：2013-02-28
申请人： 佳能株式会社
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明涉及光电转换装置、图像拾取系统以及制造光电转换装置的方法。一种光电转换装置，包括第一半导体衬底和第二半导体衬底，第一半导体衬底包括用于根据入射光生成信号电荷的光电转换单元，而第二半导体衬底包括用于处理基于在光电转换单元中生成的信号电荷的电信号的信号处理单元。该信号处理单元位于从光电转换单元到第二半导体衬底的正交投影区域中。包括多个绝缘体层的多层膜在第一半导体衬底与第二半导体衬底之间设置。第二半导体衬底的厚度小于500微米。第二半导体衬底的厚度大于第二半导体衬底与第一半导体衬底的光接收表面之间的距离。
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公开(公告)号：CN102959706B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201180032170.2
申请日：2011-06-23
申请人： 佳能株式会社
发明人： 下津佐峰生
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/357 , H04N5/374 , H04N5/3745
CPC分类号： H01L27/146 , H01L27/14609 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H04N5/3741
摘要： 本发明提供一种包括上面具有多个光电转换单元的第一基板和上面具有读取电路和并行处理电路的第二基板的固态成像装置。固态成像装置包括被配置为向多个并行处理电路供给DC电压的DC电压供给布线。DC电压供给布线是通过电连接设置在第一基板上的第一导电图案与设置在第二基板上的第二导电图案形成的。
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公开(公告)号：CN102637711A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210028226.3
申请日：2012-02-09
申请人： 佳能株式会社
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14629 , H01L27/14627
摘要： 本发明涉及光电转换元件、及使用该元件的光电转换装置和成像系统。一种聚光构件使入射在聚光构件的与绝缘膜的开口部分对应的第一区域上的光聚集在布置在所述开口部分内的光路构件的上部区域中，所述绝缘膜具有从所述开口部分延伸的上面，并且所述光路构件具有在与光电转换部分的光接收面对应的区域中的下面。
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公开(公告)号：CN102301475A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201080006232.8
申请日：2010-01-26
申请人： 佳能株式会社
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/1464 , H01L27/14603 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14654 , H01L27/14656 , H01L27/14672 , H01L27/14674 , H01L27/14689 , H01L31/062
摘要： 一种光电转换装置包括设置在半导体基板(5B)中的多个光电转换部分(51)，其中，各光电转换部分(51)包括：包含第一杂质的P型电荷蓄积区域(107)；和与P型电荷蓄积区域一起配置光电二极管的N型阱部分(102)，并且，各阱部分具有：包含第一浓度的砷的N型第一半导体区域(102a)；被设置在第一半导体区域下面并且包含比第一浓度低的第二浓度的砷的N型第二半导体区域(102b、102c)；和被设置在第二半导体区域下面并且包含比第一浓度高的第三浓度的第二杂质的N型第三半导体区域(102d)。
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