一种离子注入均匀性控制系统及控制方法

    公开(公告)号:CN1851867A

    公开(公告)日:2006-10-25

    申请号:CN200510066337.3

    申请日:2005-04-22

    Abstract: 本发明公开了一种离子注入均匀性控制系统及控制方法,涉及离子注入机,属于半导体制造领域。该系统包括移动法拉第杯、剂量积分检测器、数控扫描发生器、靶台运动和均匀性控制器和计算机,所述的移动法拉第杯输出与剂量积分检测器连接;所述的剂量积分检测器输出与靶台运动和均匀性控制器连接;所述的移动法拉第杯、剂量积分检测器、数控扫描发生器、靶台运动和均匀性控制器均与计算机连接,由计算机协调动作并进行控制;均匀性控制方法包括水平均匀性检测与修正方法和垂直均匀性检测与修正方法,均通过检测扫描数据、多次修正数据来使得均匀性达到误差范围。本发明能够自动实现离子注入剂量的精确检测、自动调整和剂量均匀性控制。

    一种控制离子均匀注入的二维扫描方法

    公开(公告)号:CN102446688B

    公开(公告)日:2016-03-09

    申请号:CN201010514120.5

    申请日:2010-10-13

    Abstract: 本发明公开了一种控制离子均匀注入的二维扫描方法,属于半导体制造领域。离子均匀性注入的二维扫描系统,包括:剂量控制器、运动控制器、移动法拉第、扫描板、计算机(实时系统)、直线电机,离子均匀注入的二维扫描方法,方法包括水平方向的静电扫描和垂直方向的机械扫描,通过计算机(实时系统)对运动控制器和剂量控制器的协调控制以及移动法拉第对束流的检测,实现运动控制器控制直线电机进行的垂直方向的均匀机械扫描和剂量控制器控制扫描板进行的水平方向的均匀电扫描能够同步运行,从而达到离子均匀注入的二维扫描控制,使得均匀性达到误差范围。本发明能够实现离子注入剂量的精确检测和剂量的均匀性控制。

    一种霍尔器件误差补偿电路

    公开(公告)号:CN102445671B

    公开(公告)日:2015-12-16

    申请号:CN201010514189.8

    申请日:2010-10-13

    Abstract: 本发明涉及一种霍尔器件误差补偿电路,该电路包括恒交流源1、电感2、绕线电感3、校正电阻4、负载电阻5、霍尔器件6、电感7、绕线电感8、变压器9、电阻10、放大器11及接地端12。该电路不仅通过并联负载电阻5来补偿温度误差,而且采用了由电感2和绕线电感3构成的补偿器件耦合电感,使温度误差补偿达到最佳效果;另在霍尔器件6的激励端与输出端并联上由电感7和绕线电感8构成耦合电感来补偿霍尔器件6的零位误差,使不等位电势降到最小。本发明电路简单,时间特性好,对于进行磁场检测的霍尔器件温度漂移及零位误差进行自动补偿,使之更加准确可靠。

    一种硅片传输系统布局结构

    公开(公告)号:CN102347261B

    公开(公告)日:2015-12-02

    申请号:CN201010243475.5

    申请日:2010-08-02

    Abstract: 本发明公布了一种硅片传输系统布局结构,该布局结构包括两个片库、三个真空机械手、两个片库、六个隔离阀、一个缺口定向台、一个工艺处理靶台、一个主真空腔体。本专利应用在真空环境中的硅片传输,各个单元之间协调配合工作,在传输硅片过程中任务分配合理,实现在线多片硅片流水线式传输,最大可能地提高了传输硅片的效率。

    一种机械式离子束均匀性校正器

    公开(公告)号:CN102446690B

    公开(公告)日:2015-07-15

    申请号:CN201010514163.3

    申请日:2010-10-13

    Abstract: 一种机械式离子束均匀性校正器,包括:真空腔,小光栏片,调节杆,真空动密封模块,调节传动模块,调节电机,上光栏链,下光栏链。所述的真空腔上下面开排孔,安装真空动密封模块;所述的小光栏片首尾相连,分别组合成上光栏链和下光栏链,并在连接处同调节杆的一端相连;所述的真空动密封模块安装在真空腔上,中间可穿过调节杆,并密封真空;所述的调节传动模块一端连接调节杆,另一端连接调节电机,将电机转动转变为调节杆的轴向滑动;所述的上光栏链和下光栏链由多个小光栏片首尾相连组成,并在每个连接处与一根调节杆连接,通过调节杆的轴向移动,调节相应连接点处上光栏链和下光栏链之间的距离,改变离子束的通过率,实现离子束在光栏链范围内的均匀性校正。

    一种控制离子均匀注入的二维扫描同步的方法

    公开(公告)号:CN102543642A

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN201010621908.6

    申请日:2010-12-27

    Abstract: 本发明公开了一种控制离子均匀注入的二维扫描同步的方法,涉及离子注入机,属于半导体制造领域。系统主要由运动控制卡(1)、移动法拉第电机(2)、移动法拉第杯(3)、剂量控制器(4)、位置平衡板(5)、直线电机(6)和计算机(实时系统)(7)构成。由计算机(实时系统)(7)向运动控制卡(1)发命令控制移动法拉第电机(2)和直线电机(6),并产生两个同步信号。产生的两个同步信号由位置平衡板(5)自动分时采集,并产生信号触发剂量控制器(4)产生扫描波形。移动法拉第电机(2)带动移动法拉第杯(3)采集束流,送到剂量控制器(4)。剂量控制器(4)和计算机(实时系统)(7)相连。本发明能够实现离子均匀注入二维扫描的同步,实现离子二维注入的均匀性。

    一种用于定向台的长条形光源

    公开(公告)号:CN102537748A

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN201010621916.0

    申请日:2010-12-27

    Abstract: 本发明公开了一种用于定向台的长条形光源,涉及离子注入机,属于半导体制造领域。包括一个外罩(1)、一个光出口狭缝(2)、一组发光二极管(3)、一个光检测装置(5)和电源(4)、(6)。所述的一组发光二极管(3)置于外罩(1)的两侧,分两组,平行放置,数量由几个到十几个不等;所述的光出口狭缝(2)处于外罩(1)的一个面上;所述的光检测装置(5)处于外罩(1)的另一个侧面;所述的电源(4)、(6)处于发光二极管(3)的侧面。本发明可实现为单晶片离子注入的晶片定向台提供稳定可靠的平行光的器件要求,为晶片定向快速准确提供前提保证。

    一种快速热处理炉用有机玻璃门自动升降机构

    公开(公告)号:CN101728231B

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN200810224641.X

    申请日:2008-10-22

    Abstract: 本发明公开了一种有机玻璃门的快速升降机构,涉及快速热处理炉,属于半导体制造领域。该结构包括:一对直线运动导轨副,两导轨支架,两导轨滑块支架。一气缸,一有机玻璃门。有机玻璃门与导轨滑块通过螺钉固定连接,导轨支架与机器体垂直固定连接,气缸再与滑块支架固定连接,气缸的顶升驱动力使玻璃门上升,气缸收回,有机玻璃门下降。直线运动导轨副运动精度高,气缸作为驱动力源,驱动力大,动作简单。

    一种用于离子注入机的预分析器

    公开(公告)号:CN102446691A

    公开(公告)日:2012-05-09

    申请号:CN201010514176.0

    申请日:2010-10-13

    Abstract: 本发明公开了一种用于离子注入机的预分析器,涉及离子注入机,属于半导体制造领域。该结构包括:上磁极(1)、下磁极(2)、一线圈(4)、一C形金属铁芯(3);所述的线圈(4)由一组金属导线环绕C形金属铁芯(3)组成;所述的C形金属铁芯(3)从线圈(4)中心穿过,通电后的线圈(4)与C形金属铁芯(3)形成一个C形磁铁,上磁极(1)连接C形金属铁芯(3)的上端;下磁极(2)连接C形金属铁芯(3)的下端。本发明可实现对从离子源引出束流进行预分析,初步提取所需离子种类,有效提高后续光路单元的工作效率。

    一种基于离子注入平行限束光栏的结构

    公开(公告)号:CN102446684A

    公开(公告)日:2012-05-09

    申请号:CN201010513472.9

    申请日:2010-10-13

    Abstract: 本发明公开了一种基于离子注入平行限束光栏的结构,涉及离子注入机,属于半导体制造领域。该结构包括:真空腔体(1)、上光栏板(2)、下光栏板(3)、伺服电机(4)、滑动轴一(5)、滑动轴二(6)。所述的上光栏板(2)安装在滑动轴一(5)的下端,所述的下光栏板(3)安装在滑动轴二(6)的下端,所述的滑动轴一(5)和滑动轴二(6)的上端都与伺服电机(4)相连,在伺服电机(4)的驱动下进行等速相反的调节运动,实现上光栏板(2)与下光栏板(3)之间距离的大小调节。上光栏板(2)和下光栏板(3)为锯齿型,可承受大功率离子束的轰击,且具有光栏应有的锐边效果。

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