公开(公告)号：CN105655255A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201510947001.1

申请日：2015-12-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  张冰馨 ,  黎明 ,  林猛 ,  郝培霖 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66477 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明公开了一种应变锗器件的制备方法，属于半导体器件制造工艺领域。该制备方法通过离子注入对源漏区域表面进行预非晶化，并在源漏区域中注入张应变诱导元素，然后对衬底进行退火，使非晶区域固相外延再结晶。本发明采用固相外延方法可以抑制应变诱导原子的扩散，使其集中分布在表面，从而提高源漏区域中张应变诱导元素的组分，使沟道中的应力增加，并且与现有工艺兼容，可以用于应变锗MOS器件的工艺基础。

公开(公告)号：CN105589250A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201610082370.3

申请日：2016-02-05

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京大学

Inventor： 李新国 ,  王漪 ,  张兴 ,  武延兵

IPC: G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/133621 ,  G02F1/017 ,  G02F2001/01791 ,  G02F2001/133614 ,  G02F2202/36 ,  G02F2203/055 ,  G02F1/133514

Abstract: 本发明提供一种显示基板、显示面板、显示装置及制作方法。所述显示基板包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的量子点层，所述量子点层能够在预定波长范围的光线的激发下发光，所述显示基板还包括：滤光层，设置于所述量子点层的靠近所述显示基板的显示侧的一侧，所述滤光层至少覆盖所述量子点层的部分区域，用于滤除外界环境光中的所述预定波长范围的光线。本发明的滤光层可以滤除外界环境光中的预定波长范围的光线，降低或者是避免外界环境光中的预定波长范围的光线对量子点层的影响，提高包括该显示基板的显示装置的对比度。

公开(公告)号：CN103297036B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201310260007.2

申请日：2013-06-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 王源 ,  张雪琳 ,  贾嵩 ,  张钢刚 ,  张兴

IPC: H03K19/20

Abstract: 本发明公开了一种电流模式逻辑电路，包括：第一PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管的源极耦接至电源端，栅极耦接至接地端，漏极耦接至第一输出节点；第二PMOS晶体管，所述第二PMOS晶体管的源极耦接至所述电源端，栅极耦接至所述接地端，漏极耦接至第二输出节点；以及输入单元，耦接在所述第一输出节点、所述第二输出节点与低电平端之间，并且具有第一输入节点和第二输入节点。

公开(公告)号：CN103248033B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201310169739.0

申请日：2013-05-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 王源 ,  陆光易 ,  曹健 ,  贾嵩 ,  张钢刚 ,  张兴

IPC: H02H9/04

CPC classification number: H02H9/04 ,  H01L27/0266 ,  H01L27/0285 ,  H02H9/046

Abstract: 本发明提供了一种瞬态和直流同步触发型电源钳位ESD保护电路，该ESD保护电路包括：瞬态触发模块、直流电压触发模块以及泄放器件，该瞬态触发模块分别与该直流电压触发模块和该泄放器件相连接。本发明提供的ESD保护电路在ESD冲击来临时，能较好、较快的打开，同时能够有效避免快速上电和高频噪声引起的误触发和闩锁问题。

公开(公告)号：CN102645569B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201210083793.9

申请日：2012-03-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 洪杰 ,  何燕冬 ,  张钢刚 ,  张兴

IPC: G01R19/00

Abstract: 本发明公开了一种MOS器件阈值电压波动性的测量电路及测量方法，涉及集成电路技术领域，所述测量电路包括：类型相同的待测MOS管和标准MOS管，所述待测MOS管和标准MOS管串联连接。本发明通过串联连接的待测MOS管和标准MOS管来测量待测MOS管的阈值电压的波动性，降低了测试器件结构的复杂度，并减少了测量所耗费的时间。

公开(公告)号：CN103193216B

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201310126385.1

申请日：2013-04-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 胡保东 ,  周梦杰 ,  李晨 ,  赵华波 ,  魏子钧 ,  郭剑 ,  张亮 ,  任黎明 ,  傅云义 ,  黄如 ,  张兴

IPC: C01B31/00 ,  C01B31/02 ,  C01B31/04 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种碳纳米复合材料的制备方法，属于纳米材料的研制领域。该方法利用CVD方法制备单层或多层石墨烯；然后将石墨烯转移到目标衬底上；在石墨烯与目标衬底的结构上面涂覆光刻胶，用电感耦合等离子体方法轰击，使光刻胶变性，然后泡掉残余的光刻胶；将经过轰击的光刻胶、石墨烯和目标衬底一并进行高温处理，使光刻胶碳化，形成碳纳米复合材料。本发明所得到的密集分布的有较高的导电性能的大比面积的碳纳米材料的厚度大概为50～200nm，各个碳纳米线条的直径大概为十几纳米，长度为数十纳米。

公开(公告)号：CN104377678A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201410645021.9

申请日：2014-11-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 王源 ,  郭海兵 ,  陆光易 ,  曹健 ,  贾嵩 ,  张兴

IPC: H02H9/04

Abstract: 本发明公开了一种电源钳位静电放电保护电路，其包括瞬态触发模块、钳位晶体管开启模块、钳位晶体管关断模块和钳位晶体管。所述瞬态触发模块用于根据所述电源管脚VDD受到的电压脉冲上升时间，判断是否为静电放电冲击；并下发响应信号；所述钳位晶体管开启模块用于根据响应信号开启所述钳位晶体管Mbig；所述钳位晶体管关断模块用于根据响应信号关断所述钳位晶体管Mbig；所述钳位晶体管Mbig开启时，用于泄放静电放电冲击带来的静电电荷。本发明通过引入电流镜，以及PMOS晶体管做等效电阻，大大减小了静电放电保护电路面积，同时晶体管开启时间更长，泄放静电电荷速度更快、更充分。

公开(公告)号：CN103063995B

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201110322634.5

申请日：2011-10-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  杨东 ,  安霞 ,  张兴

IPC: G01R31/26

CPC classification number: G01R31/2621

Abstract: 一种预测SOI MOSFET器件可靠性寿命的方法。在不同的测试台温度下测量SOI MOSFET器件栅电阻随温度变化关系；在不同的测试台温度下对SOI MOSFET器件进行加速寿命试验，得到表征器件寿命的参数随着应力时间的退化关系，以及该参数退化至10％时的存在自热影响的寿命；利用测得的自热温度和阿伦尼斯模型对测得的器件寿命进行自热修正，得到不含自热温度对寿命影响的本征寿命；对自热引起的漏端电流变化进行自热修正；对热载流子引起的碰撞电离率进行自热修正；对偏置条件下SOI MOSFET器件的工作寿命进行预测。本发明除去了在实际的逻辑电路或AC的模拟电路中SOI MOSFET器件不会存在自热效应对寿命预测的影响，使得预测的结果更加精确。

公开(公告)号：CN103078305B

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201310007998.3

申请日：2013-01-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 王源 ,  陆光易 ,  曹健 ,  刘琦 ,  贾嵩 ,  张兴

IPC: H02H9/00

CPC classification number: H02H9/045 ,  H02H9/046

Abstract: 本发明公开了一种防误触发型电源钳位ESD保护电路，包括ESD冲击探测部件、泄放晶体管、泄放晶体管开启通路以及泄放晶体管关断通路。本电路在较小的版图面积下，在ESD冲击时有很强的静电电荷泄放能力、在正常上电时漏电很小以及对于快速上电有较强的误触发免疫能力。

公开(公告)号：CN102725963B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201180004481.8

申请日：2011-01-30

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 汪清勤 ,  王新安 ,  张兴

IPC: H03M3/04

CPC classification number: H03M3/322 ,  H03M3/424 ,  H03M3/436

Abstract: 本发明公开了一种多位Δ-∑调制器，包括模拟滤波器、模拟加法器、多位量化器、数字环路滤波器、多位反馈数模转换器以及分流反馈模块，分流反馈模块至少包含一支高阶多位分流反馈支路，每一支分流反馈支路包括分流反馈数模转换器、信号分流单元以及模拟滤波器内模拟加法器。通过引入高阶多位分流反馈支路，本发明的调制器可以减小多位分流反馈数模转换器的元件失配噪声，消弱模数失配噪声，降低模拟滤波器的功耗。本发明提供的调制器可以应用于高性能模数转换器。