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公开(公告)号:CN114327005A
公开(公告)日:2022-04-12
申请号:CN202111364404.5
申请日:2021-11-17
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G06F1/24
Abstract: 本发明实施例提供一种芯片的复位管理方法及模块和Flash复位装置及芯片结构,属于芯片性能优化领域。所述芯片内部集成有Flash器件和预设的复位管理模块,而所述复位管理方法应用于所述复位管理模块,且包括:在接收到软复位源请求时,判断所述Flash器件是否处于工作状态;以及若所述Flash器件处于工作状态,则控制所述Flash器件复位,否则禁止所述Flash器件复位。本发明减少了芯片软复位过程中因Flash器件的较长解复位时间而延长的软复位启动时间,提高了芯片运行效率。
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公开(公告)号:CN114301440A
公开(公告)日:2022-04-08
申请号:CN202111400431.3
申请日:2021-11-19
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网江苏省电力有限公司信息通信分公司 , 国家电网有限公司
IPC: H03K19/003
Abstract: 本发明实施例提供一种隔离单元和芯片,属于集成电路技术领域。所述隔离单元包括:隔离保持单元,用于隔离掉电区域与带电区域之间的信号交互,其中所述掉电区域输出到所述带电区域的信号为待隔离信号;以及采样控制单元,用于在隔离指示信号指示所述掉电区域掉电隔离时,控制所述隔离保持单元隔离和锁存所述待隔离信号。发明实施例提供的隔离单元可以在满足芯片掉电隔离功能的情况下,增加隔离单元的数据保持功能。
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公开(公告)号:CN114281492A
公开(公告)日:2022-04-05
申请号:CN202111342297.6
申请日:2021-11-12
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G06F9/48
Abstract: 本发明实施例提供一种中断处理方法、装置、芯片、电子设备及存储介质,属于计算机技术领域。所述方法包括:当监测到关中断请求时,将CPU标记为软件关中断状态;根据接收中断的中断号,确定所述中断的类型;当所述中断的类型为强实时中断时,调用所述强实时中断对应的回调函数进行处理;当所述中断的类型为普通中断时,将所述普通中断记录在Linux内核的排队日志中。本发明实施例适用于处理中断的过程中。
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公开(公告)号:CN110365687A
公开(公告)日:2019-10-22
申请号:CN201910653347.9
申请日:2019-07-19
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H04L29/06
Abstract: 本发明公开了一种SWP协议处理器,包括:协议处理模块,对接收到的信号进行解调以及协议转换形成数据帧;帧解析模块,用于接收数据帧并对数据帧进行校验;FIFO,与帧解析模块相连接,该帧解析模块用于将校验结果正确的数据帧写入FIFO中;以及帧重组模块,分别与FIFO以及协议处理模块相连接,用于从FIFO中读出待发送的数据并对待发送的数据进行校验,根据校验结果对待发送的数据进行预设方式的填充以形成数据帧,并将数据帧发送至协议处理模块;其中,协议处理模块用于对数据帧进行协议转换以及调制,将调制后的信号进行发送。本发明提供的SWP协议处理器紧凑处理器的结构,减少面积占用,并且使得协议处理模块中各个处理进程间的代码可以复用,增加重用性。
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公开(公告)号:CN110365687B
公开(公告)日:2022-09-13
申请号:CN201910653347.9
申请日:2019-07-19
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明公开了一种SWP协议处理器,包括:协议处理模块,对接收到的信号进行解调以及协议转换形成数据帧;帧解析模块,用于接收数据帧并对数据帧进行校验;FIFO,与帧解析模块相连接,该帧解析模块用于将校验结果正确的数据帧写入FIFO中;以及帧重组模块,分别与FIFO以及协议处理模块相连接,用于从FIFO中读出待发送的数据并对待发送的数据进行校验,根据校验结果对待发送的数据进行预设方式的填充以形成数据帧,并将数据帧发送至协议处理模块;其中,协议处理模块用于对数据帧进行协议转换以及调制,将调制后的信号进行发送。本发明提供的SWP协议处理器紧凑处理器的结构,减少面积占用,并且使得协议处理模块中各个处理进程间的代码可以复用,增加重用性。
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公开(公告)号:CN114327255A
公开(公告)日:2022-04-12
申请号:CN202111370701.0
申请日:2021-11-18
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网山西省电力公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种存储器接口控制器及存储器,属于数据存储领域。所述存储器接口控制器包括:第一通信模块,用于接收外部设备传送的明文数据,并将所接收的明文数据传送给寄存器模块进行存储;加密模块,用于对存储的明文数据进行加密以得到对应的密文数据,并将密文数据传送给缓存模块进行缓存;数据处理模块,用于将寄存器模块所存储的明文数据搬运给加密模块,以及将缓存模块所缓存的密文数据搬运给第二通信模块;所第二通信模块,用于将所接收的密文数据传送给所述存储器。本发明的存储器接口控制器通过增加加密模块,实现了在数据存储源头的加密保证,可保证了数据安全。
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公开(公告)号:CN114296511A
公开(公告)日:2022-04-08
申请号:CN202111362381.4
申请日:2021-11-17
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种实时时钟校准电路、方法及芯片结构,属于芯片技术领域。所述实时时钟校准电路包括:时钟模块,包括系统时钟、实时时钟和参考时钟,其中所述参考时钟被配置为具有固定频率;统计模块,用于在所述系统时钟、所述实时时钟和所述参考时钟处于时钟同步时,统计所述实时时钟和所述参考时钟的周期数;以及校准模块,用于根据所述实时时钟和所述参考时钟各自的频率和所述周期数,校准所述实时时钟。本发明的实时时钟校准电路克服了系统时钟的频率不稳定性带来的校准不精确且操作复杂的问题。
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公开(公告)号:CN113743044B
公开(公告)日:2022-03-25
申请号:CN202111304432.8
申请日:2021-11-05
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G06F30/3312 , G06F30/394
Abstract: 本发明实施例提供一种时序路径修正方法、装置、介质及芯片结构,属于芯片技术领域。所述时序路径修正方法包括:针对阻挡了时序路径的定制模块,判断该定制模块是否符合布线通道扩展要求;以及在确定所述定制模块符合所述布线通道扩展要求的情况下,修改所述定制模块的物理信息以在所述定制模块内部扩展布线通道,使得对应的时序路径经所述布线通道贯穿所述定制模块。本发明通过创建布线通道,引导时序路径从定制模块内部贯穿,有效地缩短了时序路径的长度,降低了因寄生现象引起的时序违反,有助于实现低功耗混合信号设计。
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公开(公告)号:CN112306865B
公开(公告)日:2022-01-14
申请号:CN202011148013.5
申请日:2020-10-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G06F11/36 , G06K19/077
Abstract: 本发明涉及射频测试技术领域,提供一种基于射频门的读写器天线调试方法及装置,射频门内部设置有多个电子标签和读写器天线,读写器天线连接至预先设置的读写器;所述方法包括:读写器在预设功率范围内以预设功率步长读取多个电子标签,获得每个功率点下所读到的电子标签的标识;其中,读写器在预设功率范围的最小值下读取不到任何电子标签,且读写器的预设实际工作功率位于预设功率范围内;根据每个功率点下所读到的电子标签的标识,获得多个电子标签中每个电子标签所在位置的射频能量值;根据多个电子标签中每个电子标签所在位置的射频能量值对读写器天线进行调试。本发明提供的技术方案,能够准确、快速地调试读写器天线,从而提高工作效率。
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公开(公告)号:CN112393814A
公开(公告)日:2021-02-23
申请号:CN202011163172.2
申请日:2020-10-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明提供一种宽量程温度计算方法、系统、温度传感器及温度测量方法,属于传感器及温度测量补偿计算领域。所述宽量程温度计算方法包括:获取偏置电流为第一偏置电流I1时晶体管产生的与温度相关的第一电压VBE_1;将所述第一电压VBE_1与温度界限值对应的电压阈值VBE_g进行比较:若VBE_1≥VBE_g,则获取偏置电流为第二偏置电流I2时晶体管产生的与温度相关的第二电压VBE_2;计算第一电压VBE_1与第二电压VBE_2的差值ΔVBE,根据ΔVBE计算温度值;若VBE_1<VBE_g,则获取偏置电流为第三偏置电流I3时晶体管产生的与温度相关的第三电压VBE_3;根据第三电压VBE_3和温度补偿公式计算温度值。在超出温度界限时采用温度补偿公式计算温度值,实现非线性补偿,得到较为准确的温度值。
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