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公开(公告)号：CN114327810A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111401082.7
申请日：2021-11-19
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G06F9/48 , G06F11/30 , G06F15/163
摘要： 本发明实施例提供一种用于多核芯片的线程调度方法及装置，属于芯片技术领域。所述方法包括：针对线程调度队列中的待调度线程，在所述多核芯片中，查找能够处理所述待调度线程且当前温度低于对应的第一阈值温度的硬件部件；以及在未查找到所述硬件部件的情况下，延迟调度所述待调度线程，对所述线程调度队列中的下一待调度线程执行调度处理。在调度线程时，查找能够处理该线程且当前温度低于阈值温度的硬件部件。若查找不到所述硬件部件，则延迟调度所述线程。如此，能够避免多核芯片的各硬件部件超高负荷运行，提高多核芯片的使用寿命。
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公开(公告)号：CN108259040A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810153781.6
申请日：2018-02-22
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
摘要： 本发明公开了一种消除电容电压系数对全差分SAR‑ADC性能影响的方法。该方法包括以下步骤：提供一种全差分SAR‑ADC，其包括多个电容，所述多个电容包括第一电容和第二电容，且所述多个电容的电压二阶系数值包括正数和负数；将满足特定条件的第一电容和第二电容进行并联从而使并联后的电容的电压二阶系数为0，所述特定条件为A1K1+A2K2＝0，其中A1为第一电容的电压二阶系数，A2为第二电容的电压二阶系数，K1是第一电容的理想电容值，K2是第二电容的理想电容值。该消除电容电压系数对全差分SAR‑ADC性能影响的方法能够消除或降低电容电压系数对全差分SAR‑ADC的性能影响，降低高精度SAR‑ADC的设计瓶颈。
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公开(公告)号：CN107608440A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201711014994.2
申请日：2017-10-25
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开了一种带隙基准参考源电路，包括：第一P型晶体管、第二P型晶体管、第三P型晶体管、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻和差分放大器；差分放大器的第一端与第四电阻和第二电阻之间的连接节点相连，差分放大器的第二端与第五电阻和第一电阻之间的连接节点相连；差分放大器的第一端的电压与第二端的电压相同。该带隙基准参考源电路，通过选取适当的阻值，可以得到小于1V的带隙基准电压，并可以使得当VDD小于1V时也保证带隙基准参考源电路正常工作。同时，可以消除温度引起漏源电压变化，从而降低沟道调制效应的影响。
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公开(公告)号：CN106599974A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611140950.X
申请日：2016-12-12
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC分类号： G06K19/077
摘要： 本发明涉及一种电子标签的电源整流电路，包括：控制电路、第一整流及电压调整电路、第二整流及电压调整电路、电源检测电路以及稳压电容；通过电源检测电路采集所述稳压电容的第一端的电压，根据所述稳压电容的第一端的电压向所述控制电路发送反馈信号；控制电路用于根据所述反馈信号、第一天线信号和第二天线信号控制所述第一整流及电压调整电路或所述第二整流及电压调整电路对所述稳压电容进行充电，通过电源检测电路控制稳压电容第一端的电压在芯片工作的所需范围内，电路结构简单并且减少芯片面积。
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公开(公告)号：CN114327005A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111364404.5
申请日：2021-11-17
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： G06F1/24
摘要： 本发明实施例提供一种芯片的复位管理方法及模块和Flash复位装置及芯片结构，属于芯片性能优化领域。所述芯片内部集成有Flash器件和预设的复位管理模块，而所述复位管理方法应用于所述复位管理模块，且包括：在接收到软复位源请求时，判断所述Flash器件是否处于工作状态；以及若所述Flash器件处于工作状态，则控制所述Flash器件复位，否则禁止所述Flash器件复位。本发明减少了芯片软复位过程中因Flash器件的较长解复位时间而延长的软复位启动时间，提高了芯片运行效率。
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公开(公告)号：CN114301440A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111400431.3
申请日：2021-11-19
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网江苏省电力有限公司信息通信分公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H03K19/003
摘要： 本发明实施例提供一种隔离单元和芯片，属于集成电路技术领域。所述隔离单元包括：隔离保持单元，用于隔离掉电区域与带电区域之间的信号交互，其中所述掉电区域输出到所述带电区域的信号为待隔离信号；以及采样控制单元，用于在隔离指示信号指示所述掉电区域掉电隔离时，控制所述隔离保持单元隔离和锁存所述待隔离信号。发明实施例提供的隔离单元可以在满足芯片掉电隔离功能的情况下，增加隔离单元的数据保持功能。
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公开(公告)号：CN112350723A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011290399.3
申请日：2020-11-17
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网上海市电力公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H03L7/099
摘要： 本发明实施例提供一种用于检测环路振荡器锁定的电路，属于集成电路设计领域。所述电路包括：电荷泵和电容，其中所述电荷泵包括串联在一起的充电模块和放电模块，所述充电模块受充电控制信号的控制而对所述电容进行充电，其中所述充电控制信号经由所述环路振荡器的至少两级反相器的输出的逻辑运算而形成；所述放电模块受放电控制信号的控制而对所述电容进行放电，其中所述放电控制信号经由所述环路振荡器的至少两级反相器的输出的逻辑运算而形成；将所述电容与所述电荷泵相连的一端的信号检测为锁定信号，在所述锁定信号为高电平的情况下，指示所述环路振荡器锁定。其能够实时精确的检测环路振荡器的状态。
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公开(公告)号：CN108259040B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201810153781.6
申请日：2018-02-22
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
摘要： 本发明公开了一种消除电容电压系数对全差分SAR‑ADC性能影响的方法。该方法包括以下步骤：提供一种全差分SAR‑ADC，其包括多个电容，所述多个电容包括第一电容和第二电容，且所述多个电容的电压二阶系数值包括正数和负数；将满足特定条件的第一电容和第二电容进行并联从而使并联后的电容的电压二阶系数为0，所述特定条件为A1K1+A2K2＝0，其中A1为第一电容的电压二阶系数，A2为第二电容的电压二阶系数，K1是第一电容的理想电容值，K2是第二电容的理想电容值。该消除电容电压系数对全差分SAR‑ADC性能影响的方法能够消除或降低电容电压系数对全差分SAR‑ADC的性能影响，降低高精度SAR‑ADC的设计瓶颈。
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公开(公告)号：CN107491133B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201710805315.7
申请日：2017-09-08
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开了一种带隙基准电压源，包括：电平转换电路、第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻和钳位电路；电平转换电路用于根据输入端输入的电压在第一端和第二端产生相同的一阶正温度系数的电压。该带隙基准电压源通过对MP1和MP2的漏极引入相同正温度系数电压，并利用MP1和MP2本身具有的沟道长度调制效应，来消除或减小二阶温度系数，从而实现二阶温度系数补偿。
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公开(公告)号：CN107491133A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201710805315.7
申请日：2017-09-08
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC分类号： G05F1/567
CPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开了一种带隙基准电压源，包括：电平转换电路、第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻和钳位电路；电平转换电路用于根据输入端输入的电压在第一端和第二端产生相同的一阶正温度系数的电压。该带隙基准电压源通过对MP1和MP2的漏极引入相同正温度系数电压，并利用MP1和MP2本身具有的沟道长度调制效应，来消除或减小二阶温度系数，从而实现二阶温度系数补偿。
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