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公开(公告)号：CN102904276B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201210338755.3
申请日：2012-09-13
CPC classification number: Y02E60/60
Abstract: 本发明涉及一种用于新能源并网的谐振升降压装置及其实现方法，谐振升降压装置包括谐振升压环节、整流环节和谐振降压环节；所述谐振升压环节与整流环节连接后通过直流电缆或直流传输线与所述谐振降压环节连接。本发明采用基于晶闸管技术的谐振升、降压环节代替变压器、高压大容量VSC装置和DC/DC变换器等装置，本发明提供的谐振升降压装置技术难度低、造价低，适用于新型新能源并网方式。
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公开(公告)号：CN103199729B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310122375.0
申请日：2013-04-10
IPC: H02M7/797
CPC classification number: H02M7/483 , H02M2007/4835
Abstract: 本发明提供一种模块化多电平变流器子模块分组阶梯波调制方法，包括以下步骤：将换流链中的子模块分成N个子模块组；将子模块组的参考电压取整，得到取整后的参考阶梯波电压Vstair_wave；分配触发脉冲给子模块组内部的子模块；子模块组之间进行均压。本发明中，将子模块分成N个子模块组，每个子模块组视为一个可控电压源，子模块组内采用阶梯波调制，N个子模块组采用取整修正量，可以达到类似于载波移相的目的，子模块组之间采用恰当的均压控制方式进行稳压控制，简化了阶梯波调制的复杂度，大大降低了调制算法及均压控制算法对软硬件的要求。
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公开(公告)号：CN104795348A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510213686.7
申请日：2015-04-29
IPC: H01L21/687
CPC classification number: H01L21/68707
Abstract: 本发明提供一种大功率压接式IGBT封装模块夹具，所述夹具包括竖直设置的绝缘支撑杆，水平方向由下至上依次设置的下端承重法兰组套、下端引出排、下方水冷散热组套、中间引出排、上方水冷散热组套、上端引出排和上端夹具法兰组套，上、下方水冷散热组套两侧安装有电容组件和阻尼电阻组件，其另外两侧分别安装有散热器水路组件以及短路板、驱动板和导线槽组件；所述上、下方水冷散热组套包括竖直方向相互平行的其间夹有所述压接式IGBT封装模块的水冷散热器，所述水冷散热器表面电镀镍。本发明提供的大功率压接式IGBT封装模块夹具整体结构更加简单紧凑、制作和装配更加简便、布局更加合理、可靠性更高、散热性能更好。
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公开(公告)号：CN104701153A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410853925.0
申请日：2014-12-31
IPC: H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/28506
Abstract: 本发明提出了一种金属电极制造装置，装置包括由下至上依次设置的载片台(1)、盖板(4)和固定件(5)，载片台(1)由在同一平面上的至少两块载片件组成，金属掩膜罩(2)跨放在其上；位于金属掩膜罩(2)上方的所述盖板(4)剖面为拉长的倒置凹槽，其两端的凸块支撑在所述载片件上；依据设于硅片上的芯片的电极形状敷设的金属掩膜罩(2)。使用该金属电极制造装置的金属电极制造方法在蒸镀过程中，金属通过金属掩膜罩的窗口到达硅片表面，在指定的区域淀积形成厚金属电极，减少了一次光刻和一次金属刻蚀工艺，缩短了加工周期，降低了生成成本。
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公开(公告)号：CN104505338A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410814598.8
申请日：2014-12-24
CPC classification number: H01L21/02052 , H01L21/02096
Abstract: 本发明涉及碳化硅晶片清洗技术领域，特别是一种碳化硅晶片外延前预清洗方法。本发明提供的碳化硅外延预清洗包括：将选择的碳化硅衬底浸入到的H2SO4和H2O2配成的溶液中煮沸后用去离子水冲洗；再次将衬底浸入到的NaOH和Na2O2熔融混合溶液中煮沸，去离子水冲洗后烘干，备用。基于本发明提供的碳化硅衬底经过外延后基面位错密度降低到100/cm2以下，并且方法简单，工艺重复性好，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN103001502A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210456865.X
申请日：2012-11-14
CPC classification number: Y02E60/60
Abstract: 本发明涉及电力电子领域，具体涉及一种用于新能源并网的谐振升压装置，包括谐振升压环节和整流环节，在所述谐振升压环节与整流环节之间设有隔离变压器；所述谐振升压环节包括直流电源DC、低压大电容C0、高压小电容C1、全桥电路和谐振电抗器L1；所述低压大电容C0并联在直流电源DC的两端；所述低压大电容C0、全桥电路、谐振电抗器L1和高压小电容C1依次连接；所述谐振电抗器L1连接在全桥电路和高压小电容C1之间。本发明提供的谐振升压环节代替目前采用的高压大容量VSC整流器和DC/DC装置，降低技术难度，节约成本，满足目前风电并网技术的要求，对风电技术的发展具有重要的作用。本发明所描述的谐振升压环节优化了半桥谐振升压环节结构，提高了输送效率。
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公开(公告)号：CN102904276A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210338755.3
申请日：2012-09-13
CPC classification number: Y02E60/60
Abstract: 本发明涉及一种用于新能源并网的谐振升降压装置及其实现方法，谐振升降压装置包括谐振升压环节、整流环节和谐振降压环节；所述谐振升压环节与整流环节连接后通过直流电缆或直流传输线与所述谐振降压环节连接。本发明采用基于晶闸管技术的谐振升、降压环节代替变压器、高压大容量VSC装置和DC/DC变换器等装置，本发明提供的谐振升降压装置技术难度低、造价低，适用于新型新能源并网方式。
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公开(公告)号：CN106706963B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN201510451005.0
申请日：2015-07-28
IPC: G01R1/04
Abstract: 本发明提供一种大功率压接式IGBT封装模块压装测试夹具，包括水平方向由下至上依次压接的第一固定板组套、第一导电板、第一水冷散热组套、第二导电板、第二水冷散热组套、第三导电板和第二固定板组套，竖直方向设置的水路主管和绝缘支撑杆；水路主管通过水路支管与第一、第二水冷散热组套相连，绝缘支撑杆设于第一固定板组套和第二固定板组套之间；第二固定板组套包括顶压柱和中部留有通孔的第二固定板，顶压住包括一体成型的底座和支柱，底座与第三导电板压接，支柱伸入通孔内；底座与第二固定板之间设有补偿调换垫片，补偿调换垫片为金属垫片。这种夹具易于操作、便于维护、整体结构更加简单紧凑、布局合理、可靠性和稳定性更好、散热性能更好。
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公开(公告)号：CN104465721B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201410737773.8
申请日：2014-12-05
IPC: H01L29/06 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅外延材料。所述碳化硅外延材料包括：N+碳化硅单晶衬底层，位于衬底下面的P+支撑层和位于衬底表面的N‑漂移层，其制备方法包括以下步骤：1、N+型衬底的准备；2、对N+型衬底的背面化学机械抛光；3、在背面进行P+支撑层的生长；4、N+型衬底正面的减薄；5、正面化学机械抛光；6、在正面进行N‑型漂移层的生长。相对于传统碳化硅外延材料而言，采用本发明提供的外延材料P+支撑层电阻率低并且均匀性高，满足高压器件的需求。同时，该外延材料缺陷少，制作方法简单，工艺重复性好，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN106558624A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201510638966.2
申请日：2015-09-30
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/66 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供一种快速恢复二极管及其制造方法，所述二极管包括：具有三个具有间隔的P型硅区(3)的且表面有氧化层(2)的N型硅衬底(1)，所述氧化层(2)上的多晶层(5)，所述多晶层(5)上的阳极金属层和所述N型硅衬底(1)上与其相对的阴极金属层，所述P型硅区(3)具有深能级掺杂区(4)；所述制造方法包括：1)初始氧化；2)形成有源区和分压环；3)形成PN结；4)多晶生长：5)寿命控制；6)多晶场板；7)形成阳极金属电极并表面钝化；8)形成Al/Ti/Ni/Ag或Ti/Ni/Ag阴极金属电极。本发明制造方法利用多晶实现激光退火终端保护，避免激光退火导致终端受损以致耐压失效。
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