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公开(公告)号：CN104701153B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201410853925.0
申请日：2014-12-31
IPC: H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/67
Abstract: 本发明提出了一种金属电极制造装置，装置包括由下至上依次设置的载片台(1)、盖板(4)和固定件(5)，载片台(1)由在同一平面上的至少两块载片件组成，金属掩膜罩(2)跨放在其上；位于金属掩膜罩(2)上方的所述盖板(4)剖面为拉长的倒置凹槽，其两端的凸块支撑在所述载片件上；依据设于硅片上的芯片的电极形状敷设的金属掩膜罩(2)。使用该金属电极制造装置的金属电极制造方法在蒸镀过程中，金属通过金属掩膜罩的窗口到达硅片表面，在指定的区域淀积形成厚金属电极，减少了一次光刻和一次金属刻蚀工艺，缩短了加工周期，降低了生成成本。
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公开(公告)号：CN104505338B
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201410814598.8
申请日：2014-12-24
Abstract: 本发明涉及碳化硅晶片清洗技术领域，特别是一种碳化硅晶片外延前预清洗方法。本发明提供的碳化硅外延预清洗包括：将选择的碳化硅衬底浸入到的H2SO4和H2O2配成的溶液中煮沸后用去离子水冲洗；再次将衬底浸入到的NaOH和Na2O2熔融混合溶液中煮沸，去离子水冲洗后烘干，备用。基于本发明提供的碳化硅衬底经过外延后基面位错密度降低到100/cm2以下，并且方法简单，工艺重复性好，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN105633168A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201511032546.6
申请日：2015-12-31
CPC classification number: H01L21/04 , H01L29/78 , H01L29/7806 , H01L21/0445 , H01L29/66068
Abstract: 本发明提供一种集成肖特基二极管的SiC沟槽型MOSFET器件及其制造方法，所述器件包括：1)沟槽型MOSFET：N+衬底及其上的N-漂移层，所述N-漂移层包含彼此隔离的有N+源区的P阱；所述P阱外侧的U型沟道，所述U型沟道表面有氧化层，其内有栅极；所述栅极及部分所述N+源区上的隔离层；和正面的源极及背面的漏极；2)肖特基二极管：所述N-漂移层内的所述P阱间的N-漂移层与所述源极金属形成的肖特基接触。本发明通过在沟槽型SiC MOSFET中引入肖特基二极管，在器件工作时，起续流二极管的作用，提高了电路工作的效率与可靠性，降低了电路制作成本。
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公开(公告)号：CN103840478B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410067806.2
申请日：2014-02-27
CPC classification number: Y02E60/60
Abstract: 本发明涉及直流输电领域的充电方法，具体涉及一种模块化多电平变流器直流输电系统的预充电方法。该方法包括依次进行的两个充电过程，闭锁充电过程和半闭锁充电过程，其中闭锁充电过程为其他文献所提到的不控充电过程，半闭锁充电过程将某些子模块旁路，其触发脉冲分配和电容电压均衡控制可以将稳态时MMC的相关控制进行简化或封锁某些功能而得到。因此本发明所提出的充电方法简单易行，可以将电容电压充到稳态运行时的电压值。
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公开(公告)号：CN103474983B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201310364653.3
申请日：2013-08-20
CPC classification number: H02J1/00 , H01H33/596 , H02H3/05 , H02H3/087
Abstract: 本发明提出一种高压大电流直流断路器及其控制方法，直流断路器包括辅助开关电路，直流负荷开关，第一避雷器、主开关支路、第一二极管阀和第二二极管阀；辅助开关电路包括第一断流单元和第二断流单元；第一断流单元一端连接第一限流电抗器，另一端依次与第二断流单元、直流负荷开关和第二限流电抗器依次连接后，串入线路；主开关支路与第一避雷器并联后，一端连接在第一断流单元和第二断流单元之间，另一端接地；第一二极管阀连接在第一限流电抗器和第一断流单元之间并接地，第二二极管阀连接在第二限流电抗器和直流负荷开关之间并接地。本发明基于电流转移原理来分断直流电流，适用于高压大电流场合，拓扑结构简单，分断快速，控制简易。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103457257A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310359390.7
申请日：2013-08-16
IPC: H02J1/00
Abstract: 本发明为一种多端直流系统用直流断路器及其控制方法，断路器包括避雷器、直流负荷开关支路、主开关支路和辅助开关电路；避雷器、直流负荷开关支路和主开关支路依次并联；主开关支路由两组结构相同的断流单元串联构成，每组断流单元包括串联的隔离开关和隔离阀段；在每组断流单元两端并联设结构相同的辅助开关电路。辅助开关电路包括晶闸管-电抗串联支路、二极管、电容和电阻；二极管并联在断流单元两端，晶闸管-电抗串联支路和电容对地并联接于二极管两端，并通过电阻接地。本发明通过注入反向电流的方法使直流电流过零来将其分断，对负荷电流则使用断路器的直流负荷开关来对其分断。
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公开(公告)号：CN103441490A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310359389.4
申请日：2013-08-16
IPC: H02J1/00
Abstract: 本发明公开一种多端直流系统用直流断路器及其控制方法，断路器包括避雷器、主开关支路和辅助开关电路；避雷器与主开关支路并联；主开关支路由两组结构相同的断流单元的串联构成，在每组断流单元两端，并联设置有结构相同的辅助开关电路。辅助开关电路均包括晶闸管-电抗串联支路、二极管、电容和电阻；二极管并联在断流单元两端，晶闸管-电抗串联支路和电容对地并联接于二极管两端，并通过电阻接地。本发明通过注入反向电流的方法使得直流电流过零来将其分断。本发明采用半控型器件晶闸管构成直流断路器拓扑，可应用于高压大电流场合，成本较低，控制简易，扩展性高。
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公开(公告)号：CN103199729A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310122375.0
申请日：2013-04-10
IPC: H02M7/797
CPC classification number: H02M7/483 , H02M2007/4835
Abstract: 本发明提供一种模块化多电平变流器子模块分组阶梯波调制方法，包括以下步骤：将换流链中的子模块分成N个子模块组；将子模块组的参考电压取整，得到取整后的参考阶梯波电压Vstair_wave；分配触发脉冲给子模块组内部的子模块；子模块组之间进行均压。本发明中，将子模块分成N个子模块组，每个子模块组视为一个可控电压源，子模块组内采用阶梯波调制，N个子模块组采用取整修正量，可以达到类似于载波移相的目的，子模块组之间采用恰当的均压控制方式进行稳压控制，简化了阶梯波调制的复杂度，大大降低了调制算法及均压控制算法对软硬件的要求。
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公开(公告)号：CN103023312A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210455692.X
申请日：2012-11-14
IPC: H02M3/10
CPC classification number: H02M7/483 , H02M7/003 , H02M2007/4835
Abstract: 本发明涉及电力系统和电力电子领域，具体涉及一种基于晶闸管器件的MMC换流阀子模块装置及其控制方法，该装置包括主电路以及与其两端并联的强迫换流电路；所述主电路包括晶闸管单元I、晶闸管单元II和电容器C；所述晶闸管单元I和晶闸管单元II均由晶闸管和与其反并联的二极管组成。该方法包括下述步骤：（1）分别对两个强迫换流电路中的电容C1和电容C2进行预充电；（2）所述子模块工作并输出电压。基于晶闸管器件的MMC换流阀子模块结构利用晶闸管器件代替IGBT器件，降低了器件的开关损耗，降低了控制复杂度，提高了子模块的转换效率。
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公开(公告)号：CN105489645B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201510960378.0
申请日：2015-12-18
IPC: H01L29/739 , H01L23/48 , H01L23/485
Abstract: 本发明提供一种大功率压接式IGBT驱动线，所述大功率压接式IGBT具有驱动信号输入端子和驱动信号输出端子；所述驱动线包括同轴设置且彼此绝缘的驱动信号出入层和驱动信号输出层；所述驱动信号输入层连接所述驱动信号输入端子；所述驱动信号输出层连接所述驱动信号输出端子。本发明提供的驱动线适用于高温工作环境，在驱动回路中引入的杂散电感更低，可改善驱动回路的电流震荡并提升大功率压接式IGBT的开通和关断能力。
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