-
公开(公告)号：CN1036167C
公开(公告)日：1997-10-15
申请号：CN92109725.5
申请日：1992-08-21
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205
Abstract: 一种掺杂或不掺杂的CVD外延生长低表面分凝硅/锗硅异质结构的方法，包括生长量子阱、超晶格和其它由异质结构组成的多层结构，其特征是在生长过程中，采用氢气稀释生长源气，氢气流量为生长源气总流量的2-40倍。本方法可以得明显低表面分凝的硅/锗硅半导体异质结构材料，且工艺简单易操作、设备无须大的变动。
-
公开(公告)号：CN102465333B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201010549729.6
申请日：2010-11-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种立式氢化物气相外延生长系统，包括反应腔体、石墨支托、外延生长衬底和加热系统，石墨支托设置在反应腔体的生长区内，反应腔体为立式结构，多片外延生长衬底设置在石墨支托上方或倒置在石墨支托下方，尾气出口位于反应腔体下部，其中反应腔体为轴向套管结构，由腔体管和气体导管套接组成，气体导管位于腔体管的入口部份，气体导管的入口部分内部为多路分隔气路结构，多路分隔气路轴向均匀分布，用于将反应气体送至生长区的外延生长衬底处，气体导管的外导管壁延伸超过石墨支托的位置。本发明可以有效的防止预反应和反应尾气造成的沉积、堵塞，提高HVPE系统的持续生长时间，获得目前无法自然不存在、常规方法无法生长的GaN体单晶材料。
-
公开(公告)号：CN102465335A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010549563.8
申请日：2010-11-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种用于半导体材料热壁外延生长系统的加热装置，包括射频加热器和石墨套筒，石墨套筒设置在射频加热器的感应加热线圈中，石墨套筒的内壁和外壁包覆有导热非易燃绝缘层，并置于惰性气体环境中。本发明采用射频加热石墨套筒的方式，可以快速升降温，具有节能，使用寿命长，无需维修等优点。由于感应线圈可以做大直径，因而可以加热大尺寸的石墨套筒来实现大面积反应腔体的快速加热。
-
公开(公告)号：CN1900745B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200610088286.9
申请日：2006-07-07
Applicant: 南京大学
IPC: G02B5/08 , H01L31/0216 , H01L31/0232 , H01L31/18 , H01L33/00 , H01L51/00 , H01S5/125 , H01S5/187
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 用于紫外探测器的高反射率分布布拉格反射镜结构：从基底到上部的结构为，5-50nm厚的低温LT-GaN、50-2000nm厚的高温HT-GaN和或加入一层厚度为5-100nm的高温HT-AlN；最后为10-50周期的15-80nm高温AlN/15-100nm高温AlxGal-xN，其中Al组分x≥0.3。对反射波长小于360nm的紫外射线的DBR结构；该结构包括：5-50nm厚的低温LT-GaN/50-2000nm厚的高温HT-GaN/和或包括加入一层厚度为5-100nm的高温HT-AlN/最后为10-50周期的15-80nm高温AlN/15-100nm高温AlxGal-xN结构。
-
公开(公告)号：CN101519773A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910030913.7
申请日：2009-04-20
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/455
Abstract: CVD材料生长设备气路的U形管道连接方法，气路中两个卡套式管接头之间的金属管道均采用U形管道，即通过气路空间走向的管路的设计来实现所有连接处均以U形状管道进行连接；且这两个卡套式管接头的开口方向向相同的平行方向。CVD材料生长设备配气装置中气路及元件之间的连接，采用双卡套式管连接，连接管道外形呈U形状；U形的结构还包括各种在U形管上进行延伸角度的管路，U形管的两平行金属管的长度也可有长有短，便于连接应用，亦可在两平行管端部再接出平行的弯管，用以解决两个接头体位置固定后难以实现其间气路管道气密性连接的便捷装卸问题。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100533665C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200710191199.0
申请日：2007-12-12
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/20
Abstract: InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜，InN材料作衬底或缓冲层，并在上面制备InN/锗或InN/硅薄膜，InN材料缓冲层的厚度为100纳米以上，在其上制备单层或n层锗或硅薄膜，每层锗或硅薄膜的厚度为50纳米以上。本发明在200-1150℃生长温度范围内，采用MOCVD、、CVD、HVPE或MBE生长技术生长InN/锗或InN/硅薄膜。利用Ge(111)和InN之间不太大的晶格失配比(9%)以及带隙的细微差别(40meV)得到异质结构。这种异质结构用于生产异质结双极型晶体管(HBTs)以及红外光探测器的优点很多。
-
公开(公告)号：CN100428410C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN02112514.7
申请日：2002-01-09
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , C30B25/00
Abstract: 改进氢化物气相外延(HVPE)生长GaN材料均匀性的方法和装置，在氢化物气相外延(HVPE)生长GaN薄膜材料电炉中，将单路金属镓源-HCl-N2管道分成多路金属镓源-HCl-N2管道，改善反应物GaCl-N2的传输均匀性，并将反应物GaCl-N2输运至电炉的GaN薄膜材料的生长区。两路或多路镓源传输管道使内部气流分布均匀，可以看出改进后沉积的薄膜均匀性也有很大的改善。生长的GaN薄膜面积扩大到5cm×4cm，而厚度均匀的有效薄膜面积可达到4cm×3cm甚至更大。
-
公开(公告)号：CN101281863A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200810019103.7
申请日：2008-01-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , C30B25/18 , C30B29/40 , C30B29/38
Abstract: 大尺寸非极性面GaN自支撑衬底制备方法，在HVPE生长系统中将铝酸锂衬底放入反应器中后，先生长缓冲层。温度为500－800℃，然后升温至生长温度开始生长GaN，生长温度1000－1100℃。生长至合适的厚度后，停止生长；冷却后获得完整的自支撑GaN衬底，铝酸锂衬底自动分离。本发明利用了铝酸锂衬底和GaN之间的小的晶格失配来获得低位错密度的非极性面GaN薄膜；本发明方案充分利用两者之间大的热失配来使得二者相分离，无需按照一定降温速率降温，并且晶体质量明显改善，而且成品率高，采用本发明方案利于规模生产。
-
公开(公告)号：CN101179015A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710191199.0
申请日：2007-12-12
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/20
Abstract: InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜，InN材料作衬底或缓冲层，并在上面制备InN/锗或InN/硅薄膜，InN材料缓冲层的厚度为100纳米以上，在其上制备单层或n层锗或硅薄膜，每层锗或硅薄膜的厚度为50纳米以上。本发明在200－1150℃生长温度范围内，采用MOCVD、CVD、HVPE或MBE生长技术生长InN/锗或InN/硅薄膜。利用Ge(111)和InN之间不太大的晶格失配比(9％)以及带隙的细微差别(40meV)得到异质结构。这种异质结构用于生产异质结双极型晶体管(HBTs)以及红外光探测器的优点很多。
-
公开(公告)号：CN100359636C
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200510095245.8
申请日：2005-11-04
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/268 , B23K26/00
Abstract: 改进的制备自支撑氮化镓衬底的激光剥离的方法，在650-800℃空气气氛中直接用合适波长的紫外激光器透过蓝宝石辐照GaN/蓝宝石样品，界面处的GaN被分解后，蓝宝石可以很容易的被去掉，即可得到GaN自支撑衬底。在高于800℃时在氨气气氛保护下进行激光器透过蓝宝石辐照。本发明经高于650℃激光剥离，GaN和蓝宝石很容易就分离开来，从而得到GaN自支撑衬底。且蓝宝石和衬底之间的应力完全得到释放，得到的GaN衬底平整无翘曲。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
101
records
(took 0.018 seconds)
