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公开(公告)号：CN109576657B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201811479447.6
申请日：2018-12-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备改变氮化铌超导薄膜晶体结构的方法，属于超导薄膜制备与优化领域，包括以下步骤：清洗准备衬底；氩离子束轰击铣衬底；反应磁控溅射制备薄膜；X射线衍射仪扫描薄膜衍射峰值；透射电子显微镜观察晶体布拉格子结构。本发明解决了磁控溅射制备超导氮化铌薄膜中对于不同晶体结构、不同超导性能的超导薄膜的精确需求。
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公开(公告)号：CN110455410A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910799322.X
申请日：2019-08-28
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种阵列谐振式太赫兹接收器及其太赫兹光谱仪装置。该太赫兹光谱仪装置基于阵列谐振式太赫兹接收器接收太赫兹波信号。阵列谐振式太赫兹接收器包括由若干组不同谐振频率的天线阵列。天线阵列由谐振单元按N×M行列排列组成。谐振单元为基于电感电容谐振原理的双开口谐振环结构。天线阵列最中心的谐振单元的双开口谐振环结构的中心部设有超导氮化铌热电子测辐射热计，并由超导氮化铌热电子测辐射热计桥接。实验证明，本发明在检测太赫兹光谱信号时具有很高的灵敏度，并且响应速度快，且易于片上集成，制备工艺简单方便，成本低，系统简单，易于推广。
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公开(公告)号：CN108535305A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810288730.4
申请日：2018-03-30
Applicant: 南京大学
IPC: G01N23/2276
CPC classification number: G01N23/2276
Abstract: 本发明公开了一种基于元素成像对超导纳米线进行均匀性分析的方法，包括以下步骤：制备需要进行均匀性分析的纳米线条样品；对选定区域选定元素进行AES元素成像；将所得元素分布强度信息导入MATLAB；对所得信息进行横向分析，标定纳米线过渡区宽度参数；对所得信息进行纵向分析，标定纳米线边缘粗糙度参数。本发明提出了标定纳米线均匀性的参数，并通过实例说明给出了详细的分析方法，所得均匀性分析结果与实际超导纳米线制备情况相符，为判别超导纳米线质量提供了直观的标准。
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公开(公告)号：CN106940224A
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201710245163.X
申请日：2017-04-14
Applicant: 南京大学
IPC: G01J11/00
CPC classification number: G01J11/00
Abstract: 本发明提供一种抗背散射超导单光子探测器，包括时钟信号生成模块、激光器、门控源表及纳米线芯片，所述门控源表包括数模转换芯片和负载电阻，数模转换芯片的输出端通过负载电阻连接纳米线芯片；所述时钟信号生成模块用于为激光器和数模转换芯片提供PWM波信号；所述激光器用于发射光子，所述纳米线芯片用于接收光子；所述门控源表用于控制纳米线芯片工作。本发明可以在探测过程中，屏蔽近距离内的反射光子，使得光子接收不受近距离反射光子的影响，有效解决了超导纳米线单光子探测器背光致盲问题；可以将超导纳米线单光子探测器的应用扩展到浓雾等强背散射环境下激光测距和激光雷达应用，提高了探测器在大气层内使用的可靠性。
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公开(公告)号：CN104630709A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510115066.X
申请日：2015-03-17
Applicant: 南京大学
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/0682
Abstract: 本发明公开了一种利用磁控共溅射法制备铌硅薄膜的方法，包括以下步骤：（1）靶材选取，选取纯度均为99.999%均匀掺杂的块状Nb和Si作为磁控共溅射的靶材，将靶材放入磁控共溅射室；（2）衬底处理，对衬底依次用超声波、丙酮、酒精和氩离子清洗，放入磁控共溅射室；（3）制备铌硅薄膜，磁控共溅射室的真空度小于等于2×10-5 Pa，工作气体是氩气，调节溅射气压、溅射功率、沉积速率和靶材到衬底的距离，经过一定时间溅射制备薄膜。本发明制备出了符合预期，较为稳定的NbSi超导薄膜，并优化获得了最佳制备条件，为制备高灵敏的超导单光子探测器（SNSPD）奠定了基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102916083B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201210406138.2
申请日：2012-10-23
Applicant: 南京大学
CPC classification number: C23C14/021 , C23C14/185
Abstract: 本发明公开了一种基于掺杂的超导铌薄膜材料的纳米线单光子探测器的制备方法，包括如下步骤：将基片超声清洗并吹干；进行Ar离子洗；通过直流磁控溅射的方式生长掺杂的超导Nb薄膜；旋涂电子束抗蚀剂，然后对电子束抗蚀剂进行电子束光刻，在电子束抗蚀剂上绘制出宽度小于或等于100nm的线条图形；用反应离子刻蚀的方式进行刻蚀，将线条图形转移到Nb薄膜上，形成Nb纳米线条；清洗残留的电子束抗蚀剂，并在样品的表面旋涂光刻胶，通过深紫外曝光的方式在光刻胶上形成电极图形；生长电极。本发明克服了现有的Nb材料制备的SNSPD超导转变温度低，临界电流密度低，光响应波长短的难题。
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公开(公告)号：CN102868013B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201210384068.5
申请日：2012-10-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01P11/00
Abstract: 本发明公开了一种新型太赫兹超宽通带滤波器的制造方法，包括如下步骤：清洗基片；在所述基片上涂覆聚酰亚胺膜；在所述聚酰亚胺膜上涂覆光刻胶LOR并烘干；在所述光刻胶LOR上涂覆光刻胶AZ1500并烘干；对光刻胶进行曝光；对曝光后的光刻胶进行显影和烘干；在所述光刻胶AZ1500和露出的聚酰亚胺膜上蒸发第一层金属；将蒸发第一层金属的基片浸泡在丙酮溶液中剥离；在所述基片上涂覆聚酰亚胺膜并进行固化；在所述光刻胶AZ1500和露出的聚酰亚胺膜上蒸发第二层金属；将蒸发第二层金属的基片浸泡在丙酮溶液中剥离；在所述基片上涂覆聚酰亚胺膜并进行固化；去除基片：将基片和聚酰亚胺膜剥离。本发明实现频带的拓展。
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公开(公告)号：CN119374730A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411623631.9
申请日：2024-11-14
Applicant: 南京大学
IPC: G01J5/10
Abstract: 本发明公开了一种超导氮化铌热电子测辐射热计制备方法，采用氧化硅/硅双层衬底；通过射频磁控溅射在衬底氧化硅面上生长出六氮五铌薄膜作为缓冲层，直流磁控溅射生长氮化铌薄膜；通过紫外曝光双层光刻胶绘制外部电极，磁控溅射生长钛薄膜和金薄膜，利用lift‑off剥离制备出电极；通过电子束曝光绘制平面螺旋天线图形，磁控溅射生长钛薄膜和金薄膜，利用lift‑off剥离，制备出天线；通过电子束曝光定义微桥图形，通过反应离子刻蚀把微桥的图形转移到氮化铌薄膜之上；在衬底硅面通过紫外曝光定义需要刻蚀的区域，通过FSE深硅刻蚀机蚀刻掉硅，制备悬浮桥结构。本发明在提高工作温度至9 K的同时保证了灵敏度性仍在pw/Hz1/2量级。
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公开(公告)号：CN119291972A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411485728.8
申请日：2024-10-23
Applicant: 南京大学 , 天深达(深圳)科创集团有限公司
Abstract: 本发明公开了一对基于倍频的太赫兹光电导天线发射器与探测器，涉及太赫兹技术领域，通过如下技术方案实现：其主体结构包括有光纤准直模块、聚焦透镜、光学倍频模块、发射器光电导天线、探测器光电导天线、外壳和底板。本发明所述的一对基于倍频的太赫兹光电导天线发射器与探测器，提出在泵浦光和探测光进入半导体开关之前，引入了光学倍频模块，可以将1560nm(±40nm)波长的探测飞秒脉冲激光倍频为780nm(±20nm)波长的飞秒脉冲激光，从而可以选择成本较低、工艺成熟的GaAs(或LT‑GaAs)来替代成本高昂的I nGaAs，作为半导体开关材料，是可行的低成本光纤太赫兹光电导天线探测器集成方案。
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公开(公告)号：CN117647848A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311679473.4
申请日：2023-12-08
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种甚长波红外双极化探测单元及阵列式动态电感探测器，所述甚长波红外双极化探测单元通过周期结构单元按照数目规律竖向周期设置，使得电感吸收器的外轮廓成圆形，有效增强电感吸收器的吸收频率；所述阵列式探测装置包括若干个甚长波红外双极化探测单元，每个甚长波红外双极化探测单元搭配相同中心工作频率的电感吸收器和不同谐振频率的叉指电容器，当待测甚长波红外信号的电磁波频率与电感吸收器的中心工作频率一致时，待测甚长波红外信号被谐振探测单元阵列最大程度地吸收，且最大程度地被甚长波红外双极化探测单元检测。本发明检测甚长波红外信号灵敏度高，易于片上集成，制备工艺简单方便，读出系统简单，易于推广。
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