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公开(公告)号：CN1331194C
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200410010970.6
申请日：2004-06-30
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种具有金属上扩散层的金属诱导多晶硅薄膜的制造方法，包括①在绝缘衬底(10)上沉积非晶硅薄膜(11)；②在(11)上沉积金属隔离层(12)；③在(12)上蒸发一层诱导金属层(13)；④在(13)之上沉积一层介质作为金属上扩散层(14)；⑤在保护气体中采用低温(＜600℃)退火，实现非晶硅到多晶硅的晶化；⑥采用刻蚀工艺将金属上扩散层(14)、诱导金属层(13)、金属隔离层(12)去除等步骤。采用本发明的方法，可对进入非晶硅层的金属原子数量进行调控，以获得大晶粒的多晶硅薄膜；同时金属与硅层不直接接触，避免了残留金属的污染；还可增加诱导金属层的厚度，提高工艺的可操作性和可重复性。
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公开(公告)号：CN1595662A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410010983.3
申请日：2004-07-08
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L29/786
Abstract: 本发明涉及多栅双沟道结构多晶硅薄膜晶体管，由绝缘基底(1)、SiO2缓冲层(51)、栅电极绝缘层(53)、在栅电极绝缘层(53)内的两个顶栅电极(24)、漏区(3)、源区(4)组成，SiO2缓冲层(51)上还生长有一层栅电极绝缘层(52)，在栅电极绝缘层(52)内有底栅电极(23)，底栅电极(23)与顶栅电极(24)通过栅电极连接孔(25)连接；在栅电极绝缘层(52)上生长有多晶硅薄膜形成的沟道(6)。本发明的TFT器件与在同样条件下制备的TFT有着同量级关态漏电流的同时，具有开态电流增加一倍、相同宽长比TFT驱动负载能力增大、提供同样电流在集成矩阵中占更小面积、有效提高开口率等优良效果。
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公开(公告)号：CN1189587C
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN03111338.9
申请日：2003-03-30
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于机械领域，具体涉及一种安装于有机发光镀膜机基片架前的具有自动识别功能的小挡板。基片小挡板由安装在托板上的两个半圆形能够开合并与基片架同步公转的平板构成的基片小挡板(37)、磁力传动机械手(31)、推拉控制板(38)、传感器(44)和位置探测器(45)及自动识别电路构成。半圆形小挡板(37)与推拉控制板(38)一同安装在托板(12)上，托板(12)安装在行星式旋转基片架(8)的公转轴(13)上，位于基片(7)及大挡板(6)之间，与行星式旋转基片架(8)同步转动。小档板可以很方便地对相应基片的镀膜条件进行控制，从而实现在一个实验周期内作出多个试样的目的，从而有效地提高有机镀膜的工作效率。
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公开(公告)号：CN1431339A
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：CN03110977.2
申请日：2003-01-28
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种应用于有机电致发光镀膜机的坩锅式蒸发源。坩锅式蒸发源由支座、热电偶测温系统、加热体炉子及坩锅组成。炉子由上、下两个95#陶瓷圆环片(9)、金属钼炉丝(8)、位于上下两个陶瓷圆环片(9)间的筒状石英玻璃内屏蔽层(7)和筒状不锈钢外屏蔽层(6)组成，炉丝(8)上下回绕、通过另一小陶瓷圆环(12)嵌于两个陶瓷圆环片(9)内；上下两个95#陶瓷圆环片(9)用3个钼螺丝杆(5)连接在一起，炉体可以稳固地放置在陶瓷绝缘支座(4)上。该蒸发源具有寿命长、终年不需更换和维护、控温性能优越、蒸发速率稳定、保温性能好、同一真空室的各个蒸发源之间不互相污染、操作方便等优点。
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公开(公告)号：CN112819255B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202110249130.9
申请日：2021-03-08
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明适用船舶航行领域，提供了一种多准则船舶航线确定方法、装置、计算机设备及存储介质，包括：船舶航行区域模型建立与航线模型建立；根据预设的船舶航线优化目标，提出多准则船舶路线规划算法，优化目标为减少燃油消耗、降低航行风险和缩短航行时间；根据船舶航线的起点位置信息与目标终点位置信息规划多准则船舶航线；本发明采用的多准则船舶路线规划算法不仅具粒子群算法收敛速度快的特点，且通过应用遗传算法中交叉操作、选择操作、多种群精英选择操作也可增强种群多样性。以一艘集装箱船为研究对象进行了仿真实验，实验结果表明，本发明能够以安全性、高效性、经济性为目标规划出一系列船舶航线解集，为船长及航运公司提供航线选择参考。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111709633B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202010520480.X
申请日：2020-06-09
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明适用于船舶航行技术领域，提供了一种碰撞危险度确定方法、装置、设备以及可存储介质，包括：获取第一船舶的障碍区相关参数；根据第一船舶的障碍区相关参数，确定第一船舶的速度障碍区；获取第一船舶的速度矢量与第二船舶的速度矢量；根据第一船舶的速度矢量、第二船舶的速度矢量以及第一船舶的速度障碍区，确定所述第一船舶与所述第二船舶之间的碰撞危险度。本发明通过预先确定船舶周围的障碍区，利用障碍区的优势对速度障碍法进行相应改进，建立了一种新的碰撞危险度确定方法，并进一步验证了该碰撞危险度确定方法的合理性，从验证结果中可以看到，该碰撞危险度确定方法具备实用价值，为后续优化设计多目标避碰路线奠定了基础。
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公开(公告)号：CN112126896A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202011029387.5
申请日：2020-09-27
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明提供了一种低温制备C轴结晶IGZO薄膜的方法，属于液晶显示技术领域。本发明提供的方法包括以下步骤：在惰性气体和反应气体组成的混合气氛下，在衬底表面同步进行磁控溅射和施加等离子体，得到C轴结晶IGZO薄膜；所述磁控溅射的靶材为铟、镓和锌的氧化物；所述衬底的温度保持在25～100℃。本发明通过等离子体辅助方式磁控溅射C轴结晶IGZO薄膜，以等离子体的能量部分代替形成结晶所需要的热量，能够实现在25～100℃的低温条件下C轴结晶IGZO的沉积，从而扩展C轴结晶IGZO薄膜在柔性显示方面的应用。
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公开(公告)号：CN110729409A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201911029905.0
申请日：2019-10-25
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种有机光电器件封装薄膜及其制备方法，属于薄膜封装技术领域。其是在待封装的有机光电器件上生长第一封装层，然后在第一封装层上通过先生长金属单质薄层后再原位进行化学处理生成第二封装层，最后通过第一封装层和第二封装层的交替生长完成有机光电器件封装薄膜的制备。金属单质薄层增加了第一封装层的表面粗糙度，再进行反应气体等离子体处理使金属单质薄层中的金属原子获得足够高的能量，在第一封装层表面进行再分布，同时进行原位反应生成金属化合物，作为第二封装层，填补了第一封装层表面的缺陷，提高了水氧阻隔能力，提高了可见光透过率，改善了封装效果。实验表明，2.5个循环后，薄膜的水汽透过率可达到10-5g·m-2·day-1量级。
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公开(公告)号：CN106299160A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201611001115.8
申请日：2016-11-15
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L51/56
CPC classification number: H01L51/0021 , H01L51/56
Abstract: 一种采用等离子体技术处理银纳米线并通过衬底转移制备OLED柔性电极的方法，属于有机光电子技术领域。首先配置银纳米线溶液，然后在硅片上旋涂银纳米线，得到银纳米线薄膜后，通过等离子体处理银纳米线薄膜，一方面除去了纳米线表面的PVP，一方面也改变了银纳米线的表面形貌；之后在硅片上旋涂光交联聚合物，使其完全覆盖银纳米线薄膜，用紫外灯照射后，使用手术刀将光交联聚合物与硅衬底分离，最终得到高电导率的银纳米线透明电极。本发明所述方法降低了银纳米线薄膜的表面粗糙度，提高了银纳米线薄膜表面的均匀性，所制备的OLED柔性电极在导电性上要优于传统的热处理方法得到的电极，而且更节省时间。
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公开(公告)号：CN105932172A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610312091.1
申请日：2016-05-11
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: H01L51/5203 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及导电薄膜技术领域，具体涉及一种可定量调节功函数的透明叠层电极，以及它的制备工艺。所述电极由第一半导体层、导电层和第二半导体层叠合组成；本发明提供的透明叠层电极，材料易得，生产成本低；制备方法简单，可实现工业化生产；产品性能好。
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