一种生长高质量金刚石颗粒及金刚石薄膜的方法

    公开(公告)号:CN108505018B

    公开(公告)日:2019-11-05

    申请号:CN201810455956.9

    申请日:2018-05-14

    Abstract: 一种生长高质量金刚石颗粒及金刚石薄膜的方法,本发明涉及生长金刚石颗粒及金刚石薄膜的方法。本发明要解决现有固体碳源多采用片状等固体,其存在碳源稳定性差,无法形成高品质金刚石,若采用粉状固体碳源,则会在沉积过程中吹散,且污染设备,缩短设备寿命的问题。方法:一、石墨粉装入金属槽中,压实,得到装有石墨粉的金属槽;二、将装有石墨粉的金属槽及衬底置于微波等离子化学气相沉积装置中,且衬底位于装有石墨粉的金属槽中心沉积,即完成一种生长高质量金刚石颗粒及金刚石薄膜的方法。

    一种聚合物分散液晶的应用

    公开(公告)号:CN110283602A

    公开(公告)日:2019-09-27

    申请号:CN201910668525.5

    申请日:2019-07-23

    Abstract: 一种聚合物分散液晶的应用,涉及热致变色领域。本发明是要解决现有的热致变色聚合物制备方法复杂,传统温控膜转变温度不可调的技术问题。本发明的热致变色聚合物分散液晶薄膜是一种智能调光膜,将薄膜粘贴于建筑的窗户玻璃上,可以根据室内温度自行调节透过的光线,温度较高时薄膜为不透明态,减少太阳光的辐照,降低室内温度;温度较低时薄膜恢复透明态,允许光线进入,提升室内温度。本发明的热致变色调光膜具有对温度变化敏感、自动响应调控的特点,大幅度减少能源消耗。本发明可以通过改变原材料的种类和比例来控制透光率的转变温度,且制备工艺简单,可以大尺寸、批量化生产。

    一种生长高质量金刚石颗粒及金刚石薄膜的方法

    公开(公告)号:CN108505018A

    公开(公告)日:2018-09-07

    申请号:CN201810455956.9

    申请日:2018-05-14

    Abstract: 一种生长高质量金刚石颗粒及金刚石薄膜的方法,本发明涉及生长金刚石颗粒及金刚石薄膜的方法。本发明要解决现有固体碳源多采用片状等固体,其存在碳源稳定性差,无法形成高品质金刚石,若采用粉状固体碳源,则会在沉积过程中吹散,且污染设备,缩短设备寿命的问题。方法:一、石墨粉装入金属槽中,压实,得到装有石墨粉的金属槽;二、将装有石墨粉的金属槽及衬底置于微波等离子化学气相沉积装置中,且衬底位于装有石墨粉的金属槽中心沉积,即完成一种生长高质量金刚石颗粒及金刚石薄膜的方法。

    基于XRD实验数据调整衬底和薄膜初始结构模型的结构参数的方法

    公开(公告)号:CN108229010A

    公开(公告)日:2018-06-29

    申请号:CN201711483712.3

    申请日:2017-12-29

    Abstract: 一种基于XRD实验数据调整衬底和薄膜初始结构模型的结构参数的方法,它属于材料计算技术领域。本发明解决了衬底和薄膜结构模型预留距离过大影响几何优化过程的计算速度,以及可能无法模拟出最终能量最低的稳定结构的问题。本发明利用带有薄膜附件的X射线衍射仪对衬底和生长外延薄膜进行X射线小角衍射(SXRD)表征,得到衬底样品和薄膜样品的X射线小角衍射图谱,据此分别计算出衬底样品、薄膜样品、衬底样品与薄膜样品界面处原子层之间的晶面间距,然后利用上述晶面间距对利用Material Studio建立的初始结构模型的结构参数进行调整。本发明减少了几何优化步骤,大大缩短优化时间,同时有效避免计算过程陷入亚稳定结构陷阱,能够更准确地找到最终稳定结构。

    一种提高硅凝胶复合材导热性能的制备方法

    公开(公告)号:CN108165237A

    公开(公告)日:2018-06-15

    申请号:CN201810032016.9

    申请日:2018-01-12

    Abstract: 一种提高硅凝胶复合材导热性能的制备方法,本发明涉及聚合物基导热复合材料领域,具体涉及金刚石颗粒表面的磁性材料负载技术及外置磁场作用下填充体定向排布的聚合物基复合材料的制备方法。本发明要解决磁场作用下可控制备的定性排布金刚石/硅凝胶复合材料制备的技术问题。方法:先制备磁性材料负载的金刚石填充体颗粒;然后利用外置磁场对可磁性响应的金刚石颗粒进行定向排布以制备复合材料。本发明提出了定向排布的金刚石/硅凝胶复合材料的制备方法,对实际磁性负载的金刚石颗粒定向排布进行了表征,定向排布效果显著,提高了硅凝胶复合片材的热导率。

    金刚石肖特基同位素电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN107749316A

    公开(公告)日:2018-03-02

    申请号:CN201710930415.2

    申请日:2017-10-09

    CPC classification number: G21H1/06

    Abstract: 金刚石肖特基同位素电池及其制备方法,本发明属于微能源领域,它为了解决现有同位素电池的抗辐射损伤强度以及能量转换效率较低的问题。本发明金刚石肖特基同位素电池从上至下依次由放射源、电池肖特基电极、本征金刚石层和P型金刚石层形成叠层结构,在叠层结构的侧面设置欧姆电极。制备方法:一、在P型金刚石基底层上外延生长本征金刚石层;二、置于浓H2SO4和浓HNO3的混合溶液中;三、在本征金刚石层表面溅射肖特基电极;四、涂覆导电银胶;五、在肖特基电极上加载电镀放射源。本发明金刚石肖特基同位素电池中以Am作为放射源,其发出的阿尔法射线穿透深度低,且该金刚石肖特基同位素电池的输出功率能够达到皮瓦级,转换效率高。

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