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公开(公告)号:CN106277875B
公开(公告)日:2018-09-11
申请号:CN201610656488.2
申请日:2016-08-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一步法制备铝硅酸盐聚合物的方法,它涉及一种类似水泥的一步法制备铝硅酸盐聚合物新工艺。本发明是为了解决铝硅酸盐聚合物制备工艺较为复杂的技术问题,方法如下:一、将铝硅酸盐矿物与硅酸盐混合,经机械球磨24h,获得复合粉体;二、将复合粉体置于马弗炉中高温处理;三、将经过步骤二处理的复合粉体进行球磨至粒度为10‑50μm,得到铝硅酸盐聚合物干粉。本发明提供了一种类似水泥的新型铝硅酸盐聚合物干粉的制备工艺,将干粉与适量水混合后即可固化成型,该粉体具有存放周期长、加水固化、操作简单、易施工、绿色无污染等特性。
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公开(公告)号:CN107573079A
公开(公告)日:2018-01-12
申请号:CN201710909139.1
申请日:2015-10-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/583 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及氮化硼基陶瓷材料及其制备方法和应用。所述氮化硼基陶瓷材料由氮化硼、电熔氧化锆、碳化硅和添加剂制成。所述方法包括:一、称取原料;二、将制备复合粉末;三、制备氮化硼复合粉末;四、氮化硼基陶瓷材料预制坯体的制备;五、氮化硼基陶瓷材料的制备。本发明还涉及所述氮化硼基陶瓷材料作为薄带连铸用氮化硼基陶瓷侧封板材料的应用。本发明解决了氮化硼基复相陶材料烧结温度高和低熔点烧结助剂导致服役性能下降的技术问题,所制备的氮化硼基陶瓷材料的致密度可达到97%以上,具有优异的综合力学性能,其抗弯强度值可达到420MPa,非常适合于用作为薄带连铸用氮化硼基陶瓷侧封板材料。
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公开(公告)号:CN105272369B
公开(公告)日:2017-11-14
申请号:CN201510830337.X
申请日:2015-11-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种多孔陶瓷连接方法,涉及一种陶瓷连接方法。是要解决现有多孔陶瓷与金属连接过程中,同时实现润湿性提高和热应力缓解时,过程复杂的问题。方法:一、配制酚醛树脂有机溶液;二、多孔陶瓷热处理;三、多孔陶瓷连接。本发明利用多孔陶瓷的表层孔隙结构,使钎料熔渗进入基体内部形成机械咬合与化合键相结合的连接结构,不仅可以有效的缓解接头残余热应力,而且增加了界面反应结合区域,有利于接头强度的提高。本发明用于陶瓷和金属材料连接领域。
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公开(公告)号:CN105084904B
公开(公告)日:2017-07-28
申请号:CN201510486976.9
申请日:2015-08-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/581 , C04B35/64
Abstract: 氮化铝陶瓷材料的制备方法,本发明涉及陶瓷材料的制备方法。本发明要解决现有氮化铝陶瓷材料制备工艺复杂及成本高的问题。方法:一、制备活性铝硅酸盐源材料;二、制备碱激发溶液;三、制备料浆;四、制备胚料;五、高温处理,即完成氮化铝陶瓷材料的制备方法。本发明用于氮化铝陶瓷材料的制备方法。
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公开(公告)号:CN106946581A
公开(公告)日:2017-07-14
申请号:CN201710263533.2
申请日:2017-04-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种使用3D打印技术制备导电石墨烯/无机聚合物复合材料的方法,涉及一种制备导电石墨烯/无机聚合物复合材料的方法。本发明为了解决现有纤维增强陶瓷基复合材料的制备方法不易制成复杂形状构件、制备工艺复杂、成本高、电导率低的问题。本发明:一、制备打印墨水;二、3D打印;三、固化;四、热处理。本发明中使用了具有大尺寸的大片径的氧化石墨烯溶液,并且氧化石墨烯的浓度范围更加宽泛,在打印墨水的制备过程中,本发明中并未添加去离子水来改善墨水的流变性,样品打印成功后,使用塑料培养皿密封来防止水分挥发,这与样品置于完全开放的空间内挥发水分是完全不同的。
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公开(公告)号:CN106810286A
公开(公告)日:2017-06-09
申请号:CN201710039763.0
申请日:2017-01-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/195 , C04B35/622
Abstract: 一种氮化硼纤维增强堇青石陶瓷基复合材料及其制备方法。以氮化硼纤维作为增强相,以堇青石粉体为原材料,经过混料、成型及烧结即可获得特定型状的陶瓷材料及构件。方法:制备堇青石粉体浆料;氮化硼纤维预处理;将堇青石粉体浆料与氮化硼纤维分散液混合;去除溶剂;装模成型;热压烧结,得到氮化硼纤维增强堇青石陶瓷基复合材料。本发明制备的氮化硼纤维增强堇青石陶瓷基复合材料的抗弯强度为68~176MPa,断裂韧性为2.2~3.7MPa·m1/2,弹性模量为76~143GPa,而且具有优异的介电性能,介电常数ε
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公开(公告)号:CN106623944A
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201610855055.X
申请日:2016-09-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: B22F7/02 , B22F1/0059 , B22F3/02 , B22F3/04 , B22F3/10 , B22F3/14 , B22F3/15 , B22F2003/145 , B22F2207/01 , B22F2998/10 , F27B14/10
Abstract: 本发明涉及氧化钇‑钨连续梯度材料及其制备方法和在合金熔炼中的应用。所述梯度材料包括厚度为l0的钨层、厚度为l1的氧化钇层和厚度为l2的过渡层,并且l0和l1独立地≥0,l2>0;过渡层中距离富钨面的z位置处的氧化钇的体积分数并且钨的体积分数其中l=l0+l2,p=0.4,l0≤z≤l。所述方法优选采用自由沉降结合冷压成型和烧结工艺形成过渡层。本发明还提供了所述梯度材料在金属熔炼中的应用。本发明的梯度材料经1200~1600℃下的循环热震10~20次后,没发生层间剥落及断裂失效等现象;能抵抗50~80MW/m2的瞬间激光热冲击,在线平均电子密度为1~1.5×1013/cm3的等离子体原位辐照下材料表面无明显损伤。所述方法工艺简单、易于操作、能耗较低、环境友好,产业化应用前景广阔。
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公开(公告)号:CN106623943A
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201610855054.5
申请日:2016-09-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: B22F7/02 , B22F1/0059 , B22F3/02 , B22F3/04 , B22F3/10 , B22F3/14 , B22F3/15 , B22F2003/145 , B22F2207/01 , B22F2998/10 , F27B14/10
Abstract: 本发明涉及氧化钇‑钨连续梯度材料及其制备方法和在高温合金熔炼坩埚制造中的应用。所述梯度材料包括厚度为l0的钨层、厚度为l1的氧化钇层和厚度为l2的具有富钨面和富氧化钇面的过渡层,并且l0和l1独立地≥0,l2>0;过渡层中距离富钨面的z位置处的氧化钇的体积分数并且钨的体积分数其中,l=l0+l2,p=0.1,l0≤z≤l。本发明方法优选采用自由沉降的方式结合冷压成型和烧结工艺形成所述过渡层。本发明还提供所述梯度材料在制造高温合金熔炼坩埚中的应用。所述梯度材料具有良好的抗热震性能和抗侵蚀性能,可广泛用于高温合金熔炼领域。所述方法工艺简单、能耗较低、环境友好,具有广阔的产业化应用前景。
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公开(公告)号:CN106591773A
公开(公告)日:2017-04-26
申请号:CN201611150621.3
申请日:2016-12-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: C23C10/52 , C23F17/00 , C25D11/026 , C25D11/26 , C25D11/34
Abstract: 一种高温用金属表面抗高温氧化辐射热防护涂层制备方法。首先在金属表面通过高温化学扩渗制备厚度为30~200微米的硅化物或者铝化物的抗高温氧化过渡层;然后通过微弧氧化将过渡层表面原位转化为3~30微米且含高发射率物相强化的耐冲刷辐射热防护的陶瓷外层,使其得到的复合涂层兼具抗高温氧化、耐冲刷及高发射率的多重功能。本发明制备的复合涂层,其基材/过渡层/陶瓷外层的界面均为高强度的冶金结合,过渡层使复合涂层具有优异的抗高温氧化性能;高发射率陶瓷外层使基体金属发射率由0.2~0.35提高到0.8以上,强化辐射散热使金属热防护系统表面降温10%~20%,且陶瓷层抗强气流冲刷;复合涂层在航空航天热结构与外防热领域有很好应用潜力。
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公开(公告)号:CN105130445B
公开(公告)日:2017-04-26
申请号:CN201510586140.6
申请日:2015-09-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/622
Abstract: 碳化硅基复合陶瓷生坯连接后共烧结的方法,它涉及一种复合陶瓷生坯连接及烧结方法。本发明是为了解决现有碳化硅陶瓷连接方式导致在应用过程中存在热应力的技术问题。本方法如下:一、碳化硅基复合材料生坯的连接;二、将经过步骤一处理的连接好的碳化硅复合材料生坯在烧结气氛为氩气或氮气、气氛压力为0.1MPa~0.5MPa的条件下升温,保温,再随炉冷却至室温,即得碳化硅陶瓷。本发明制备的碳化硅陶瓷接头的剪切强度可以达到150MPa。本发明属于碳化硅基复合陶瓷的制备领域。
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