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公开(公告)号：CN108022972B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201610943892.8
申请日：2016-11-02
申请人： 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L21/331 , H01L21/28
摘要： 本发明提供了一种低通态压降IGBT及其控制方法、制造方法，所述低通态压降IGBT包括栅极、发射极、控制电极和集电极；栅极、发射极和控制电极淀积在N型衬底的有源区；集电极淀积在N型衬底的P+集电区上；所述控制方法包括依据低通态压降IGBT的控制状态确定其工作模式。与现有技术相比，本发明提供的一种低通态压降IGBT及其控制方法、制造方法，通过控制电极的电压值有效抑制空穴流通，从而增加空穴在N‑区的存储量降低IGBT的通态损耗。
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公开(公告)号：CN109085526B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201810806709.9
申请日：2018-07-20
申请人： 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网公司
摘要： 本发明提供了基于电容式电压互感器的谐波测量方法、装置及系统。该方法包括如下步骤：测量电容式电压互感器的低压电容支路的电流；根据所述电流计算所述低压电容支路的谐波电流占比；根据所述电容式电压互感器一次侧的谐波电压占比与所述谐波电流占比之间的关系、所述谐波电流占比，计算得到所述谐波电压占比；根据所述电容式电压互感器一次侧的基波电压、所述谐波电压占比计算得到所述电容式电压互感器一次侧的谐波电压。本发明的整个测量系统更加简单，运算也更加简单，同时测量得到的谐波电压的准确度的精度也很高，误差远远小于标准要求。
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公开(公告)号：CN109143057A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811130299.7
申请日：2016-07-28
申请人： 国网江苏省电力公司常州供电公司 , 国网江苏省电力公司 , 国家电网公司
IPC分类号： G01R31/327 , G05B19/04
摘要： 本发明提供一种GIS设备刀闸振动在线修复系统，包括支承架、可活动地设置在支承架内的平衡板、设于支承架和平衡板间的弹簧、设于支承架上的2个气囊球以及吸合组件和电路装置；吸合组件包括磁铁、铁板、绝缘板和固定件；电路组件包括微型电路板、微型电机、振动加速度传感器、GIS设备电路检测模块和远程控制中心服务器；微型电路板和微型电机均设在支撑架内；微型电路板上设有主控制器、电机驱动控制执行模块、无线收发模块和电源模块；微型电机配设有与平衡板动配合的传动凸轮。本发明结构简单、成本不高、实施方便且使用时能够有效监测GIS设备的刀闸闭合状态且在出现刀闸闭合不到位、过位以及触点松动问题时能够自动进行修复。
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公开(公告)号：CN107089589B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201710289651.0
申请日：2017-04-27
申请人： 国家电网公司 , 国网新源水电有限公司 , 国网新源水电有限公司新安江水力发电厂
摘要： 本发明公开一种门式起重机吊钩自动穿销装置，包括位于溢洪门顶部平衡梁上的穿销床座以及与门机吊钩配合的对中座，其特征是在穿销床座中设置具有直线导向机构的穿销，与穿销配合设有机动和手动两种传动机构；所述的机动传动机构包括驱动装置以及与穿销配合的摩擦轮；穿销头部设有机械锁锭装置；驱动装置中设有无线接收控制器。实现了门机与抓梁之间穿销全过程自动化，避免了操作人员登高作业，大大降低了劳动强度，保证了穿销工作的安全性，提升了工作效率有效地利用了现场空间，简化了整体结构，方便安装，有利于检修维护工作的开展。
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公开(公告)号：CN108170915A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711381643.5
申请日：2017-12-20
申请人： 国家电网公司 , 国网安徽省电力公司信息通信分公司 , 安徽继远软件有限公司
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明涉及一种基于电网GIS平台提高地理信息系统拓扑连通率的方法，包括(1)由变电站内图，找出拓扑断点；(2)对变电站房与线路连接整改；(3)由配电线路，找出拓扑断点。通过本方法提高图形拓扑连通率，提升拓扑指标，从而提升了图形质量。
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公开(公告)号：CN103594356B
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201310385233.3
申请日：2013-08-30
IPC分类号： H01L21/331
CPC分类号： H01L29/66333 , H01L29/36 , H01L29/7395
摘要： 本发明涉及半导体器件技术领域的制造方法，具体涉及一种场终止型IGBT器件的制造方法。该方法包括下述步骤：选择N型掺杂FZ单晶硅片，厚度根据电压等级确定；从硅片背面离子注入磷杂质并实施高温退火，形成厚度15～70um和掺杂浓度2×1013～2×1015/cm3的N型掺杂缓冲层；腐蚀掉背面保护层，采用腐蚀或喷砂方法将背面打毛，形成吸杂源；去除正面保护层，在硅片正面进行IGBT元胞区的制作；从硅片背面研磨5～30um厚度的硅衬底，背面再腐蚀～2um厚度，留下厚度10～65um的N型缓冲层作为场终止区；完成背面集电极区的制作。本发明不需要昂贵的高能离子注入设备或外延设备可形成10～65um的场终止区，适合1700～6500V场终止型IGBT器件制造。
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公开(公告)号：CN106816463A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201710029590.4
申请日：2017-01-16
申请人： 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司
CPC分类号： H01L29/404 , H01L29/0623
摘要： 本发明提供了一种终端结构、半导体器件及其制备方法，所述终端结构包括正面终端结构，其设置在衬底的正面；正面终端结构包括多个具有第一导电类型的第一场环、多个具有第二导电类型的第二场环和多个场板；背面终端结构，其设置在衬底的背面；背面终端结构包括多个具有第一导电类型的第三场环和多个具有第二导电类型的第四场环。与现有技术相比，本发明提供的一种终端结构、半导体器件及其制备方法，可以在不改变半导体器件的芯片面积的情况下提高终端结构的击穿电压耐受能力。
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公开(公告)号：CN103531620B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201310527108.1
申请日：2013-10-30
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
摘要： 本发明涉及半导体器件技术，具体涉及一种基于N型注入层的IGBT芯片及其制造方法。IGBT芯片包括有源区、终端区和栅极区，在所述有源区和所述终端区均设有N型注入层；所述N型注入层在有源区包括以下设置方式：所述N型注入层包围P-基区；所述N型注入层包围P-基区且延伸到栅氧化层的下方和所述N型注入层包围P-基区且未包围P-基区拐角处。还提供了一种IGBT芯片的制造方法，本发明中在IGBT设计时引入N型注入层，优化了终端区的设计，降低了终端区的尺寸。同时降低了有源区的饱和电压，提高了芯片的电流能力。本发明在不影响IGBT芯片其他性能的前提下，通过引入N型注入层，优化IGBT芯片各功能区域的比例，提高了IGBT芯片的电流能力。
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公开(公告)号：CN106298897A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510249973.3
申请日：2015-05-15
申请人： 国网智能电网研究院 , 国网浙江省电力公司国家电网公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/417 , H01L21/28 , H01L21/331
摘要： 本发明涉及一种具有分离式集电极的平面栅IGBT，包括衬底、依次设置在衬底上的正面金属电极、隔离氧化膜和平面栅极，平面栅极与衬底之间的P阱区，依次设置于P阱区内N+型掺杂区和P+型掺杂区，依次设置于衬底背面的背面N型低掺杂缓冲区和背面P+集电区，在背面P+集电区上设有采用绝缘介质填充的背面凹槽，背面凹槽深度大于、等于或小于背面P+集电区的厚度，绝缘介质完全或部分填充凹槽，绝缘介质与P+集电区有交叠，本发明在传统的平面栅型IGBT基础上，通过增加浅凹槽或氧化层隔离结构形成分离式集电极，此结构有效抑制IGBT器件的空穴注入效率，避免过大的反向恢复电荷；有效抑制IGBT器件关断过程中的拖尾电流，降低关断损耗，使得开关速度更快。
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公开(公告)号：CN106033772A
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201510122358.6
申请日：2015-03-19
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/28 , H01L21/331
CPC分类号： H01L29/7395 , H01L29/0684 , H01L29/42312 , H01L29/66333
摘要： 本发明涉及一种具有改善安全工作区的IGBT器件及其制造方法，在所述IGBT器件有源区设有多晶侧壁保护结构和浅P+结构；所述多晶侧壁保护结构位于多晶硅栅极两侧；所述浅P+结构位于N+区和P-基区之间；在N+区预留空穴通路，形成空穴旁路结构。本发明引入spacer工艺，引入浅P+掺杂工艺；该发明无需增加光刻，可改善N+区下方掺杂分布，改善了空穴流分布，改善了电场分布，减少了寄生晶闸管栓锁。
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