公开(公告)号：CN106298693A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201510240562.8

申请日：2015-05-13

申请人： 国网智能电网研究院 ,  国网浙江省电力公司国家电网公司

发明人： 刘江 ,  赵哿 ,  高明超 ,  王耀华 ,  乔庆楠 ,  吴迪 ,  何延强 ,  刘钺杨 ,  曹功勋 ,  李晓平 ,  董少华 ,  李立 ,  金锐 ,  温家良

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/3171 ,  H01L21/56

摘要： 本发明涉及一种高压芯片钝化层的制造方法，包括：制造高压芯片正面；背面减薄加工；制造高压芯片钝化层；制造除背面减薄工艺的高压芯片背面。本发明提供的技术方案在高压芯片制造过程中，将钝化层工艺进行优化，减少芯片的应力，增强钝化层与芯片的粘合，提高钝化层在后续工艺及应用中的可靠性，提高高压芯片的可靠性。

公开(公告)号：CN106298897A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201510249973.3

申请日：2015-05-15

申请人： 国网智能电网研究院 ,  国网浙江省电力公司国家电网公司

发明人： 李晓平 ,  刘江 ,  赵哿 ,  高明超 ,  王耀华 ,  刘钺杨 ,  吴迪 ,  何延强 ,  李立 ,  乔庆楠 ,  曹功勋 ,  董少华 ,  金锐 ,  温家良

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/417 ,  H01L21/28 ,  H01L21/331

摘要： 本发明涉及一种具有分离式集电极的平面栅IGBT，包括衬底、依次设置在衬底上的正面金属电极、隔离氧化膜和平面栅极，平面栅极与衬底之间的P阱区，依次设置于P阱区内N+型掺杂区和P+型掺杂区，依次设置于衬底背面的背面N型低掺杂缓冲区和背面P+集电区，在背面P+集电区上设有采用绝缘介质填充的背面凹槽，背面凹槽深度大于、等于或小于背面P+集电区的厚度，绝缘介质完全或部分填充凹槽，绝缘介质与P+集电区有交叠，本发明在传统的平面栅型IGBT基础上，通过增加浅凹槽或氧化层隔离结构形成分离式集电极，此结构有效抑制IGBT器件的空穴注入效率，避免过大的反向恢复电荷；有效抑制IGBT器件关断过程中的拖尾电流，降低关断损耗，使得开关速度更快。

公开(公告)号：CN105514154B

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201410488173.2

申请日：2014-09-22

申请人： 国家电网公司 ,  国网智能电网研究院 ,  国网浙江省电力公司

发明人： 何敏 ,  赵哿 ,  金锐 ,  刘江 ,  王耀华 ,  高明超

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/08 ,  H01L21/335

摘要： 本发明涉及一种改善有源区与终端连接区场强均匀性的IGBT器件及制造方法，包括发射极铝引线区域、栅铝引线区域、有源区、终端P型场限环、场氧化层、栅Bus区域和终端区域。所述栅铝引线区域位于器件边角位置，发射极铝引线区域位于有源区，栅Bus区域包围着有源区，所述终端区位于栅Bus区域外围。本发明通过改进传统的发射极与第一条金属场板、第一条栅极场板连接结构设计，使得IGBT器件在有源区与终端连接区场强均匀性得以改善，使IGBT器件整体场强的均匀性更好。本发明改善了IGBT的有源区与终端连接区场强均匀性，保证了栅铝引线区域铝引线完整性，提高了栅极电压的传输，从而提高了IGBT开关速度，减小开关损耗。

公开(公告)号：CN104701153B

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201410853925.0

申请日：2014-12-31

申请人： 国家电网公司 ,  国网智能电网研究院 ,  国网北京市电力公司

发明人： 王耀华 ,  赵哿 ,  刘江 ,  刘钺杨 ,  高明超 ,  金锐 ,  温家良

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/67

摘要： 本发明提出了一种金属电极制造装置，装置包括由下至上依次设置的载片台(1)、盖板(4)和固定件(5)，载片台(1)由在同一平面上的至少两块载片件组成，金属掩膜罩(2)跨放在其上；位于金属掩膜罩(2)上方的所述盖板(4)剖面为拉长的倒置凹槽，其两端的凸块支撑在所述载片件上；依据设于硅片上的芯片的电极形状敷设的金属掩膜罩(2)。使用该金属电极制造装置的金属电极制造方法在蒸镀过程中，金属通过金属掩膜罩的窗口到达硅片表面，在指定的区域淀积形成厚金属电极，减少了一次光刻和一次金属刻蚀工艺，缩短了加工周期，降低了生成成本。

公开(公告)号：CN105514154A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201410488173.2

申请日：2014-09-22

申请人： 国家电网公司 ,  国网智能电网研究院 ,  国网浙江省电力公司

发明人： 何敏 ,  赵哿 ,  金锐 ,  刘江 ,  王耀华 ,  高明超

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/08 ,  H01L21/335

摘要： 本发明涉及一种改善有源区与终端连接区场强均匀性的IGBT器件及制造方法，包括发射极铝引线区域、栅铝引线区域、有源区、终端P型场限环、场氧化层、栅Bus区域和终端区域。所述栅铝引线区域位于器件边角位置，发射极铝引线区域位于有源区，栅Bus区域包围着有源区，所述终端区位于栅Bus区域外围。本发明通过改进传统的发射极与第一条金属场板、第一条栅极场板连接结构设计，使得IGBT器件在有源区与终端连接区场强均匀性得以改善，使IGBT器件整体场强的均匀性更好。本发明改善了IGBT的有源区与终端连接区场强均匀性，保证了栅铝引线区域铝引线完整性，提高了栅极电压的传输，从而提高了IGBT开关速度，减小开关损耗。

公开(公告)号：CN103178104A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201310054020.2

申请日：2013-02-20

申请人： 国网智能电网研究院 ,  国家电网公司

发明人： 高明超 ,  王耀华 ,  刘江 ,  赵哿 ,  金锐

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

摘要： 本发明涉及一种半导体器件多级场板终端结构及其制造方法。多级场板终端结构为阶梯结构，用于IGBT芯片和快恢复二极管FRD中，多级场板终端结构包括衬底区表面的栅极氧化膜和场氧化膜层、沉积在栅极氧化膜和场氧化膜层上的多晶硅栅极、沉积在场氧化膜层上的隔离氧化膜以及沉积在隔离氧化膜上的SiO2薄膜；在隔离氧化膜和SiO2薄膜之间设置SiOxNy层，SiOxNy层为腐蚀阻挡层。本发明提供的结构终端为五个台阶，终端面积小，对界面电荷不敏感，突破国外四台阶多级场板结构专利的封锁；多级场板场氧化膜层中间及SiO2薄膜下添加SiOxNy薄膜层作为腐蚀阻挡层，降低对工艺精度的要求，操作简单，由于SiOxNy具有良好的致密性，阻止外部杂质离子侵入的能力，提高器件的稳定性和可靠性。

公开(公告)号：CN115020488A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210646218.9

申请日：2022-06-08

申请人： 国网智能电网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网福建省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 高明超 ,  金锐 ,  王耀华 ,  刘江 ,  李立 ,  晁武杰

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L23/48 ,  H01L21/331

摘要： 本发明提供一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法，绝缘栅双极晶体管包括：体层，所述体层包括元胞区和环绕元胞区的过渡区，所述过渡区包括汇流区；栅极结构，位于部分元胞区上或者部分元胞区中；位于汇流区上的栅汇流条，所述栅汇流条与栅极结构的部分边缘之间具有第一开口；镇流结构，位于汇流区中且延伸至第一开口底部的部分元胞区中；阱区，位于栅极结构周围的部分元胞区中，第一开口底部的体层中具有阱区，所述阱区的导电类型与所述镇流结构的导电类型相同；位于阱区的顶部区域中的源掺杂区，所述源掺杂区的导电类型与所述阱区的导电类型相反，所述源掺杂区与所述镇流结构间隔。上述绝缘栅双极晶体管能够缓解元胞区电流集中，降低闩锁风险。

公开(公告)号：CN106033773A

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：CN201510123044.8

申请日：2015-03-19

申请人： 国家电网公司 ,  国网智能电网研究院 ,  国网浙江省电力公司

发明人： 刘江 ,  赵哿 ,  高明超 ,  王耀华 ,  何延强 ,  吴迪 ,  曹功勋 ,  乔庆楠 ,  刘钺杨 ,  李晓平 ,  董少华 ,  李立 ,  金锐

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L21/335

摘要： 本发明涉及一种具有空穴旁路结构的IGBT器件及其制造方法，在IGBT器件有源区设有多晶侧壁保护结构、浅P+结构和P+深基区；所述多晶侧壁保护结构位于多晶硅栅极两侧；所述浅P+结构位于N+区和P-基区之间；所述P+深基区设置于P-基区的外侧且包围P-基区，形成空穴旁路结构。本发明引入高掺杂P+深基区，改善了空穴流分布，改善了电场分布，减少了寄生晶闸管栓锁，提高了IGBT可靠性。

公开(公告)号：CN104393032A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201410734307.4

申请日：2014-12-04

申请人： 国家电网公司 ,  国网智能电网研究院 ,  国网浙江省电力公司

发明人： 赵哿 ,  王耀华 ,  高明超 ,  刘江 ,  金锐 ,  温家良

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/7395 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/66333

摘要： 本发明涉及一种具有空穴旁路和发射极集成均流电阻复合结构的平面栅IGBT及其制造方法。在传统的平面栅型IGBT基础上，通过调整N+注入掺杂区域的形状和面积，形成空穴电流旁路和N+掺杂发射区的集成均流电阻复合结构，此结构可以有效抑制IGBT器件的饱和电流，避免过大电流冲击；可以有效抑制IGBT器件的大电流状态下的Latch-up现象，降低空穴电流路径的电阻；可以使得发射极电流更加均匀，避免IGBT器件内局部区域的电流过大；同时还可以维持导通压降较小的变化值。

公开(公告)号：CN103176116A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201310054142.1

申请日：2013-02-20

申请人： 国网智能电网研究院 ,  国家电网公司

发明人： 刘江 ,  王耀华 ,  刘钺杨 ,  赵哿 ,  高明超 ,  金锐

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明涉及一种半导体器件测试装置及其测试方法。其装置包括测试单元和探针台，测试单元包括台盘、固定在台盘上的圆片和设置于圆片上的半导体器件，半导体器件包括测试芯片和非测试芯片；探针台中的探针包括与测试芯片正面接触的探针和与非测试芯片正面硅表面接触的可施加高压的探针，台盘为接地的台盘。其方法为将圆片固定在台盘上，选定测试芯片和非测试芯片；将台盘接地；将测试探针与测试芯片正面接触，并将测试芯片接地；将高压探针与非测试芯片正面硅表面接触，并将高压通过高压探针施加于测试芯片；测试探针读取测试芯片的电压和电流曲线。本发明直接在芯片的正面施加高压，减少打火等干扰，测试结果准确，且安全性更高。